【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)屬于雙向逆變電路，尤其涉及一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐贰⒎椒按鎯?chǔ)介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、當(dāng)前逆變電源技術(shù)為全橋llc諧振雙向逆變拓?fù)涞碾娐奉愋途哂邢鄬?duì)較高的功率密度，能以比較小的體積實(shí)現(xiàn)大功率輸出。但llc諧振變換器工作有個(gè)特點(diǎn)，是開(kāi)關(guān)頻率高于電路諧振器的諧振頻率，也就是開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)滯后于輸出整流電流一定角度。例如，當(dāng)逆變器進(jìn)行高壓側(cè)到低壓側(cè)能量傳遞時(shí)，高壓側(cè)的四組mos管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，給回路切入高頻方波能量，此時(shí)低壓側(cè)四組mos管應(yīng)該處于整流狀態(tài)。此時(shí)如果想驅(qū)動(dòng)低壓側(cè)四個(gè)mos管完全跟隨它們的體二極管電流相位以實(shí)現(xiàn)同步整流效果，那么，回路的分布電感將會(huì)難于測(cè)定，并且回路的電感電容會(huì)隨產(chǎn)品使用時(shí)間出現(xiàn)一定的衰減，這就造成無(wú)法得知準(zhǔn)確的回路諧振頻率點(diǎn)，也就很難通過(guò)高壓側(cè)的驅(qū)動(dòng)工作頻率，用算法推導(dǎo)出精確的低壓側(cè)同步驅(qū)動(dòng)信號(hào)。因而目前普遍做法都是關(guān)閉低壓側(cè)的同步驅(qū)動(dòng)，僅僅采用mos管體二極管組成的整流電路來(lái)整流，從而使得能效被大大降低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐贰⒎椒按鎯?chǔ)介質(zhì)，通過(guò)在數(shù)字電源全橋llc雙向逆變拓?fù)渖显鲈O(shè)第一和第二同步整流信號(hào)處理電路，實(shí)現(xiàn)了由mcu驅(qū)動(dòng)單元與第一或第二同步整流信號(hào)處理電路的控制權(quán)轉(zhuǎn)移，大大提升了雙向llc逆變的同步整流轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚鲭娐钒ǎ簃cu驅(qū)動(dòng)單元、高
3、所述高壓側(cè)電路包括第一功率開(kāi)關(guān)電路、第一驅(qū)動(dòng)模塊、高壓側(cè)諧振腔回路和第一同步整流信號(hào)處理電路；其中，第一驅(qū)動(dòng)模塊的一端與mcu驅(qū)動(dòng)單元的一端連接，第一驅(qū)動(dòng)模塊的另一端與第一功率開(kāi)關(guān)電路的第一端連接，第一功率開(kāi)關(guān)電路的第二端經(jīng)過(guò)所述高壓側(cè)諧振腔回路后與變壓器的高壓側(cè)連接，所述變壓器的高壓側(cè)還與第一同步整流信號(hào)處理電路的一端連接，第一同步整流信號(hào)處理電路的另一端與所述第一驅(qū)動(dòng)模塊的一端連接；第一功率開(kāi)關(guān)電路的第三端與所述第一同步整流信號(hào)處理電路連接。
4、所述低壓側(cè)電路包括第二功率開(kāi)關(guān)電路、第二驅(qū)動(dòng)模塊和第二同步整流信號(hào)處理電路；其中，第二功率開(kāi)關(guān)電路的第一端與變壓器的低壓側(cè)連接，第二功率開(kāi)關(guān)電路的第二端與第二驅(qū)動(dòng)模塊的一端連接，第二驅(qū)動(dòng)模塊的另一端與mcu驅(qū)動(dòng)單元的另一端連接，所述第二驅(qū)動(dòng)模塊的另一端還與第二同步整流信號(hào)處理電路的一端連接，第二同步整流信號(hào)處理電路的另一端與所述變壓器的低壓側(cè)連接，第二功率開(kāi)關(guān)電路的第三端與所述第二同步整流信號(hào)處理電路連接。
5、在本申請(qǐng)中，所述第一功率開(kāi)關(guān)電路至少包括：模擬開(kāi)關(guān)模塊一、模擬開(kāi)關(guān)模塊二、模擬開(kāi)關(guān)模塊三和模擬開(kāi)關(guān)模塊四；所述第一驅(qū)動(dòng)模塊至少包括：驅(qū)動(dòng)芯片一和驅(qū)動(dòng)芯片二；所述mcu驅(qū)動(dòng)單元的一端包括端口一和端口二。
