【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及具有垂直電極結(jié)構(gòu)的顯示裝置及制造顯示裝置的方法。
技術(shù)介紹
1、液晶顯示器(lcd)、有機發(fā)光二極管顯示器(oled)等已被廣泛用作顯示裝置。最近，采用微型發(fā)光器件制造高分辨率顯示裝置的技術(shù)已受到關(guān)注。由于發(fā)光二極管(led)的低功耗和環(huán)保特性，對其的工業(yè)需求不斷增長，并且led不僅用于照明系統(tǒng)或液晶顯示器(lcd)背光，而且用于顯示裝置。在使用微型半導(dǎo)體芯片制造顯示裝置時，拾取和放置方法被廣泛使用來轉(zhuǎn)移微型半導(dǎo)體芯片。然而，隨著微型半導(dǎo)體芯片的尺寸減小和顯示裝置的尺寸增大，這種方法可能導(dǎo)致生產(chǎn)率下降。
2、包括微型半導(dǎo)體芯片的顯示裝置需要多種多樣的技術(shù)，諸如將微型發(fā)光器件轉(zhuǎn)移到所期望的顯示像素位置的轉(zhuǎn)移技術(shù)、修復(fù)工藝、實現(xiàn)所期望的顏色的方法等。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、提供了一種具有垂直電極結(jié)構(gòu)的顯示裝置及制造具有垂直電極結(jié)構(gòu)的顯示裝置的方法。
2、根據(jù)實施方式的一方面，一種顯示裝置包括：顯示基板，包括驅(qū)動電路；陣列層，提供在顯示基板上并且包括多個凹槽；微型半導(dǎo)體芯片，提供在所述多個凹槽中的凹槽中；第二電極，從顯示基板的下表面連接到第一類型半導(dǎo)體層；第一布線，連接到第一電極；以及第二布線，連接到第二電極，微型半導(dǎo)體芯片包括：第一類型半導(dǎo)體層；有源層，提供在第一類型半導(dǎo)體層上；第二類型半導(dǎo)體層，提供在有源層上；以及第一電極，提供在第二類型半導(dǎo)體層上。
3、顯示裝置還可以包括多個微型半導(dǎo)體芯片，所述多個微型半導(dǎo)體芯片中的至少一個微型半導(dǎo)體芯片提
4、顯示基板還可以包括通路孔，微型半導(dǎo)體芯片通過通路孔暴露，第二電極提供在通路孔中。
5、顯示裝置還可以包括反射層，反射層提供在所述多個凹槽中的每個的側(cè)壁上。
6、第一布線可以背對第二電極。
7、在從所述多個凹槽中的一個遺漏微型半導(dǎo)體芯片的情況下，第一布線可以被配置為不接觸第二電極。
8、在平面圖中，第一布線可以具有包括凹入部分的形狀，并且第二電極提供在凹入部分中。
9、第一布線和第二電極可以在平面圖中平行地定位。
10、顯示裝置還可以包括絕緣層，絕緣層在陣列層上，并且絕緣層的最大厚度大于陣列層的厚度。
11、顯示裝置還可以包括顏色轉(zhuǎn)換層，顏色轉(zhuǎn)換層提供在陣列層上并且配置為轉(zhuǎn)換從微型半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光的顏色。
12、根據(jù)本公開的一方面，提供了一種制造顯示裝置的方法，該顯示裝置包括微型半導(dǎo)體芯片，該微型半導(dǎo)體芯片包括第一類型半導(dǎo)體層、提供在第一類型半導(dǎo)體層上的有源層、提供在有源層上的第二類型半導(dǎo)體層、以及提供在第二類型半導(dǎo)體層上的第一電極，該方法包括：在可包括驅(qū)動電路的顯示基板上形成陣列層；在陣列層中形成多個凹槽；將微型半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到所述多個凹槽中的一個，使得第一電極位于所述多個凹槽中的所述一個的上部中；通過從顯示基板的下表面在顯示基板中形成通路孔來暴露微型半導(dǎo)體芯片的第一類型半導(dǎo)體層；在通路孔中形成第二電極并將第二電極連接到第一類型半導(dǎo)體層；以及將第一布線連接到第一電極并且將第二布線連接到第二電極。
13、轉(zhuǎn)移微型半導(dǎo)體芯片包括將至少兩個微型半導(dǎo)體芯片轉(zhuǎn)移到所述多個凹槽中的每個。
14、微型半導(dǎo)體芯片可以通過使用濕自對準(zhǔn)方法轉(zhuǎn)移。
15、該方法還可以包括在所述多個凹槽中的每個的側(cè)壁上形成反射層。
16、第一布線可以不與第二電極重疊。
17、在從所述多個凹槽中的所述一個遺漏微型半導(dǎo)體芯片的情況下，第一布線可以被配置為不接觸第二電極。
18、在平面圖中，第一布線可以具有包括凹入部分的形狀，并且第二電極在凹入部分中。
19、第一布線和第二電極可以在平面圖中平行地定位。
20、該方法還可以包括形成絕緣層，絕緣層在陣列層上，并且絕緣層的最大厚度可以大于陣列層的厚度。
21、該方法還可以包括在陣列層上形成顏色轉(zhuǎn)換層，顏色轉(zhuǎn)換層被配置為轉(zhuǎn)換從微型半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光的顏色。
22、附加方面將在以下描述中部分闡述，并且部分將從描述中是明顯的，或者可以通過實踐本公開的所呈現(xiàn)的非限制性示例實施方式來了解。
