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    基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng)技術(shù)方案

    技術(shù)編號:44075322 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-01-17 16:10
    本發(fā)明專利技術(shù)屬于激光高溫測量技術(shù)領(lǐng)域,公開了基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),包括:LIBS加熱裝置;控溫裝置;基材姿態(tài)調(diào)整裝置;光譜調(diào)制探測裝置。本發(fā)明專利技術(shù)采用上述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),通過激光的精確控制,在基材表面產(chǎn)生極小的擊穿區(qū)域,瞬間升溫,促使基材中的原子或分子被激發(fā),產(chǎn)生光譜信號,實(shí)現(xiàn)對基材局部的即時(shí)分析和樣品狀態(tài)的快速捕捉,避免對整個(gè)基材進(jìn)行分析,節(jié)約時(shí)間和成本;同時(shí),激光束直接照射到基材表面進(jìn)行分析,無需與基材直接接觸,避免了對基材的損壞和污染,也消除了水蒸氣和二氧化碳的光譜污染。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及激光高溫測量,尤其涉及基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),利用ftir測量并獲取樣本的透射光譜,通過對透射光譜的深入分析,能夠有效辨識出材料輻射特性的基礎(chǔ)參數(shù)。


    技術(shù)介紹

    1、在結(jié)構(gòu)傳熱特性分析與防熱設(shè)計(jì)中,接觸熱阻是重要參數(shù)之一,其取值準(zhǔn)確與否直接關(guān)系到熱控設(shè)計(jì)的質(zhì)量。接觸熱阻是一個(gè)受溫度、載荷、介質(zhì)、材料熱物性、表面粗糙度、材料機(jī)械特征、材料表面性質(zhì)、環(huán)境等眾多因素耦合影響的非線性問題。現(xiàn)有的理論模型難以用于實(shí)踐,過高或過低估計(jì)接觸界面間的熱阻都會對結(jié)構(gòu)傳熱產(chǎn)生影響,嚴(yán)重時(shí)會導(dǎo)致結(jié)構(gòu)使用效率低下或引發(fā)安全隱患。

    2、接觸熱阻測量方法分為穩(wěn)態(tài)測量方法和瞬態(tài)測量方法兩種。穩(wěn)態(tài)法裝置簡單、方法成熟,但測量時(shí)間長。瞬態(tài)法包括激光光熱測量法、熱成像法、flash閃光法等,其優(yōu)點(diǎn)是響應(yīng)快、非接觸、測量樣件的尺寸可以小到納米數(shù)量級,但其測量過程易受各種因素影響,且公式推導(dǎo)相對復(fù)雜,測量精度也難以保證。

    3、因此,亟待需要一種避免與測量基材接觸,快速實(shí)現(xiàn)對基材輻射特性基礎(chǔ)參數(shù)的高溫測量系統(tǒng),來彌補(bǔ)傳統(tǒng)接觸熱阻測量方法的技術(shù)缺陷。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的是提供基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),通過激光的精確控制,實(shí)現(xiàn)對樣品狀態(tài)的快速捕捉和分析。激光脈沖產(chǎn)生的高溫是一個(gè)瞬態(tài)過程,這種快速響應(yīng)的能力使得libs技術(shù)非常適合用于需要實(shí)時(shí)監(jiān)測和快速?zèng)Q策的場合,如工業(yè)生產(chǎn)中的質(zhì)量控制和故障分析,實(shí)現(xiàn)對基材局部的即時(shí)分析,快速獲取元素信息,避免對整個(gè)基材進(jìn)行分析,節(jié)約時(shí)間和成本;同時(shí),激光束直接照射到基材表面進(jìn)行分析,無需與基材直接接觸,避免了對基材的損壞和污染,也消除了水蒸氣和二氧化碳的光譜污染;本專利技術(shù)中高溫測量的優(yōu)點(diǎn)在于libs技術(shù)能夠激發(fā)極高溫度的環(huán)境,libs技術(shù)通過聚焦后的脈沖激光燒蝕激發(fā)原件,產(chǎn)生瞬態(tài)高溫等離子體,這使得它能夠在一些傳統(tǒng)測溫技術(shù)無法勝任的高溫環(huán)境中發(fā)揮重要作用。

