【技術實現步驟摘要】
本公開的實施方式涉及一種半導體器件以及包括該半導體器件的電子裝置。
技術介紹
1、各種類型的功率轉換系統需要通過開/關切換控制電流的流動的器件，即功率器件。在功率轉換系統中，功率器件的效率可以決定整個系統的效率。作為開關器件，通常使用利用硅(si)的功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosfet)或絕緣柵雙極晶體管(igbt)，但是由于si本身的材料限制，提高開關器件的效率存在限制。在克服si的材料限制的嘗試中，已經積極地進行對使用化合物半導體的異質結結構的高電子遷移率晶體管(hemt)的研究。
2、然而，由于hemt主要是iii-v族半導體器件，所以難以在包括si的iv族半導體基板上制造hemt。因此，電子裝置通過分開地制造包括iii-v族半導體的hemt和包括si的半導體器件、然后將hemt和半導體器件引線接合在印刷電路板(pcb)上來制造。這會增加制造工藝的成本和復雜性。
技術實現思路
1、提供一種具有適合于通過流體自組裝(fsa)轉移方法轉移的電極結構的iii-v族半導體器件以及包括該半導體器件的電子裝置。
2、另外的方面將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從該描述變得明顯，或者可以通過實踐所呈現的實施方式而獲知。
3、根據實施方式的一方面，一種半導體器件包括：溝道層，包括第一iii-v族半導體材料；勢壘層，提供在溝道層的上表面上，勢壘層包括與第一iii-v族半導體材料不同的第二iii-v族半導體材料；多個源極/漏極，在勢壘層的上表面
4、所述多個源極/漏極可以包括：第一源極/漏極，提供在勢壘層的上表面的第一象限上；第二源極/漏極，提供在勢壘層的上表面的第二象限上；第三源極/漏極，提供在勢壘層的上表面的第三象限上；以及第四源極/漏極，提供在勢壘層的上表面的第四象限上。
5、第一源極/漏極、第二源極/漏極、第三源極/漏極和第四源極/漏極可以不覆蓋勢壘層的上表面的中心區域。
6、第一源極/漏極和第四源極/漏極可以具有相對于第一象限和第四象限之間的邊界旋轉對稱的形狀，第一源極/漏極和第二源極/漏極可以具有相對于第一象限和第二象限之間的邊界旋轉對稱的形狀，第二源極/漏極和第三源極/漏極可以具有相對于第二象限和第三象限之間的邊界旋轉對稱的形狀，第三源極/漏極和第四源極/漏極可以具有相對于第三象限和第四象限之間的邊界旋轉對稱的形狀。
7、半導體器件還可以包括：第一導電層，提供在柵極絕緣層的上表面上并電連接到第一源極/漏極；第二導電層，提供在柵極絕緣層的上表面上并電連接到第二源極/漏極；第三導電層，提供在柵極絕緣層的上表面上并電連接到第三源極/漏極；以及第四導電層，提供在柵極絕緣層的上表面上并電連接到第四源極/漏極。
8、第一導電層可以在柵極絕緣層的上表面上的第一象限的頂點區域中，第二導電層可以在柵極絕緣層的上表面上的第二象限的頂點區域中，第三導電層可以在柵極絕緣層的上表面上的第三象限的頂點區域中，第四導電層可以在柵極絕緣層的上表面上的第四象限的頂點區域中。
9、柵極絕緣層可以包括暴露第一源極/漏極、第二源極/漏極、第三源極/漏極和第四源極/漏極中的每個的上表面的一部分的多個開口，第一導電層、第二導電層、第三導電層和第四導電層可以通過所述多個開口分別與第一源極/漏極、第二源極/漏極、第三源極/漏極和第四源極/漏極接觸。
10、所述多個源/漏電極可以包括：電連接到第一源極/漏極的第一源/漏電極；電連接到第二源極/漏極的第二源/漏電極；電連接到第三源極/漏極的第三源/漏電極；以及電連接到第四源極/漏極的第四源/漏電極。
11、柵電極可以在半導體器件的中心部分中，第一源/漏電極和第三源/漏電極可以在第一對角線方向上彼此面對并與柵電極的中心相距第一距離，第二源/漏電極和第四源/漏電極可以在第二對角線方向上彼此面對并與柵電極的中心相距第二距離，第二對角線方向與第一對角線方向交叉，第二距離不同于第一距離。
12、柵極可以包括：中心柵極，布置在柵極絕緣層的上表面的中心部分中；以及多個分支柵極，在所述多個源極/漏極當中的兩個相鄰的源極/漏極之間延伸。
13、所述多個分支柵極中的每個可以具有蜿蜒的彎曲形狀。
14、所述多個分支柵極中的每個可以具有直線形狀。
15、柵極絕緣層可以覆蓋勢壘層的側壁和溝道層的側壁。
16、所述多個分支柵極中的每個可以沿著柵極絕緣層的表面延伸以面對勢壘層的側壁和溝道層的側壁。
17、半導體器件還可以包括配置為覆蓋柵極絕緣層和柵極的鈍化層，柵電極和所述多個源/漏電極可以穿過鈍化層。
18、所述多個源極/漏極可以包括在第一方向上延伸的第一源極/漏極、第二源極/漏極和第三源極/漏極，第一源極/漏極、第二源極/漏極和第三源極/漏極可以在垂直于第一方向的第二方向上依次布置，柵極可以包括：第一分支柵極，在第一源極/漏極和第二源極/漏極之間在第一方向上延伸；以及第二分支柵極，在第二源極/漏極和第三源極/漏極之間在第一方向上延伸。
