【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體器件領域，具體地，涉及一種發光元件、發光二極管及顯示裝置。
技術介紹
1、微型發光二極管(micro?light?emitting?diode,micro-led)具有自發光、高效率、低功耗、高亮度、高穩定性、超高分辨率與色彩飽和度、響應速度快、壽命長等優點，已經在顯示、光通信、室內定位、生物和醫療領域獲得了相關的應用，具有明確可觀的市場前景。
2、micro-led還有許多技術難題需要攻克，其中一個重要的技術難題就是如何提高巨量轉移的良率。micro-led巨量轉移過程中，首先會通過錨鏈結構初步承載并固定micro-led。自上述錨鏈結構抓取并轉移micro-led時，需要較高的抓取力道，錨鏈斷裂位置不固定，另外錨鏈斷裂處會存在一定的不規則殘留，并且同一芯粒也會存在兩側側壁殘留的錨鏈不一致的問題。上述錨鏈殘留異常的現象，影響micro-led巨量轉移的良率，進而影響后續產品的良率以及可靠性。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術中micro-led巨量轉移方面存在的問題及缺陷，本申請提供一種發光元件及發光二極管，本專利技術的發光元件包括：若干發光二極管、支撐結構及橋接結構，所述發光二極管至少包括半導體外延疊層，所述半導體外延疊層包括沿第一方向依次疊置的第一半導體層、有源層及第二半導體層。橋接結構位于所述發光二極管的部分側壁上，連接所述發光二極管及所述支撐結構，所述橋接結構與所述發光二極管之間具有一間隙，在所述第一方向上，所述間隙不完全貫穿所述橋接
2、為實現上述目的及其它相關目的，本專利技術一方面提供了一種發光元件，其包括：
3、若干發光二極管，所述發光二極管至少包括半導體外延疊層，所述半導體外延疊層包括沿第一方向依次疊置的第一半導體層、有源層及第二半導體層；
4、支撐結構，位于所述發光二極管的下方，支撐所述發光二極管；
5、橋接結構，位于所述發光二極管的部分側壁上，連接所述發光二極管及所述支撐結構，所述橋接結構與所述發光二極管之間具有一間隙，在所述第一方向上，所述間隙不完全貫穿所述橋接結構。
6、本專利技術的另一方面提供一種發光結構，所述發光二極管為自本申請所述的發光元件中通過轉印分離得到的芯粒，所述芯粒的側壁處具有殘留的所述橋接結構。
7、本專利技術的另一方面提供一種顯示裝置，其包括電路基板及固定在所述電路基板上的若干發光體，所述發光體包括自本申請所述的發光元件中批量轉印過來的發光二極管。
8、如上所述，本專利技術提供的發光元件、發光二極管及顯示裝置，至少具備如下有益技術效果：
9、本專利技術的發光元件包括若干發光二極管、支撐結構及橋接結構，橋接結構位于所述發光二極管的部分側壁上，連接所述發光二極管及所述支撐結構，所述發光二極管至少包括半導體外延疊層，所述半導體外延疊層包括沿第一方向依次疊置的第一半導體層、有源層及第二半導體層。所述橋接結構與所述發光二極管之間具有一間隙，在所述第一方向上，所述間隙不完全貫穿所述橋接結構。對發光二極管進行巨量轉移發光二極管被抓取時，該間隙保證橋接結構能夠在間隙處斷裂，保證了橋接結構固定斷裂位置，同時斷裂后的橋接結構具有基本齊平的斷面，而不是郵票邊樣的殘留，由此不僅保證了單個芯粒的良好外觀，同時可以提高發光二極管的巨量轉移良率。
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1.一種發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述間隙的寬度0＜w1≤3μm。
3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構的厚度2μm≤h1≤10μm。
4.根據權利要求3所述的發光元件，其特征在于，所述間隙的深度e與h1滿足：
5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，沿所述第一方向在所述支撐結構所在平面上的投影中，所述橋接結構的投影輪廓為梯形結構，其中靠近所述發光二極管的投影邊界為所述梯形結構的短邊a，與所述短邊a相對且平行的為所述梯形結構的長邊b，連接所述短邊a和長邊b的為所述梯形結構的腰c，所述梯形結構的高為d，其中a：b：c＝2：1：
6.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，在所述投影中，所述短邊a和所述腰c之間的夾角介于120°～150°。
7.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述梯形結構的腰c所在的所述橋接結構的側壁形成為傾斜側壁。
8.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述梯形結構的腰c所在的所述橋接
