【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開通常地涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地，涉及校準(zhǔn)存儲(chǔ)器裝置的阻抗的方法。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括易失性存儲(chǔ)器裝置和非易失性存儲(chǔ)器裝置。易失性存儲(chǔ)器裝置（例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dram）裝置和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（sram）裝置）具有高讀取速度和寫入速度，但在其電力供應(yīng)被斷開時(shí)丟失其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。相比之下，非易失性存儲(chǔ)器裝置即使在其電力供應(yīng)被斷開時(shí)也保留其存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可通過輸入輸出電路與外部裝置交換數(shù)據(jù)。隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的操作速度增大，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置與外部裝置之間發(fā)送和接收的信號(hào)的擺動(dòng)寬度減小，從而引起阻抗不匹配（mismatch）。當(dāng)信號(hào)遇到阻抗不匹配時(shí)，信號(hào)的一部分被反射回源，而不是被傳輸?shù)截?fù)載。該反射信號(hào)可能干擾期望的信號(hào)，導(dǎo)致失真和信號(hào)損失?？蓤?zhí)行阻抗校準(zhǔn)以減少或防止失真或信號(hào)損失。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開的實(shí)施例提供一種使用阻抗校準(zhǔn)碼執(zhí)行阻抗校準(zhǔn)的存儲(chǔ)器裝置及其阻抗校準(zhǔn)方法，該阻抗校準(zhǔn)碼在生成阻抗校準(zhǔn)碼時(shí)防止對(duì)指定范圍之外的阻抗校準(zhǔn)碼的更新。
2、本公開的實(shí)施例提供一種用于通過在生成阻抗校準(zhǔn)碼時(shí)根據(jù)存儲(chǔ)器裝置的溫度指定不同的校準(zhǔn)碼范圍來防止異常阻抗校準(zhǔn)碼的更新的存儲(chǔ)器裝置及其阻抗校準(zhǔn)方法。
3、根據(jù)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器單元陣列；輸入/輸出電路；阻抗校準(zhǔn)電路；以及校準(zhǔn)控制電路。輸入/輸出電路用于對(duì)控制到存儲(chǔ)器單元陣列的數(shù)據(jù)的輸入和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)的輸出。阻抗校準(zhǔn)電路用
4、根據(jù)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置的阻抗校準(zhǔn)方法包括：執(zhí)行用于生成新的阻抗校準(zhǔn)碼的阻抗校準(zhǔn)操作；確定新的阻抗校準(zhǔn)碼是否包括在第一校準(zhǔn)碼范圍中；當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼包括在第一校準(zhǔn)碼范圍中時(shí)，接收溫度碼；確定新的阻抗校準(zhǔn)碼是否包括在與溫度碼對(duì)應(yīng)的第二校準(zhǔn)碼范圍中；以及當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼包括在第二校準(zhǔn)碼范圍中時(shí)，利用新的阻抗校準(zhǔn)碼更新先前的阻抗校準(zhǔn)碼。
5、根據(jù)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置包括：存儲(chǔ)器單元陣列；輸入/輸出電路；阻抗校準(zhǔn)電路；以及校準(zhǔn)控制電路。輸入/輸出電路用于控制到存儲(chǔ)器單元陣列的數(shù)據(jù)的輸入和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元陣列中的數(shù)據(jù)的輸出。阻抗校準(zhǔn)電路用于基于外部電阻器生成阻抗校準(zhǔn)碼，以作為施加的阻抗校準(zhǔn)碼施加至輸入/輸出電路。校準(zhǔn)控制電路正在將從阻抗校準(zhǔn)電路接收的新的阻抗校準(zhǔn)碼與校準(zhǔn)碼范圍進(jìn)行比較，以當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼包括在校準(zhǔn)碼范圍中時(shí)，生成校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志。阻抗校準(zhǔn)電路包括：阻抗墊，連接到外部電阻器；下拉驅(qū)動(dòng)器，連接到阻抗墊；碼生成器，將阻抗墊的電壓與目標(biāo)電壓進(jìn)行比較以生成新的阻抗校準(zhǔn)碼；以及下拉碼控制電路，接收新的阻抗校準(zhǔn)碼，并且當(dāng)在將新的下拉阻抗校準(zhǔn)碼發(fā)送至校準(zhǔn)控制電路之后的指定時(shí)間內(nèi)接收到校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志時(shí)，將施加的阻抗校準(zhǔn)碼更新為新的阻抗校準(zhǔn)碼。