    2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)提供了基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),包括:

    3、(1)libs加熱裝置包括:激光器、激光反射鏡、收光透鏡、光纖、光譜儀;

    4、libs通過聚焦后的脈沖激光直接作用基材表面,使溫度迅速上升,局部高溫的基材瞬間熔化和蒸發(fā),產(chǎn)生等離子體;

    5、(2)控溫裝置:升溫區(qū)間為300-3400k,加熱過程中保證設(shè)置溫度與控溫溫度之差小于3%,使加熱功率保持平穩(wěn);

    6、(3)基材姿態(tài)調(diào)整裝置:基于鉬制試件支架,對基材姿態(tài)進(jìn)行調(diào)整;

    7、(4)光譜調(diào)制探測裝置:利用ftir對基材輻射特性基礎(chǔ)參數(shù)的辨識。

    8、優(yōu)選的,在libs加熱裝置中,所述激光器產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)所需能量高且功率密度大的激光脈沖;

    9、所述激光反射鏡改變激光脈沖光路,沿著與基材垂直方向經(jīng)聚焦透鏡聚焦到一點(diǎn)后作用到基材上;

    10、所述收光透鏡收集等離子體激發(fā)產(chǎn)生的光;

    11、所述光纖傳輸收光透鏡收集的光到光譜儀。

    12、優(yōu)選的,所述libs加熱裝置配備預(yù)真空設(shè)備、回填氬氣設(shè)備、水冷設(shè)備、溫度測量設(shè)備。

    13、優(yōu)選的,所述鉬制試件支架由載物臺、承重平衡板和彈性密封圈組成;在熱態(tài)下,鉬制試件支架能夠±180°旋轉(zhuǎn),精度為0.01°,鉬制試件支架的旋轉(zhuǎn)操作完全由計(jì)算機(jī)通過指令控制步進(jìn)電機(jī)來實(shí)現(xiàn)。

    14、優(yōu)選的,所述載物臺包含卡槽和支撐結(jié)構(gòu),使基材在隨鉬制試件支架轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)不發(fā)生滑移;

    15、所述承重平衡板通過杠桿原理,利用多層承重平衡板調(diào)整鉬制試件支架的水平姿態(tài),確保載物臺的水平承載基材;

    16、在鉬制試件支架旋轉(zhuǎn)過程中,彈性密封圈使加熱室始終與外界隔絕,保證加熱室內(nèi)的高壓氬氣氛圍。

    17、優(yōu)選的,利用ftir對基材輻射特性基礎(chǔ)參數(shù)的辨識,具體步驟如下:

    18、s1、光源發(fā)出的光進(jìn)入干涉儀后,一半能量透過分束器照射到動(dòng)鏡上,再由動(dòng)鏡反射回分束器;另一半能量經(jīng)過靜鏡的多次反射再次回到分束器;

    19、s2、經(jīng)過分束器調(diào)制,兩分束光之間產(chǎn)生干涉,通過傅里葉變換得到干涉圖譜,再經(jīng)傅里葉逆變換得到光譜分布圖;

    20、s3、通過光電檢測器將檢測到的輻射能量轉(zhuǎn)換為響應(yīng)電壓信號并輸出。

    21、優(yōu)選的,所述光電檢測器包括:ingaas二極管光電檢測器,探測范圍0.85-2.5μm,噪聲等效功率nep<2×10-14w·hz-1/2;

    22、dlatgs熱釋檢測器,探測范圍0.8-28.6μm,比探測率d*>4×108cm·hz-1/2·w-1。

    23、優(yōu)選的,通過檢測光源信號電壓響應(yīng)u0,λ和透射信號電壓響應(yīng)ut,λ,獲得樣片的法向-法向透射比,如下所示:

    24、

    25、其中,u0,λ為光源信號電壓響應(yīng),ut,λ為透射信號電壓響應(yīng)。

    26、優(yōu)選的,偏移距離δ與入射光束會聚角度之間的關(guān)系式,如下所示:

    27、

    28、優(yōu)選的,單層介質(zhì)的透射比,如下所示:

    29、

    30、透射率如下所示:

    31、

    32、界面反射率如下所示:

    33、

    34、其中,τt表示單層介質(zhì)的透射比,κ表示材料的吸收指數(shù),λ表示波長。

    35、因此,本專利技術(shù)采用上述基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),有益效果如下:

    36、(1)本專利技術(shù)通過激光的精確控制,在基材表面產(chǎn)生極小的擊穿區(qū)域,通過聚焦后的脈沖激光燒蝕激發(fā)原件,瞬間升溫,促使基材中的原子或分子被激發(fā),產(chǎn)生瞬態(tài)高溫等離子體,產(chǎn)生光譜信號,實(shí)現(xiàn)對基材局部的即時(shí)加熱,快速獲取元素信息,避免對整個(gè)基材進(jìn)行分析,節(jié)約時(shí)間和成本。

    37、(2)同時(shí),激光束直接照射到基材表面進(jìn)行分析,無需與基材直接接觸,避免了對基材的損壞和污染,也消除了水蒸氣和二氧化碳的光譜污染,libs技術(shù)使得在一些傳統(tǒng)測溫技術(shù)無法勝任的高溫環(huán)境中發(fā)揮重要作用。

    38、(3)對于透射信號較強(qiáng)的材料,本專利技術(shù)利用ftir的內(nèi)部精密光路設(shè)計(jì),可以測量并獲取樣本的透射光譜,通過對透射光譜的深入分析,能夠有效辨識出材料輻射特性的基礎(chǔ)參數(shù),為材料性能研究、質(zhì)量控制及新材料的開發(fā)提供重要的實(shí)驗(yàn)依據(jù)和理論支持。

    39、下面通過附圖和實(shí)施例,對本專利技術(shù)的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:在LIBS加熱裝置中,所述激光器產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)所需能量高且功率密度大的激光脈沖;

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述LIBS加熱裝置配備預(yù)真空設(shè)備、回填氬氣設(shè)備、水冷設(shè)備、溫度測量設(shè)備。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述鉬制試件支架由載物臺、承重平衡板和彈性密封圈組成;在熱態(tài)下,鉬制試件支架能夠±180°旋轉(zhuǎn),精度為0.01°,鉬制試件支架的旋轉(zhuǎn)操作完全由計(jì)算機(jī)通過指令控制步進(jìn)電機(jī)來實(shí)現(xiàn)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述載物臺包含卡槽和支撐結(jié)構(gòu),使基材在隨鉬制試件支架轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)不發(fā)生滑移;

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,利用FTIR對基材輻射特性基礎(chǔ)參數(shù)的辨識,具體步驟如下:

    7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,所述光電檢測器包括:InGaAs二極管光電檢測器,探測范圍0.85-2.5μm,噪聲等效功率NEP<2×10-14W·Hz-1/2;

    8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,通過檢測光源信號電壓響應(yīng)U0,λ和透射信號電壓響應(yīng)Ut,λ,獲得樣片的法向-法向透射比,如下所示:

    9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,偏移距離δ與入射光束會聚角度之間的關(guān)系式,如下所示:

    10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于LIBS的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,單層介質(zhì)的透射比,如下所示:

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:在libs加熱裝置中,所述激光器產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)所需能量高且功率密度大的激光脈沖;

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述libs加熱裝置配備預(yù)真空設(shè)備、回填氬氣設(shè)備、水冷設(shè)備、溫度測量設(shè)備。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述鉬制試件支架由載物臺、承重平衡板和彈性密封圈組成;在熱態(tài)下,鉬制試件支架能夠±180°旋轉(zhuǎn),精度為0.01°,鉬制試件支架的旋轉(zhuǎn)操作完全由計(jì)算機(jī)通過指令控制步進(jìn)電機(jī)來實(shí)現(xiàn)。

    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于libs的非接觸式瞬態(tài)高溫測量系統(tǒng),其特征在于:所述載物臺包含卡槽和支撐結(jié)構(gòu),使基材在隨鉬制試件支架轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)不發(fā)生滑移;

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:于海燕郭寧任鳳英李明東王偉任霄漢
    申請(專利權(quán))人:山東大學(xué)
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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