【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及電力電子，尤其涉及一種倍頻器。
技術介紹
1、時鐘振蕩器負責產(chǎn)生時鐘信號。時鐘振蕩器在低頻下容易控制精度，但在高頻下控制精度易受到干擾，導致時鐘信號的穩(wěn)定性和準確性下降。
2、倍頻器是一種能夠?qū)⑤斎胄盘柕念l率增加到原始頻率的倍數(shù)的電路。時鐘振蕩器與倍頻器的結合是一種實現(xiàn)高頻時鐘信號精確控制的關鍵技術：時鐘振蕩器負責產(chǎn)生穩(wěn)定的低頻時鐘信號，而倍頻器則負責對低頻時鐘信號進行頻率倍增，以滿足高頻應用的需求。
3、然而，現(xiàn)有的倍頻器存在電路結構復雜、成本高的問題。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒于上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N倍頻器，以實現(xiàn)簡化倍頻器的電路結構、降低成本的目的。具體方案如下：
2、本申請?zhí)峁┮环N倍頻器，包括：雙輸入或非門、第一低通濾波器、雙輸入異或門、第一pmos管、n型fdsoi晶體管、比較器、第一電容以及遲滯比較器；
3、其中，雙輸入或非門的第一輸入端用于接收使能信號；使能信號為低電平有效；
4、雙輸入或非門的第二輸入端作為倍頻器的輸入端，用于接收時鐘信號；
5、雙輸入或非門的輸出端與第一低通濾波器的輸入端和雙輸入異或門的第一輸入端相連；
6、第一低通濾波器的輸出端與雙輸入異或門的第二輸入端相連；
7、雙輸入異或門的輸出端與第一pmos管的柵極和n型fdsoi晶體管的柵極相連；
8、第一pmos管的漏極接n型fdsoi晶體管的漏極、比較器的輸入端、第一電容的一端以及遲
9、比較器的基準端用于接收基準電壓；比較器的輸出端與n型fdsoi晶體管的背柵相連；
10、遲滯比較器的輸出端作為倍頻器的輸出端；
11、雙輸入或非門的電源端、第一pmos管的源極以及遲滯比較器的電源端相連，用于接收電源信號；
12、雙輸入或非門的接地端、第一低通濾波器的接地端、n型fdsoi晶體管的源極、第一電容的另一端以及遲滯比較器的接地端均接地。
13、在一種可能的實現(xiàn)中，雙輸入或非門包括：第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管和第二nmos管；
14、其中，第二pmos管的源極為雙輸入或非門的電源端；
15、第二pmos管的柵極為雙輸入或非門的第一輸入端；
16、第二pmos管的漏極接第三pmos管的源極；
17、第三pmos管的柵極為雙輸入或非門的第二輸入端；
18、第三pmos管的漏極接第一nmos管的漏極和第二nmos管的漏極；
19、第一nmos管的柵極接第二pmos管的柵極；
20、第二nmos管的柵極接第三pmos管的柵極；
21、第一nmos管的源極和第二nmos管的源極相連，作為雙輸入或非門的接地端。
22、在一種可能的實現(xiàn)中，第一低通濾波器為rc低通濾波器。
23、在一種可能的實現(xiàn)中，遲滯比較器包括：第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第三nmos管、第四nmos管和第五nmos管；
24、其中，第四pmos管的源極和第五nmos管的漏極相連，作為遲滯比較器的電源端；
25、第四pmos管的柵極、第五pmos管的柵極、第三nmos管的柵極和第四nmos管的柵極相連，作為遲滯比較器的輸入端；
26、第四pmos管的漏極接第五pmos管的源極和第六pmos管的源極；
27、第五pmos管的漏極與第三nmos管的漏極、第六pmos管的柵極和第五nmos管的柵極相連，作為遲滯比較器的輸出端；
28、第三nmos管的源極接第四nmos管的漏極和第五nmos管的源極；
29、第四nmos管的源極和第六pmos管的漏極相連，作為遲滯比較器的接地端。
30、在一種可能的實現(xiàn)中，n型fdsoi晶體管為采用fdsoi工藝的翻轉(zhuǎn)阱結構的管子。
31、在一種可能的實現(xiàn)中，所述翻轉(zhuǎn)阱結構的管子的背柵電壓調(diào)節(jié)范圍為0~2v；當比較器輸出低電平時，所述翻轉(zhuǎn)阱結構的管子的背柵電壓降低為0v；當比較器輸出高電平時，所述翻轉(zhuǎn)阱結構的管子的背柵增加至2v。
32、在一種可能的實現(xiàn)中，所述倍頻器還包括：第二低通濾波器；
33、其中，第二低通濾波器的輸入端接比較器的輸出端；
34、第二低通濾波器的輸出端接n型fdsoi晶體管的背柵；
