【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體存儲裝置，并且更具體地涉及包括垂直溝道晶體管(vct)的半導(dǎo)體存儲裝置。
技術(shù)介紹
1、需要增加半導(dǎo)體存儲裝置的集成度以滿足消費(fèi)者所要求的優(yōu)異性能和低價格。在半導(dǎo)體存儲裝置的情況下，因?yàn)榧啥仁菦Q定產(chǎn)品價格的重要因素，所以特別需要提高集成度。
2、在二維或平面半導(dǎo)體存儲裝置的情況下，集成度主要由單位存儲單元所占據(jù)的面積決定，因此很大程度上受精細(xì)圖案形成技術(shù)水平的影響。然而，由于需要超昂貴的設(shè)備來使圖案小型化，所以二維半導(dǎo)體存儲裝置的集成度正在增加，但仍然受到限制。因此，提出了包括具有在垂直方向上延伸的溝道的垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲裝置。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的各方面提供了具有改進(jìn)的集成度和電特性的半導(dǎo)體存儲裝置。
2、然而，本專利技術(shù)的各方面不限于本文闡述的方面。通過參考下面給出的本專利技術(shù)的詳細(xì)描述，本專利技術(shù)的上述和其他方面對于本專利技術(shù)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加明顯。
3、根據(jù)本公開的一些方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：在襯底上在第一方向上延伸的位線；在位線上的溝道結(jié)構(gòu)，溝道結(jié)構(gòu)包括在第二方向上延伸的第一垂直部分以及在第一方向上與第一垂直部分間隔開并在第二方向上延伸的第二垂直部分；背柵電極，在溝道結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上在位線上并在第二方向上延伸；背柵極絕緣膜，在背柵電極和溝道結(jié)構(gòu)之間；背柵極覆蓋膜，在背柵電極和背柵極絕緣膜上；第一字線，在第一垂直部分和第二垂直部分之間并在第二方向上延伸；第二字線，在第一垂
4、根據(jù)本公開的一些方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：在襯底上在第一方向上延伸的位線；背柵極結(jié)構(gòu)，在襯底上限定暴露位線的溝道溝槽并在與第一方向交叉的第二方向上延伸；蝕刻停止膜，在背柵極結(jié)構(gòu)和位線之間；溝道結(jié)構(gòu)，沿著溝道溝槽的下表面和側(cè)壁延伸并且包括第一溝道圖案和在第一方向上與第一溝道圖案間隔開的第二溝道圖案；第一字線和第二字線，在溝道結(jié)構(gòu)上在第一方向上彼此間隔開并且在第二方向上延伸；柵極絕緣膜，在第一溝道圖案和第一字線之間以及在第二溝道圖案和第二字線之間；以及第一電容器和第二電容器，在第一溝道圖案和第二溝道圖案上連接到第一溝道圖案和第二溝道圖案，背柵極結(jié)構(gòu)包括背柵電極以及在背柵電極和溝道結(jié)構(gòu)之間的背柵極絕緣膜，基于位線的上表面，直到背柵極結(jié)構(gòu)的上表面的高度等于或小于直到第一字線的上表面的高度。
5、根據(jù)本公開的一些方面，提供了一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：在襯底上在第一方向上延伸的位線；溝道結(jié)構(gòu)，在位線上并且包括在第二方向上延伸的第一垂直部分以及在第一方向上與第一垂直部分間隔開并在第二方向上延伸的第二垂直部分；背柵極結(jié)構(gòu)，在溝道結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)上在位線上，并且包括在第二方向上延伸的背柵電極以及在背柵電極和溝道結(jié)構(gòu)之間的背柵極絕緣膜；蝕刻停止膜，在位線和背柵極結(jié)構(gòu)之間；背柵極覆蓋膜，在背柵電極和背柵極絕緣膜上；第一字線，在第一垂直部分和第二垂直部分之間并在第二方向上延伸；第二字線，在第一垂直部分和第二垂直部分之間、在第二方向上延伸、并在第一方向上與第一字線間隔開；柵極絕緣膜，在第一垂直部分和第一字線之間以及在第二垂直部分和第二字線之間；以及第一電容器和第二電容器，在第一垂直部分和第二垂直部分上連接到第一垂直部分和第二垂直部分，基于位線的上表面，直到背柵極結(jié)構(gòu)的上表面的高度等于或小于直到第一字線的上表面的高度。
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1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
12.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
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15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，其中
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，進(jìn)一步包括：
11.根...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李镕珍，柳成原，李元錫，趙珉熙，趙始衍，
申請(專利權(quán))人：三星電子株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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