【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶爐，尤其是涉及一種單晶爐真空過濾裝置及過濾振打方法。
技術介紹
1、單晶爐是一種在惰性氣體（如氬氣、氮氣、氦氣）環境中，利用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，并通過直拉法生長無錯位單晶的設備。
2、在單晶的生產過程中，單晶爐的狀態主要包括第一狀態和第二狀態。其中，第一狀態為單晶拉制過程；單晶拉制過程包括首投階段和多次復投階段，也就是說首投階段結束之后即進入第一次復投階段，第一次復投階段結束后即進入第二次復投階段，第二次復投階段結束后即進入第三次復投階段。如此反復，直至整個單晶拉制過程結束（單晶拉制過程大約需要經歷6-7次復投，或是更長，具體運行時間以單晶拉制狀態決定）。第二狀態為單晶爐停爐后的狀態，第一狀態結束后即進入第二狀態；也就是說單晶拉制過程結束之后即進入停爐狀態。上述所述的首投階段包括首投（首次投料）、熔化、單晶生長、降溫、取出單晶等步驟；復投階段包括復投（再次投料）、熔化、單晶生長、降溫、取出單晶等步驟；停爐狀態包括降溫、清理和換爐等步驟。在單晶拉制過程中會產生大量的氧化物，產生的氧化物和在單晶拉制過程中持續充入的惰性氣體（如氬氣）聚集在單晶爐內，為了使單晶爐內保持一定的真空度，需要利用干泵對單晶爐進行抽空，在進行抽取的過程中空氣進入到過濾裝置中，然后利用過濾裝置對氣體進行過濾，最后過濾后的氣體排出過濾裝置外，過濾掉的固體則置于過濾裝置中。
3、目前現有技術中的過濾裝置通常包括過濾罐，過濾罐內設置有過濾布袋，過濾布袋的上方也即是過濾罐的頂部設置有氣缸。在單晶爐的第一狀態和第二狀
4、上述過濾裝置雖然達到了較佳的過濾效果，但在實際應用中發現由于氣缸在單晶爐的第一狀態和第二狀態中始終以180s/2次的頻次持續對過濾布袋進行振打，氣缸長時間以同一個頻次實施振打動作不僅急劇消耗過濾裝置，還會影響單晶的正常拉制和造成干泵過載停機的情況。具體為：在單晶爐的第一狀態和第二狀態中氣缸始終以180s/2次的頻次對過濾布袋進行振打，隨著時間的推移，特別是在中后期，堆積在過濾布袋上的顆粒物逐漸增多，而以氣缸現有的振打頻次又振打不掉過濾布袋上的顆粒物時，就會使過濾布袋對氣體的過濾能力減小，從而導致單晶爐內的氣壓增大，單晶爐內的氣壓過大不僅會影響單晶的正常拉制還會為了使單晶爐內氣壓保持在一定數值范圍內，而造成干泵不得不長期處于滿頻率運行的狀態，從而導致干泵過載停機的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種單晶爐真空過濾裝置及過濾振打方法，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。
2、本專利技術采用的技術方案是：
3、一種單晶爐真空過濾振打方法，所述單晶爐配套有真空過濾裝置，所述真空過濾裝置中具有過濾布袋，所述過濾振打方法包括：
4、當單晶爐處于第一狀態時，對所述過濾布袋執行間隔振打操作；及
5、當單晶爐處于第二狀態時，對所述過濾布袋執行定時持續振打操作；
6、其中，所述第一狀態為單晶爐處于單晶拉制時的狀態，所述第二狀態為單晶爐處于停爐后的狀態。
7、可選的，對所述過濾布袋執行間隔振打操作進一步包括：
8、步驟s11：當單晶爐復投結束后，關閉連接單晶爐與真空過濾裝置之間的主球閥，使惰性氣體流量值保持在一定范圍內；
9、步驟s12:對所述過濾布袋以一定方式進行振打；
10、步驟s13:當單晶爐內的氣壓達到一定數值時，打開步驟s11中的主球閥并隨后停止對過濾布袋振打。
11、可選的，所述步驟s11中的所述一定范圍為100-200slpm，和\或
12、所述步驟s12中的所述一定方式為0.5s/次的頻率，間隔時間為3-8s，和\或
13、所述步驟s13中的所述一定數值為20-40torr。
14、可選的，對所述過濾布袋執行定時持續振打操作進一步包括：
15、步驟s21:當單晶爐停爐后，對所述單晶爐執行降溫操作；
16、步驟s22:降溫結束后，關閉連接單晶爐與真空過濾裝置之間的主球閥；
17、步驟s23:對所述過濾布袋以一定方式連續振打一段時間后停止振打。
18、可選的，
19、所述步驟s23中的所述一定方式為0.5s/次的頻率，間隔時間為3-8s，和\或
20、所述步驟s23中的所述一段時間為0.5-3min。
21、可選的，一種單晶爐真空過濾裝置，包括：
22、過濾罐，位于所述單晶爐一側，其內具有空腔，所述過濾罐的入口通過第一管道與所述單晶爐內部連通，所述過濾罐的出口通過第二管道與干泵連通；
23、過濾布袋，設置在所述過濾罐空腔內；
24、氣缸，貫穿設置在所述過濾罐上，其輸出端能夠在一定條件下以一定方式間隔動作于所述過濾布袋和在另一條件下以一定方式定時持續動作于所述過濾布袋。
25、可選的，還包括：
26、設置在所述過濾罐空腔內的至少一個振打板；
27、所述振打板的一側通過彈簧與所述過濾罐內頂壁連接，其自由懸吊在所述過濾罐內；
28、所述振打板的另一側與所述過濾布袋的上端相連接，所述氣缸通過所述振打板動作于所述過濾布袋上。