6、其中，所述端口一分別與驅(qū)動(dòng)芯片一的第3引腳，以及驅(qū)動(dòng)芯片二的第2引腳連接，所述端口二分別與驅(qū)動(dòng)芯片一的第2引腳，以及驅(qū)動(dòng)芯片二的第3引腳連接；驅(qū)動(dòng)芯片一的第7引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊一的一端連接，驅(qū)動(dòng)芯片一的第5引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊二的一端連接，模擬開(kāi)關(guān)模塊一的另一端與模擬開(kāi)關(guān)模塊二的另一端連接，還與驅(qū)動(dòng)芯片一的第6引腳連接，所述模擬開(kāi)關(guān)模塊一的另一端還與所述高壓側(cè)諧振腔回路連接；驅(qū)動(dòng)芯片二的第7引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊三的一端連接，驅(qū)動(dòng)芯片二的第5引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊四的一端連接，模擬開(kāi)關(guān)模塊三的另一端與模擬開(kāi)關(guān)模塊四的另一端連接，還與驅(qū)動(dòng)芯片二的第6引腳連接，所述模擬開(kāi)關(guān)模塊三的另一端還與所述第一同步整流信號(hào)處理電路連接。
7、在本申請(qǐng)中，在所述高壓側(cè)諧振腔回路至少包括電容c1和電感l(wèi)1；所述高壓側(cè)諧振腔回路由所述電容c1、電感l(wèi)1和變壓器的高壓側(cè)連接構(gòu)成。
8、其中，電容c1的一端與所述驅(qū)動(dòng)芯片一的第6引腳連接，電容c1的一端與電感l(wèi)1的一端連接，電感l(wèi)1的另一端與所述變壓器的高壓側(cè)連接。
9、在本申請(qǐng)中，所述第一同步整流信號(hào)處理電路至少包括第一電流互感器、第一比較器和第一反相器；其中，所述第一比較器包括比較器一和比較器二，所述第一反相器包括反相器一和反相器二。
10、第一電流互感器的一級(jí)側(cè)與驅(qū)動(dòng)芯片二的第6引腳連接，還與所述變壓器的高壓側(cè)連接；第一電流互感器的二級(jí)側(cè)與比較器一的輸入端連接，比較器一的輸出端與反相器一的輸入端連接，反相器一的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)芯片一的第3引腳連接，所述反相器一的輸出端還與所述驅(qū)動(dòng)芯片二的第2引腳連接；所述第一電流互感器的二級(jí)側(cè)還與比較器二的輸入端連接，比較器二的輸出端與反相器二的輸入端連接，反相器二的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)芯片一的第2引腳連接，所述反相器二的輸出端還與所述驅(qū)動(dòng)芯片二的第3引腳連接。
11、在本申請(qǐng)中，所述第二功率開(kāi)關(guān)電路至少包括：模擬開(kāi)關(guān)模塊五、模擬開(kāi)關(guān)模塊六、模擬開(kāi)關(guān)模塊七和模擬開(kāi)關(guān)模塊八；所述第二驅(qū)動(dòng)模塊至少包括：驅(qū)動(dòng)芯片三和驅(qū)動(dòng)芯片四；所述mcu驅(qū)動(dòng)單元的另一端包括端口三和端口四。
12、其中，所述端口三分別與驅(qū)動(dòng)芯片三的第3引腳，以及驅(qū)動(dòng)芯片四的第2引腳連接，所述端口四分別與驅(qū)動(dòng)芯片三的第2引腳，以及驅(qū)動(dòng)芯片四的第3引腳連接；驅(qū)動(dòng)芯片三的第7引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊五的一端連接，驅(qū)動(dòng)芯片三的第5引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊六的一端連接，模擬開(kāi)關(guān)模塊五的另一端與模擬開(kāi)關(guān)模塊六的另一端連接，還與驅(qū)動(dòng)芯片三的第6引腳連接，所述模擬開(kāi)關(guān)模塊五的另一端還與所述變壓器的低壓側(cè)連接；驅(qū)動(dòng)芯片四的第7引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊七的一端連接，驅(qū)動(dòng)芯片四的第5引腳與模擬開(kāi)關(guān)模塊八的一端連接，模擬開(kāi)關(guān)模塊七的另一端與模擬開(kāi)關(guān)模塊八的另一端連接，還與驅(qū)動(dòng)芯片四的第6引腳連接，所述模擬開(kāi)關(guān)模塊七的另一端還與所述第二同步整流信號(hào)處理電路連接。