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1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，阻抗校準(zhǔn)電路被配置為：當(dāng)在將新的阻抗校準(zhǔn)碼發(fā)送至校準(zhǔn)控制單元之后的指定時(shí)間內(nèi)未接收到校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志時(shí)，丟棄新的阻抗校準(zhǔn)碼并且維持施加的阻抗校準(zhǔn)碼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼在校準(zhǔn)碼范圍之外時(shí)，校準(zhǔn)控制電路不生成校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，校準(zhǔn)控制電路包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，碼比較器被配置為：當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼未包括在校準(zhǔn)碼范圍中時(shí)，生成異常碼檢測標(biāo)志，并且將異常碼檢測標(biāo)志存儲(chǔ)在模式寄存器中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第一子比較器被配置為：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第二子比較器被配置為：：
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第一校準(zhǔn)碼范圍基于在所述存儲(chǔ)器裝置的操作溫度范圍內(nèi)生成的測試
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第二校準(zhǔn)碼范圍是在與所述存儲(chǔ)器裝置的操作溫度范圍內(nèi)的每個(gè)溫度碼對(duì)應(yīng)的每個(gè)測試阻抗校準(zhǔn)碼周圍指定的范圍。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第二校準(zhǔn)碼范圍被設(shè)置為針對(duì)多個(gè)溫度碼中的每個(gè)相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第二校準(zhǔn)碼范圍被設(shè)置為針對(duì)多個(gè)溫度碼中的每個(gè)而不同。
14.一種存儲(chǔ)器裝置的阻抗校準(zhǔn)方法，所述阻抗校準(zhǔn)方法包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的阻抗校準(zhǔn)方法，還包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的阻抗校準(zhǔn)方法，還包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的阻抗校準(zhǔn)方法，還包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的阻抗校準(zhǔn)方法，其中，第二校準(zhǔn)碼范圍是在與存儲(chǔ)器裝置的操作溫度范圍內(nèi)的多個(gè)溫度碼中的每個(gè)對(duì)應(yīng)的多個(gè)測試阻抗校準(zhǔn)碼中的每個(gè)周圍指定的范圍。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的阻抗校準(zhǔn)方法，其中，第一校準(zhǔn)碼范圍包括與所述多個(gè)測試阻抗校準(zhǔn)碼對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二校準(zhǔn)碼范圍中的全部。
20.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，阻抗校準(zhǔn)電路被配置為：當(dāng)在將新的阻抗校準(zhǔn)碼發(fā)送至校準(zhǔn)控制單元之后的指定時(shí)間內(nèi)未接收到校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志時(shí)，丟棄新的阻抗校準(zhǔn)碼并且維持施加的阻抗校準(zhǔn)碼。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼在校準(zhǔn)碼范圍之外時(shí)，校準(zhǔn)控制電路不生成校準(zhǔn)碼更新標(biāo)志。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，校準(zhǔn)控制電路包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，碼比較器被配置為：當(dāng)新的阻抗校準(zhǔn)碼未包括在校準(zhǔn)碼范圍中時(shí)，生成異常碼檢測標(biāo)志，并且將異常碼檢測標(biāo)志存儲(chǔ)在模式寄存器中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，還包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第一子比較器被配置為：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第二子比較器被配置為：：
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，第一校準(zhǔn)碼范圍基于在所述存儲(chǔ)器裝置的操作溫度范圍內(nèi)生成的測試阻抗校準(zhǔn)碼之中的最小校準(zhǔn)碼和...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：姜永山，李云鎬，鄭貞昊，崔宗圭，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星電子株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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