29、可選的，還包括：
30、所述過濾布袋的數量為多個，它們以成組的形式排列在所述過濾罐內；
31、所述氣缸的數量及所述振打板的數量為多個，每一組過濾布袋的上端共同連接于其中一個振打板，所述一個振打板對應一個氣缸。
32、可選的，所述振打板上正對于所述氣缸輸出端的位置設置有圓臺，所述氣缸通過所述圓臺作用于所述振打板上。
33、可選的，所述過濾布袋外形為圓柱狀，其底部為開口結構，頂部為閉口結構。。
34、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：
35、在本專利技術中，將氣缸的振打方式由原來的氣缸在單晶爐的第一狀態和第二狀態中始終以180s/2次的頻次持續振打的方式改變成現在的只有當單晶爐進入復投階段的復投結束步驟和單晶爐進入停爐狀態的降溫結束步驟時氣缸才以一定方式進行振打動作。這種氣缸振打方式的改變不僅將現有的氣缸振打次數較原有的氣缸振打次數降低了幾倍，很大程度上提高了振打效果，保證了單晶生長環境的壓力控制平穩和單晶生長環境的溫度控制平穩，還延長了過濾裝置的使用壽命。按照本專利技術中公開的氣缸振打方式進行振打，每次振打后干泵頻率都能回到較低的頻率，避免干泵滿頻出現過載、跳停等故障，降低了干泵的運行能耗。解決了現有技術中的問題。
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1.一種單晶爐真空過濾振打方法，所述單晶爐配套有真空過濾裝置，所述真空過濾裝置中具有過濾布袋，其特征在于，所述過濾振打方法包括：當單晶爐處于第一狀態時，對所述過濾布袋執行間隔振打操作；及
2.根據權利要求1所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于，對所述過濾布袋執行間隔振打操作進一步包括：步驟S11：當單晶爐復投結束后，關閉連接單晶爐與真空過濾裝置之間的主球閥，使惰性氣體流量值保持在一定范圍內；
3.根據權利要求2所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于：所述步驟S11中的所述一定范圍為100-200Slpm，和\或所述步驟S12中的所述一定方式為0.5S/次的頻率，間隔時間為3-8S，和\或
4.根據權利要求1所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于，對所述過濾布袋執行定時持續振打操作進一步包括：
5.根據權利要求4所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于：
6.一種單晶爐真空過濾裝置，用以實現權利要求1~5中任意一項所述的方法，其特征在于，包括：過濾罐，位于所述單晶爐一側，其內具有空腔，所述過濾罐的入口通過第一管道與
7.根據權利要求6所述的單晶爐真空過濾裝置，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求7所述的單晶爐真空過濾裝置，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求7所述的單晶爐真空過濾裝置，其特征在于，所述振打板上正對于所述氣缸輸出端的位置設置有圓臺，所述氣缸通過所述圓臺作用于所述振打板上。
10.根據權利要求6所述的單晶爐真空過濾裝置，其特征在于，所述過濾布袋外形為圓柱狀，其底部為開口結構，頂部為閉口結構。
...【技術特征摘要】
1.一種單晶爐真空過濾振打方法，所述單晶爐配套有真空過濾裝置，所述真空過濾裝置中具有過濾布袋，其特征在于，所述過濾振打方法包括：當單晶爐處于第一狀態時，對所述過濾布袋執行間隔振打操作；及
2.根據權利要求1所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于，對所述過濾布袋執行間隔振打操作進一步包括：步驟s11：當單晶爐復投結束后，關閉連接單晶爐與真空過濾裝置之間的主球閥，使惰性氣體流量值保持在一定范圍內；
3.根據權利要求2所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于：所述步驟s11中的所述一定范圍為100-200slpm，和\或所述步驟s12中的所述一定方式為0.5s/次的頻率，間隔時間為3-8s，和\或
4.根據權利要求1所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于，對所述過濾布袋執行定時持續振打操作進一步包括：
5.根據權利要求4所述的單晶爐真空過濾振打方法，其特征在于：
6.一...
【專利技術屬性】
技術研發人員：賴廷波，袁國洪，胡楚漢，周洪富，李寶飛，
申請(專利權)人：四川永祥光伏科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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