19、根據本公開的一方面，一種電子裝置包括：基板，包括第一半導體材料；第一半導體器件，提供在基板上；以及第二半導體器件，提供在基板上并包括不同于第一半導體材料的第二半導體材料，其中第二半導體器件包括：溝道層，包括第一iii-v族半導體材料；勢壘層，提供在溝道層的上表面上，勢壘層包括與第一iii-v族半導體材料不同的第二iii-v族半導體材料；多個源極/漏極，在勢壘層的上表面上彼此間隔開；柵極絕緣層，覆蓋勢壘層的上表面和所述多個源極/漏極的上表面；柵極，提供在柵極絕緣層的上表面上，柵極不與所述多個源極/漏極重疊；多個源/漏電極，電連接到所述多個源極/漏極當中的對應源極/漏極；以及柵電極，電連接到柵極，以及其中所述多個源/漏電極具有對角對稱的布置。
20、第一半導體器件可以是晶體管、發光器件和傳感器器件中的一種。
21、基板可以包括在基板的上表面中的凹陷的凹槽，第二半導體器件可以提供在凹槽中，使得柵電極和所述多個源/漏電極面對凹槽的外部。
22、柵電極和所述多個源/漏電極可以面對基板的上表面。
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1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個源極/漏極包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極、所述第二源極/漏極、所述第三源極/漏極和所述第四源極/漏極不覆蓋所述勢壘層的所述上表面的中心區域。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極和所述第四源極/漏極具有相對于所述第一象限和所述第四象限之間的邊界旋轉對稱的形狀，
5.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一導電層在所述柵極絕緣層的所述上表面上的所述第一象限的頂點區域中，
7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述柵極絕緣層包括多個開口，所述多個開口暴露所述第一源極/漏極、所述第二源極/漏極、所述第三源極/漏極和所述第四源極/漏極中的每個的上表面的一部分，以及
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述多個源/漏電極包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述柵電極在所述半導體器件的中心部分中，<...
【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個源極/漏極包括：
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極、所述第二源極/漏極、所述第三源極/漏極和所述第四源極/漏極不覆蓋所述勢壘層的所述上表面的中心區域。
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一源極/漏極和所述第四源極/漏極具有相對于所述第一象限和所述第四象限之間的邊界旋轉對稱的形狀，
5.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述第一導電層在所述柵極絕緣層的所述上表面上的所述第一象限的頂點區域中，
7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述柵極絕緣層包括多個開口，所述多個開口暴露所述第一源極/漏極、所述第二源極/漏極、所述第三源極/漏極和所述第四源極/漏極中的每個的上表面的一部分，以及
8.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述多個源/漏電極包括：
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中所述柵電極在所述半導體器件的中心部分中，
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極包括：
<...【專利技術屬性】
技術研發人員：吳映澤，柳建旭，黃京旭，樸昌根，宋相勛，廉旼宰，李圭炯，黃俊式，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
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