【技術實現步驟摘要】
本公開涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構及其制備方法。
技術介紹
1、隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大，驅動頻率也不斷提高，對傳統非晶硅薄膜晶體管的電子遷移率的要求也越來越大，同時也要求越來越大的飽和電流idsat。為提高飽和電流，可以提高柵極氧化層的寬度或減小柵極氧化層的長度，但因為短溝道效應，柵極氧化層的長度很難減小。
技術實現思路
1、有鑒于此，本公開實施例提供一種半導體結構及其制備方法。
2、根據本公開實施例的第一方面，提供了一種半導體結構，包括：
3、襯底，所述襯底表面形成有多個沿第一方向排列且沿第二方向延伸的凹槽；其中，所述第二方向為溝道長度方向，所述第一方向與所述第二方向相交，且所述第一方向和所述第二方向平行于所述襯底平面；
4、溝道層，位于所述襯底上，且覆蓋所述凹槽的側壁和底部；
5、柵極結構，位于所述溝道層上，且填充所述凹槽。
6、在一些實施例中，所述柵極結構包括：柵極氧化層和位于所述柵極氧化層上的柵極導電層；
7、所述柵極氧化層和所述溝道層沿垂直于所述襯底平面方向的高度之和，小于所述凹槽沿垂直于所述襯底平面方向的高度。
8、在一些實施例中，沿所述第一方向，相鄰兩個所述凹槽之間的間距范圍為10-20nm。
9、在一些實施例中，所述凹槽沿垂直于所述襯底方向的高度范圍為5-10nm，沿所述第一方向的寬度范圍為10-20nm。
10、在一些實施例中，還包括：
<...【技術保護點】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
6.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括：
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，
9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，
10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括：
【技術特征摘要】
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：董海洋，
申請(專利權)人：長鑫存儲技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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