13、在本申請(qǐng)中，所述第二同步整流信號(hào)處理電路至少包括第二電流互感器、第二比較器和第二反相器；其中，所述第二比較器包括比較器三和比較器四，所述第二反相器包括反相器三和反相器四。
14、第二電流互感器的一級(jí)側(cè)與驅(qū)動(dòng)芯片四的第6引腳連接，還與所述變壓器的低壓側(cè)連接；第二電流互感器的二級(jí)側(cè)與比較器三的輸入端連接，比較器三的輸出端與反相器三的輸入端連接，反相器三的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)芯片三的第3引腳連接，所述反相器三的輸出端還與所述驅(qū)動(dòng)芯片四的第2引腳連接；所述第二電流互感器的二級(jí)側(cè)還與比較器四的輸入端連接，比較器四的輸出端與反相器四的輸入端連接，反相器四的輸出端與所述驅(qū)動(dòng)芯片三的第2引腳連接，所述反相器四的輸出端還與所述驅(qū)動(dòng)芯片四的第3引腳連接。
15、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)還提供了一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂品椒ǎ瑧?yīng)用于上述任一所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚龇椒òǎ?/p>
16、當(dāng)能量從所述高壓側(cè)電路向所述低壓側(cè)電路流動(dòng)時(shí)，通過(guò)所述mcu驅(qū)動(dòng)單元的一端輸出第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第一功率開(kāi)關(guān)電路進(jìn)入第一工作模式，使得從第一功率開(kāi)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚ǎ篗CU驅(qū)動(dòng)單元、高壓側(cè)電路、變壓器和低壓側(cè)電路；其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢龅谝还β书_(kāi)關(guān)電路至少包括：模擬開(kāi)關(guān)模塊一、模擬開(kāi)關(guān)模塊二、模擬開(kāi)關(guān)模塊三和模擬開(kāi)關(guān)模塊四；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
7.一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂品椒ǎ瑧?yīng)用于權(quán)利要求1~6任一所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢ǎ?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種雙向逆變LLC電路拓?fù)涞耐秸骺刂品椒ǎ涮卣髟谟冢?/p>
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種雙向逆變...
【技術(shù)特征摘要】
1.一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚ǎ簃cu驅(qū)動(dòng)單元、高壓側(cè)電路、變壓器和低壓側(cè)電路；其特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢龅谝还β书_(kāi)關(guān)電路至少包括：模擬開(kāi)關(guān)模塊一、模擬開(kāi)關(guān)模塊二、模擬開(kāi)關(guān)模塊三和模擬開(kāi)關(guān)模塊四；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂齐娐罚涮卣髟谟冢?/p>
7.一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸骺刂品椒ǎ瑧?yīng)用于權(quán)利要求1~6任一所述的一種雙向逆變llc電路拓?fù)涞耐秸?..
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韋理斌，樂(lè)云，楊思齊，任素云，戴清明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：惠州市藍(lán)微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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