【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別涉及一種發光二極管芯片及其制備方法。
技術介紹
1、近年來發光二極管芯片工藝在各大廠商競爭下快速發展，被廣泛的應用于通用照明、特種照明、直顯顯示屏、背光顯示屏、車燈等各個領域。
2、隨著led芯片越來越成熟，技術迭代速度減緩，如何更進一步的提升led芯片的發光效率，尤其芯片在極小電流密度下使用時，提升芯片的發光效率更是困難，如何更進一步的提升led芯片發光效率是每個從業人員和科研人員思考的事情。
3、現有技術中，現有的發光二極管芯片因為電感耦合等離子體刻蝕工藝n型導電通孔會造成n型導電通孔周圍外延層非輻射復合的增加，造成n型導電通孔200um-0um處發光效率降低，而當發光二極管芯片在極小電流密度下使用時n型導電通孔周圍500um-200um處發光效率最高。
技術實現思路
1、基于此，本專利技術的目的是提供一種發光二極管芯片及其制備方法，可以有效解決上述現有技術中的不足。
2、一種發光二極管芯片的制備方法，所述制備方法包括：
3、s1，提供一生長所需的襯底，在所述襯底上依次沉積n型半導體層、有源發光層以及p型半導體層；
4、s2，在所述p型半導體層上制備n型導電通孔；
5、s3，在所述p型半導體層以及所述n型導電通孔上制備電流擴展層；
6、s4，在所述電流擴展層、未被所述電流擴展層覆蓋的p型半導體層以及未被所述電流擴展層覆蓋的n型導電通孔上制備電流阻擋層；
7、
8、其中，所述電流阻擋層通孔圍繞所述n型導電通孔設置，所述電流阻擋層通孔的投影面積在距離所述n型導電通孔邊緣500um-200um處線性增加，在距離所述n型導電通孔邊緣200um-0um處線性減少，且在距離所述n型導電通孔邊緣500um-200um之間所有電流阻擋層通孔的面積之和大于距離所述n型導電通孔邊緣500um-200um之間依舊保留的電流阻擋層的面積，在距離所述n型導電通孔邊緣200um-0um之間所有電流阻擋層通孔的面積之和小于距離所述n型導電通孔邊緣200um-0um之間依舊保留的電流阻擋層的面積；
9、s6，在所述電流阻擋層以及所述電流阻擋層通孔上制備第一半導體層；
10、s7，剝離所述襯底完全暴露出所述n型半導體層的底部；
11、s8，在所述n型半導體層的底部制備第二半導體層；
12、s9，在所述第一半導體層上制備n型焊盤；
13、進一步的，制備所述n型導電通孔的具體步驟包括：
14、在所述p型半導體層表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影工藝去除掉部分光刻膠，暴露出部分p型半導體層，然后利用電感耦合等離子體刻蝕工藝去除掉暴露出的p型半導體層及這部分p型半導體層下面的有源發光層，形成所述n型導電通孔，然后去除多余的光刻膠。
15、進一步的，制備所述電流擴展層的具體步驟包括：
16、在所述p型半導體層以及所述n型導電通孔表面利用磁控濺射工藝沉積氧化銦錫，接著在氧化銦錫表面涂布光刻膠，然后利用曝光、顯影去除掉部分光刻膠，暴露出部分氧化銦錫，然后利用氧化銦錫腐蝕液去除掉暴露出的氧化銦錫，然后去除多余光刻膠，形成所述電流擴展層。
17、進一步的，制備所述電流阻擋層的具體步驟包括：
18、在所述電流擴展層、未被所述電流擴展層覆蓋的p型半導體層以及未被所述電流擴展層覆蓋的n型導電通孔表面利用pecvd工藝沉積sio2作為所述電流阻擋層；
19、其中，所述電流阻擋層的厚度大于5000?。
20、進一步的，所述第一半導體層包括依次設置在所述電流阻擋層上的金屬反射層、連接金屬層、第一絕緣層、第一絕緣層通孔、第一鍵合層、第二鍵合層以及導電硅基板。
21、進一步的，制備所述第一半導體層的步驟包括：
22、在所述電流阻擋層以及電流阻擋層通孔表面制備所述金屬反射層，然后在所述金屬反射層及未被所述金屬反射層覆蓋的電流阻擋層上制備所述連接金屬層，接著在所述連接金屬層上制備所述第一絕緣層，再在所述第一絕緣層上制備所述第一絕緣層通孔，接著再在所述第一絕緣層以及所述第一絕緣層通孔上制備所述第一鍵合層，最后在所述導電硅基板上制備所述第二鍵合層再將所述第二鍵合層高溫鍵合在所述第一鍵合層上。
23、進一步的，制備所述n型焊盤的步驟包括：
24、對所述導電硅基板遠離所述第二鍵合層的一側進行拋光處理，然后利用電子束蒸鍍工藝在拋光過的所述導電硅基板一側依次蒸鍍ti金屬、al金屬、ti金屬、ni金屬以及ausn金屬作為所述n型焊盤。
25、進一步的，所述第二半導體層包括依次設置在所述n型半導體層底部的隔離槽、第二絕緣層、第二絕緣層通孔以及p型焊盤。
26、進一步的，制備所述第二半導體層的步驟包括：