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1.一種顯示裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中兩個或更多個微型半導(dǎo)體芯片提供在所述多個凹槽中的每個中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示基板還包括通路孔，所述微型半導(dǎo)體芯片通過所述通路孔暴露，并且所述第二電極提供在所述通路孔中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括反射層，所述反射層提供在所述多個凹槽中的每個的側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一布線背對所述第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在從所述多個凹槽中的一個遺漏所述微型半導(dǎo)體芯片的情況下，所述第一布線配置為不接觸所述第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在平面圖中，所述第一布線具有包括凹入部分的形狀，并且所述第二電極提供在所述凹入部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一布線和所述第二電極在平面圖中平行地定位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括絕緣層，所述絕緣層在所述陣列層上，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示
11.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括微型半導(dǎo)體芯片，所述微型半導(dǎo)體芯片包括第一類型半導(dǎo)體層、提供在所述第一類型半導(dǎo)體層上的有源層、提供在所述有源層上的第二類型半導(dǎo)體層和提供在所述第二類型半導(dǎo)體層上的第一電極，所述方法包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中兩個或更多個微型半導(dǎo)體芯片提供在所述多個凹槽的每個中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述微型半導(dǎo)體芯片通過使用濕自對準(zhǔn)方法轉(zhuǎn)移。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述多個凹槽中的每個的側(cè)壁上形成反射層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一布線不與所述第二電極重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在從所述多個凹槽中的所述一個遺漏所述微型半導(dǎo)體芯片的情況下，所述第一布線被配置為不接觸所述第二電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在平面圖中，所述第一布線具有包括凹入部分的形狀，并且所述第二電極在所述凹入部分中。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一布線和所述第二電極在平面圖中平行地定位。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述陣列層上形成絕緣層，
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述陣列層上形成顏色轉(zhuǎn)換層，所述顏色轉(zhuǎn)換層被配置為轉(zhuǎn)換從所述微型半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光的顏色。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中兩個或更多個微型半導(dǎo)體芯片提供在所述多個凹槽中的每個中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示基板還包括通路孔，所述微型半導(dǎo)體芯片通過所述通路孔暴露，并且所述第二電極提供在所述通路孔中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括反射層，所述反射層提供在所述多個凹槽中的每個的側(cè)壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一布線背對所述第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在從所述多個凹槽中的一個遺漏所述微型半導(dǎo)體芯片的情況下，所述第一布線配置為不接觸所述第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在平面圖中，所述第一布線具有包括凹入部分的形狀，并且所述第二電極提供在所述凹入部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一布線和所述第二電極在平面圖中平行地定位。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括絕緣層，所述絕緣層在所述陣列層上，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括顏色轉(zhuǎn)換層，所述顏色轉(zhuǎn)換層提供在所述陣列層上并且配置為轉(zhuǎn)換從所述微型半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光的顏色。
11.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括微型半導(dǎo)體芯片...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃京旭，黃俊式，宋相勛，樸俊勇，
申請(專利權(quán))人：三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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