【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本公開涉及覆蓋基材。
技術介紹
1、專利文獻1-4中公開了具備金屬氧化物覆膜的覆蓋基材。專利文獻1-4中，采用了濕式成膜法。另一方面，為了控制符合復雜的基材形狀的厚度，也有時采用干式成膜法(干式工藝)。
2、如果考慮對各種領域的應用和量產性，則現有的覆蓋基材未必充分，迫切期望開發出新型的覆蓋基材。
3、現有技術文獻
4、專利文獻
5、專利文獻1：日本特開2011-32521號公報
6、專利文獻2：日本特開2009-147192號公報
7、專利文獻3：日本特開2015-93821號公報
8、專利文獻4：日本特開平9-202606號公報
技術實現思路
1、專利技術要解決的問題
2、本公開是鑒于上述實際情況而做出的，其目的在于，提供：能用于各種領域、且能量產的新型的覆蓋基材。本公開能以以下的方式實現。
3、用于解決問題的方案
4、[1]
5、一種覆蓋基材，其是由覆膜覆蓋基材而成的，
6、前述覆膜的厚度為1nm以上且低于800nm，
7、用x射線光電子能譜法測定前述覆膜時，c(碳)的元素百分率為0.1atm％以上且低于20atm％，金屬元素和o(氧)的總計的元素百分率為70atm％以上，
8、前述覆膜的相對密度為90％以上，
9、前述覆膜為非晶態。
10、[2]
11、根據[1]所述的覆蓋
12、[3]
13、根據[1]或[2]所述的覆蓋基材，其中，前述覆膜中包含具有c-h鍵、c＝o鍵、c-o鍵中的至少1種結構的化合物。
14、[4]
15、根據[1]或[2所述的覆蓋基材，其中，用x射線光電子能譜法測定前述覆膜時，鹵素元素的元素百分率為0.1atm％以上。
16、[5]
17、根據[1]或[2]所述的覆蓋基材，其中，前述金屬元素為選自由al(鋁)、ti(鈦)、mo(鉬)、cr(鉻)、mn(錳)、fe(鐵)、co(鈷)、ni(鎳)、zr(鋯)、v(釩)、w(鎢)、ta(鉭)、nb(鈮)和sn(錫)組成的組中的至少1種以上。
18、專利技術的效果
19、根據本公開，提供：能用于各種領域、且能量產的新型的覆蓋基材。
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1.一種覆蓋基材，其是由覆膜覆蓋基材而成的，
2.根據權利要求1所述的覆蓋基材，其中，在所述基材上形成有所述覆膜的部位具有導電性。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的覆蓋基材，其中，所述覆膜中包含具有C-H鍵、C＝O鍵、C-O鍵中的至少1種結構的化合物。
4.根據權利要求1或權利要求2所述的覆蓋基材，其中，用X射線光電子能譜法測定所述覆膜時，鹵素元素的元素百分率為0.1atm％以上。
5.根據權利要求1或權利要求2所述的覆蓋基材，其中，所述金屬元素為選自由Al(鋁)、Ti(鈦)、Mo(鉬)、Cr(鉻)、Mn(錳)、Fe(鐵)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Zr(鋯)、V(釩)、W(鎢)、Ta(鉭)、Nb(鈮)和Sn(錫)組成的組中的至少1種以上。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種覆蓋基材，其是由覆膜覆蓋基材而成的，
2.根據權利要求1所述的覆蓋基材，其中，在所述基材上形成有所述覆膜的部位具有導電性。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的覆蓋基材，其中，所述覆膜中包含具有c-h鍵、c＝o鍵、c-o鍵中的至少1種結構的化合物。
4.根據權利要求1或權利要求2所述的覆蓋基材，其中，用x...
【專利技術屬性】
技術研發人員：村田朋來，
申請(專利權)人：日本特殊陶業株式會社，
類型：發明
國別省市：
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