27、在所述n型半導體層上制備所述隔離槽，然后在所述隔離槽上制備第二絕緣層，接著在所述第二絕緣層上制備第二絕緣層通孔，最后在所述第二絕緣層以及所述第二絕緣層通孔上制備所述p型焊盤。
28、本專利技術還提供一種發光二極管芯片，該發光二極管芯片采用如上所述的發光二極管芯片的制備方法制備而成。
29、與現有技術相比，本專利技術的有益效果是：通過設置電流阻擋層以及電流阻擋層通孔，通過將電流阻擋層通孔圍繞n型導電通孔設置，且電流阻擋層通孔的投影面積在距離n型導電通孔邊緣500um-200um處線性增加，在距離n型導電通孔邊緣500um-200um之間電流阻擋層通孔的面積之和大于距離n型導電通孔邊緣500um-200um之間依舊保留的電流阻擋層的面積，使得在距離n型導電通孔邊緣500um-200um處電流阻擋層通孔的投影面積增加，因為在距離n型導電通孔邊緣500um-200um處是發光效率最大的，增加此處電流阻擋層通孔的面積，相當于增加此處電流注入的面積，進而使得發光二極管芯片整體工作電壓降低幅度較大，亮度小幅減低，通過設置電流阻擋層以及電流阻擋層通孔，通過將電流阻擋層通孔圍繞n型導電通孔設置且在距離n型導電通孔邊緣200um-0um處線性減少，在距離n型導電通孔邊緣200um-0um之間所有電流阻擋層通孔的面積之和小于距離n型導電通孔邊緣200um-0um之間依舊保留的電流阻擋層的面積，因為在距離n型導電通孔邊緣200um-0um外延層非輻射復合的增加，發光效率較低，而電流阻擋層通孔的投影面積在此處線性減少，相當于減少此處電流注入，進而使得發光二極管芯片整體電壓上升幅度較小，亮度提升較大，進而可以提升發光二極管芯片整體亮度，減低電壓，從而提升發光二極管芯片的發光效率。
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1.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述N型導電通孔的具體步驟包括：
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流擴展層的具體步驟包括：
4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流阻擋層的具體步驟包括：
5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述第一半導體層包括依次設置在所述電流阻擋層上的金屬反射層、連接金屬層、第一絕緣層、第一絕緣層通孔、第一鍵合層、第二鍵合層以及導電硅基板。
6.根據權利要求5所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第一半導體層的步驟包括：
7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述N型焊盤的步驟包括：
8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述第二半導體層包括依次設置在所述N型半導體層底部的隔離槽、第二絕緣層、第二絕緣層通孔以及P型焊
9.根據權利要求8所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述第二半導體層的步驟包括：
10.一種發光二極管芯片，其特征在于，由權利要求1-9任一項所述的發光二極管芯片的制備方法制備而成。
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述n型導電通孔的具體步驟包括：
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流擴展層的具體步驟包括：
4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，制備所述電流阻擋層的具體步驟包括：
5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述第一半導體層包括依次設置在所述電流阻擋層上的金屬反射層、連接金屬層、第一絕緣層、第一絕緣層通孔、第一鍵合層、第二鍵合層以及導電硅基板。...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李文濤，鄒燕玲，張存磊，胡加輝，金從龍，
申請(專利權)人：江西兆馳半導體有限公司，
類型：發明
國別省市：
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