【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體器件，特別是涉及一種半導體器件的制備方法及半導體器件。
技術介紹
1、隨著半導體器件制備技術的發展和進步，傳統的cmos（complementary?metaloxide?semiconductor，互補金屬氧化物半導體場效應晶體管）制備技術中采用的應力拉升方式已經無法滿足cmos器件對于pmos（positive?channel?metal?oxide?semiconductor，p溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管）驅動電流的要求。在半導體器件的關鍵尺寸進入28nm及以下后，需要采用外延技術提高pmos的壓應力，從而提高cmos的整體響應速度。
2、然而，在現有的外延生長技術中，通常在柵極結構的側壁形成三道側墻以調整外延生長所需的凹穴的尺寸。但是，第一道側墻、第三道側墻以及柵極結構表面的掩膜結構通常均采用同種材料形成，因此在第二道側墻存在開口導致第一道側墻裸露的情況下，濕法去除第三道側墻所用到的刻蝕藥液會通過第二道側墻的開口對第一道側墻和掩膜結構產生腐蝕作用，從而會影響掩膜結構的形貌，進一步影響后續制備工藝的制備質量，影響半導體器件的可靠性。
技術實現思路
1、基于此，本申請實施例提供一種半導體器件的制備方法及半導體器件，可以提高第一道側墻對掩膜結構的保護能力，保持掩膜結構表面形貌的完整性，提高后續制備工藝的制備質量。
2、本申請實施例的第一方面，提供一種半導體器件的制備方法，包括：
3、提供半導體初始結構，其中，所述半導體初始
4、于所述初始子結構遠離所述襯底的一側形成第一犧牲結構，其中，所述第一犧牲結構形成于所述初始子結構的周向表面；
5、于所述第一犧牲結構遠離所述襯底的一側依次形成第二犧牲層和第三犧牲層，其中，形成于所述第一犧牲結構遠離所述襯底一側的部分所述第二犧牲層在所述襯底的厚度方向上的尺寸為第一尺寸，形成于相鄰的所述初始子結構之間的襯底一側的所述第二犧牲層在所述襯底的厚度方向上的尺寸為第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；
6、依次去除部分所述第三犧牲層和部分所述第二犧牲層，以得到第二犧牲結構和第三犧牲結構，其中，所述第二犧牲結構位于所述第一犧牲結構與所述第三犧牲結構之間；
7、通過濕法刻蝕工藝去除所述第三犧牲結構。
8、在其中一個實施例中，所述于所述初始子結構遠離所述襯底的一側形成第一犧牲結構，包括：
9、于所述初始子結構遠離所述襯底的一側形成第一犧牲層；
10、同步刻蝕相鄰的所述初始子結構之間的所述襯底一側的所述第一犧牲層，以及所述初始子結構遠離所述襯底一側的部分所述第一犧牲層，以得到初始犧牲結構；
11、于相鄰的所述初始子結構之間形成第四犧牲層；
12、刻蝕所述第四犧牲層，以使刻蝕后的所述第四犧牲層遠離所述襯底一側的表面與所述襯底之間的距離等于第一距離；
13、刻蝕所述初始犧牲結構，以得到所述第一犧牲結構，其中，所述第一犧牲結構遠離所述襯底一側的表面與所述襯底之間的距離為第一距離；
14、去除所述第四犧牲層。
15、在其中一個實施例中，所述第一犧牲結構遠離所述襯底一側的表面與所述襯底之間的距離為第一距離，所述掩膜結構遠離所述襯底一側的表面與所述襯底之間的距離為第二距離；
16、所述第一距離與所述第二距離之間的差值的絕對值小于預設閾值。
17、在其中一個實施例中，所述第一距離大于或等于所述第二距離。
18、在其中一個實施例中，所述預設閾值小于所述保護結構在所述襯底的厚度方向上的尺寸。
19、在其中一個實施例中，所述依次去除部分所述第三犧牲層和部分所述第二犧牲層，包括：
20、去除相鄰的所述初始子結構之間的所述襯底一側的所述第三犧牲層，以及所述初始子結構遠離所述襯底一側的部分所述第三犧牲層；
21、通過siconi刻蝕工藝去除相鄰的所述初始子結構之間的所述襯底一側的所述第二犧牲層，以及所述初始子結構遠離所述襯底一側的部分所述第二犧牲層。
22、在其中一個實施例中，在所述通過濕法刻蝕工藝去除所述第三犧牲結構的步驟之前，還包括：
23、刻蝕相鄰的所述初始子結構之間的所述襯底，以得到溝槽；
24、于所述溝槽內部形成外延結構。
25、本申請實施例的第二方面，提供一種半導體器件，采用如上述第一方面中任一種所述的半導體器件的制備方法制備而成。
26、在其中一個實施例中，在所述半導體器件包括外延結構的情況下，
27、所述外延結構包括鍺硅合金。
28、在其中一個實施例中，所述掩膜結構、所述第一犧牲結構和所述第三犧牲層的材料包括氮化硅；和/或，
29、所述保護結構和所述第二犧牲層的材料包括氧化硅。
30、本申請意想不到的效果是：通過在掩膜結構遠離襯底一側的表面形成保護結構，可以避免掩膜結構與外部水氧環境接觸。通過調控第二犧牲層的第一尺寸大于第二尺寸，可以在一道刻蝕工藝中，去除相鄰的初始子結構之間的襯底表面的第二犧牲層，以便于刻蝕襯底以形成外延生長所需的凹穴。同時可以避免將初始子結構周向表面的第二犧牲結構全部刻蝕掉，造成第一犧牲結構的裸露，在濕法去除第三犧牲結構的過程中，可以通過第二犧牲結構對第一犧牲結構和初始子結構形成保護，避免刻蝕藥液對第一犧牲結構和掩膜結構產生腐蝕。因此，可以提高掩膜結構的掩膜質量，可以提高后續制備工藝的制備質量，進而可以提高半導體器件的可靠性和良品率。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述于所述初始子結構遠離所述襯底的一側形成第一犧牲結構，包括：
3.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述依次去除部分所述第三犧牲層和部分所述第二犧牲層，包括：
7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述通過濕法刻蝕工藝去除所述第三犧牲結構的步驟之前，還包括：
8.一種半導體器件，其特征在于，
9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，在所述半導體器件包括外延結構的情況下，
10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述于所述初始子結構遠離所述襯底的一側形成第一犧牲結構，包括：
3.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張基東，朱名杰，黃祥，
申請(專利權)人：合肥晶合集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。