【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，具體而言，涉及一種功率半導體封裝結構。
技術介紹
1、功率半導體模塊將若干功率器件封裝為一個整體，為功率器件提供電氣連接、熱量傳導、機械支撐、保護敏感設備免受潮濕、振動、污染等影響和電氣絕緣等作用。硅器件的功率封裝通常設計為每個開關位置容納一個大型器件。現有sic功率模塊封裝多由si器件封裝轉化而來，因此，硅器件的功率封裝為sic功率模塊的封裝提供了同樣的思路。然而，由于晶圓質量和產量問題，商用寬帶隙器件無法獲得大型單片元件。因此，雖然相同尺寸的sic芯片相對于si芯片具有更高的功率密度，但為了達到數百安培的高電流，必須并聯放置許多sic器件。在傳統si器件封裝中多器件并聯存在一個根本問題，即這些器件的設計并未有效解決電流共享等問題。
2、在此基礎上，由于寬帶隙器件具有極高的開關速度，通常比硅器件快數百倍。器件之間的電感不匹配可能會導致功率器件每個開關周期內的應力不均勻和電流過沖的問題，從而導致開關振蕩嚴重且開關損耗較大。
技術實現思路
1、本專利技術的主要目的在于提供一種功率半導體封裝結構，以解決由于現有技術中功率器件的電感不匹配導致開關損耗較大的問題。
2、為了實現上述目的，根據本專利技術的一個方面，提供了一種功率半導體封裝結構，包括：基板，具有間隔設置的第一導電層和第二導電層；功率模塊，位于第一導電層上，且功率模塊的漏極與第一導電層電連接；互連結構，位于功率模塊遠離基板的一側，功率模塊和基板通過互連結構電氣連接；源極連接器，位于第
3、可選地，功率半導體封裝結構還包括：柵極匯流條，位于基板上，且與第一導電層和第二導電層間隔設置；柵極電阻，柵極電阻的一端與柵極匯流條電連接，柵極電阻的另一端與功率模塊的柵極電連接。
4、可選地，功率半導體封裝結構還包括：第三導電層，位于基板上，且與第一導電層、第二導電層和柵極匯流條間隔設置；柵極連接器，位于第三導電層上，且與柵極匯流條電連接。
5、可選地，功率半導體封裝結構還包括：第四導電層，位于基板上，且與第一導電層和第二導電層間隔設置；輔助電極，位于第四導電層上，且輔助電極通過第四導電層與第一導電層電連接。
6、可選地，功率半導體封裝結構還包括：第五導電層，位于基板上，且與第一導電層和第二導電層間隔設置；信號組件，位于第五導電層上。
7、可選地，功率半導體封裝結構還包括：底板，位于基板遠離功率模塊的一側，且底板遠離基板的一側具有針狀翅片。
8、可選地，功率半導體封裝結構還包括：開爾文源極匯流條，位于基板上，且源極連接器通過開爾文源極匯流條與開爾文源極電連接。
9、可選地，第一導電層包括間隔設置的第一子導電層和第二子導電層，功率模塊包括多個第一功率器件和多個第二功率器件，源極連接器包括第一源極連接器和第二源極連接器；多個第一功率器件并聯連接，且每個第一功率器件的漏極與第一子導電層電連接，每個第一功率器件的開爾文源極與第一源極連接器電連接；多個第二功率器件并聯連接，且每個第二功率器件的漏極與第二子導電層電連接，每個第二功率器件的開爾文源極與第二源極連接器電連接。
10、可選地，互連結構包括多個第一銅橋結構和多個第二銅橋結構；基板還包括第六導電層，第一導電層、第二導電層和第六導電層中的任意兩個間隔設置，且第六導電層位于第一子導電層遠離第二子導電層的一側；第六導電層與多個第一功率器件通過多個第一銅橋結構電氣連接，多個第一功率器件與多個第一銅橋結構一一對應；第一子導電層與多個第二功率器件通過多個第二銅橋結構電氣連接，多個第二功率器件與多個第二銅橋結構一一對應。
11、可選地，基板包括層疊設置的第一金屬層、絕緣介質層和第二金屬層，第一導電層和第二導電層位于第一金屬層遠離第二金屬層的一側。
12、應用本專利技術的技術方案，功率半導體封裝結構包括基板、功率模塊、互連結構和源極連接器。具體地，基板具有間隔設置的第一導電層和第二導電層，功率模塊位于第一導電層上，互連結構位于功率模塊遠離基板的一側，源極連接器位于第二導電層上。本申請在將功率模塊和基板通過互連結構電氣連接且將功率模塊的漏極與第一導電層電連接的情況下，還通過第二導電層將功率模塊的開爾文源極與源極連接器進行了電連接，從而可以將控制功率器件開關狀態的驅動網絡從功率路徑分離開，排除了雜散電感以及開關電流斜率對驅動網絡的干擾，可以獲得一個不受功率路徑上大且快速變化的電流干擾的驅動信號，以此解決了由于現有技術中功率器件的電感不匹配導致開關損耗較大的問題，實現了減少功率器件的開關損耗的效果。
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1.一種功率半導體封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
8.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，所述第一導電層包括間隔設置的第一子導電層和第二子導電層，所述功率模塊包括多個第一功率器件和多個第二功率器件，所述源極連接器包括第一源極連接器和第二源極連接器；
9.根據權利要求8所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，所述互連結構包括多個第一銅橋結構和多個第二銅橋結構；
10.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，所述基板包括層疊設置的
...【技術特征摘要】
1.一種功率半導體封裝結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
3.根據權利要求2所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
5.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求1所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
7.根據權利要求1至6中任一項所述的功率半導體封裝結構，其特征在于，還包括：
8.根據權利...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李浩，梁玉，鄭超，趙波，金銳，崔翔，李哲洋，趙志斌，李學寶，
申請(專利權)人：北京懷柔實驗室，
類型：發明
國別省市：
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