35、第二低通濾波器的接地端接地。
36、在一種可能的實現(xiàn)中，第二低通濾波器為rc低通濾波器。
37、在一種可能的實現(xiàn)中，所述倍頻器還包括：第一反相器和第二反相器；
38、其中，第一反相器的輸入端接第一低通濾波器的輸出端；第一反相器的輸出端接第二反相器的輸入端；第二反相器的輸出端接雙輸入異或門的第二輸入端。
39、借由上述技術方案，本申請?zhí)峁┑谋额l器中的雙輸入或非門根據(jù)使能信號和時鐘信號控制第一低通濾波器的充電過程，使第一低通濾波器產(chǎn)生相位延遲，再利用雙輸入異或門實現(xiàn)輸入時鐘信號的頻率倍增；第一pmos管和n型fdsoi晶體管根據(jù)雙輸入異或門的輸出信號控制第一電容的充放電；比較器根據(jù)第一電容兩端電壓與基準電壓的比較結果，調(diào)節(jié)n型fdsoi晶體管的背柵電壓，n型fdsoi晶體管的導通阻抗通過背柵電壓調(diào)制，從而改變第一電容放電速度；遲滯比較器對第一電容兩端電壓進行整形同時增強對噪聲的抵抗力，最終輸出占空比可變的兩倍頻時鐘信號。本申請?zhí)峁┑谋额l器電路結構簡單、成本低。
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1.一種倍頻器，其特征在于，包括：雙輸入或非門（100）、第一低通濾波器（200）、雙輸入異或門（XOR0）、第一PMOS管（P2）、N型FDSOI晶體管（M2）、比較器（COMP1）、第一電容（C2）以及遲滯比較器（300）；
2.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，雙輸入或非門（100）包括：第二PMOS管（P0）、第三PMOS管（P1）、第一NMOS管（M0）和第二NMOS管（M1）；
3.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，第一低通濾波器（200）為RC低通濾波器。
4.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，遲滯比較器（300）包括：第四PMOS管（P3）、第五PMOS管（P4）、第六PMOS管（P5）、第三NMOS管（M3）、第四NMOS管（M4）和第五NMOS管（M5）；
5.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，N型FDSOI晶體管（M2）為采用FDSOI工藝的翻轉(zhuǎn)阱結構的管子。
6.根據(jù)權利要求5所述的倍頻器，其特征在于，所述翻轉(zhuǎn)阱結構的管子的背柵電壓調(diào)節(jié)范圍為0~2V；當比較器（COMP1）
7.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的倍頻器，其特征在于，所述倍頻器還包括：第二低通濾波器（400）；
8.根據(jù)權利要求7所述的倍頻器，其特征在于，第二低通濾波器（400）為RC低通濾波器。
9.根據(jù)權利要求1至6中任意一項所述的倍頻器，其特征在于，所述倍頻器還包括：第一反相器和第二反相器；
...【技術特征摘要】
1.一種倍頻器，其特征在于，包括：雙輸入或非門（100）、第一低通濾波器（200）、雙輸入異或門（xor0）、第一pmos管（p2）、n型fdsoi晶體管（m2）、比較器（comp1）、第一電容（c2）以及遲滯比較器（300）；
2.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，雙輸入或非門（100）包括：第二pmos管（p0）、第三pmos管（p1）、第一nmos管（m0）和第二nmos管（m1）；
3.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，第一低通濾波器（200）為rc低通濾波器。
4.根據(jù)權利要求1所述的倍頻器，其特征在于，遲滯比較器（300）包括：第四pmos管（p3）、第五pmos管（p4）、第六pmos管（p5）、第三nmos管（m3）、第四nmos管（m4）和第五nmos管...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：郝炳賢，王云，馬玫娟，楊娜，
申請(專利權)人：中國科學院微電子研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：
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