9.根據權利要求8所述的發光元件，其特征在于，所述臺階結構的寬度0＜w2≤3μm。
10.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構成對形成在所述發光二極管相對的兩個側壁處，所述發光二極管的兩個相對的側壁處至少具有一對所述橋接結構。
11.根據權利要求10所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構對稱分布在所述發光二極管的側壁處；或者不對稱分布在所述發光二極管的側壁處。
12.根據權利要求6所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構包括第一絕緣層以及位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層，其中所述第一絕緣層延伸至覆蓋所述發光二極管朝向所述支撐結構的一側的表面。
13.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述支撐結構包括基板及位于基板上方的鍵合層，所述橋接結構跨接在所述鍵合層上。
14.根據權利要求13所述的半導體發光元件，其特征在于，所述支撐結構具有凹槽，所述發光二極管容納于所述凹槽，所述凹槽與所述發光二極管之間還形成有犧牲層。
15.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構的材料為SiO2、SiNx、SiOxNy、Ti2O3及Al2O3中的一種或多種的組合。
16.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述發光二極管的邊長或高度介于2μm～100μm。
17.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管為自權利要求1～16中任意一項所述的發光元件中通過轉印分離得到的芯粒，所述芯粒的側壁處具有殘留的所述橋接結構。
18.根據權利要求17所述的發光二極管，其特征在于，所述芯粒的側壁處殘留的所述橋接結構的寬度小于1μm。
19.根據權利要求17所述的發光二極管，其特征在于，在與所述芯粒的側壁相對的一側，殘留的所述橋接結構具有平齊側壁。
20.一種顯示裝置，其特征在于，包括電路基板及固定在所述電路基板上的若干發光體，所述發光體包括自權利要求1～16中任意一項所述的發光元件中批量轉印過來的發光二極管。
...【技術特征摘要】
1.一種發光元件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述間隙的寬度0＜w1≤3μm。
3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構的厚度2μm≤h1≤10μm。
4.根據權利要求3所述的發光元件，其特征在于，所述間隙的深度e與h1滿足：
5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，沿所述第一方向在所述支撐結構所在平面上的投影中，所述橋接結構的投影輪廓為梯形結構，其中靠近所述發光二極管的投影邊界為所述梯形結構的短邊a，與所述短邊a相對且平行的為所述梯形結構的長邊b，連接所述短邊a和長邊b的為所述梯形結構的腰c，所述梯形結構的高為d，其中a：b：c＝2：1：
6.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，在所述投影中，所述短邊a和所述腰c之間的夾角介于120°～150°。
7.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述梯形結構的腰c所在的所述橋接結構的側壁形成為傾斜側壁。
8.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述梯形結構的腰c所在的所述橋接結構的側壁形成有臺階結構，在所述第一方向上，所述臺階結構的高度h2與所述橋接結構的厚度h1滿足：
9.根據權利要求8所述的發光元件，其特征在于，所述臺階結構的寬度0＜w2≤3μm。
10.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構成對形成在所述發光二極管相對的兩個側壁處，所述發光二極管的兩個相對的側壁處至少具有一對所述橋接結構。
11.根據權利要求10所述的發光元件，其特征在于，所述橋接結構對稱分...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡富鈞，王彥欽，楊松，邱新智，郭桓邵，彭鈺仁，
申請(專利權)人：泉州三安半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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