【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術屬于射頻濾波器，具體涉及一種用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構。
技術介紹
1、隨著通信技術的不斷發(fā)展，對表面聲波濾波器的要求也越來越高，總體趨向更小的尺寸、更高的功率容量、更小的插入損耗和更陡峭的過渡帶。其中，更加陡峭的過渡帶意味著更好的頻率選擇性，對于濾波器、多工器或多頻段的合成濾波器，都要考慮對鄰近頻段或者wifi頻段的抑制情況。
2、對于表面聲波雙工濾波器而言，提升陡峭度的思路有兩種：一是改進其壓電結構，如采用薄膜結構的多層壓電材料，通過優(yōu)化機電耦合系數(shù)、聲阻抗和表面聲波傳播速度的方式提高諧振器的q值和能量轉化效率；二是改進電路結構。
3、本申請主要考慮改進電路結構，以四級級聯(lián)為例，其現(xiàn)有電路結構如圖1所示，包括四個諧振器(諧振器a、諧振器b、諧振器c、諧振器d)，每個諧振器的結構均相同，以諧振器a為例，其包括一對諧振匯流條a1、交錯分布于諧振匯流條a1之間的多個叉指換能器a2、分布于叉指換能器a2上下兩側的多個反射柵a3、以及與反射柵a3兩端相連的反射柵匯流條a4，且相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的兩諧振匯流條相連，如圖1中，諧振器b的諧振匯流條b1與諧振器a的右側諧振匯流條a1相連。
4、對于電路結構的改進，現(xiàn)有的方案主要包括：一、采用dms結構或dms與單端口諧振器的混合結構，有利于提升通帶低頻端的陡峭度，常用于rx濾波器；二、在串聯(lián)諧振器處直接并聯(lián)電容，通過調(diào)整反諧振點的位置增加過渡帶陡峭度；三是在并聯(lián)諧振器上增加接地電感，通過引入陷波點增加過渡帶陡峭度。第二方案雖
技術實現(xiàn)思路
1、為了解決上述問題，本專利技術提供一種用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構。其在提升過渡帶陡峭度的同時，避免了直接并聯(lián)電容方案導致器件尺寸額外增加的問題。
2、本專利技術所采用的技術方案為：
3、在第一個方面，本申請公開了一種用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，包括至少兩個諧振器，每一所述諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述至少兩個諧振器中，至少有一對相鄰的反射柵匯流條形成電容結構。
4、作為一種可選的技術方案，所述電容結構為單層電容結構或多層電容結構。
5、作為一種可選的技術方案，所述電容結構的電容縫隙為0.2-2um。
6、作為一種可選的技術方案，所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置兩個，分別為第一諧振器和第二諧振器，所述第一諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第二諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第一諧振器的內(nèi)側反射柵匯流條與第二諧振器的內(nèi)側反射柵匯流條形成電容結構。
7、作為一種可選的技術方案，所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置四個，分別為第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器和第六諧振器；所述第三諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連，所述第六諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第四諧振器與第五諧振器在相鄰區(qū)域的反射柵匯流條形成電容結構。
8、在第二個方面，本申請公開了另一種用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，包括第七諧振器、第八諧振器和第九諧振器，每一諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述第七諧振器的反射柵與第九諧振器的對應反射柵相連，所述第八諧振器的上下兩側反射柵分別與第九諧振器的外側諧振匯流條、第七諧振器的外側諧振匯流條相連；所述第七諧振器的外側諧振匯流條與上側反射柵匯流條相連，所述第九諧振器的外側諧振匯流條與下側反射柵匯流條相連。
9、作為一種可選的技術方案，所述第七諧振器的反射柵與第九諧振器的對應反射柵通過第一過橋層相連；所述第八諧振器的上側反射柵通過第二過橋層與所述第九諧振器的外側匯流條相連，所述第八諧振器的下側反射柵通過第三過橋層與所述第七諧振器的外側諧振匯流條相連；所述第二過橋層、第三過橋層與第一過橋層之間均設有過橋絕緣層。
10、在第三個方面，本申請公開了又一種用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，包括第十諧振器、第十一諧振器、第十二諧振器以及第十三諧振器；每一諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述第十諧振器的反射柵與第十二諧振器的對應反射柵相連，所述第十一諧振器的反射柵與第十三諧振器的對應反射柵相連；所述第十諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連，所述第十三諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連。
11、作為一種可選的技術方案，所述第十諧振器的反射柵與第十二諧振器的對應反射柵通過第四過橋層相連；所述第十一諧振器的反射柵與第十三諧振器的對應反射柵通過第五過橋層相連；所述第四過橋層與對應的第五過橋層之間設有過橋絕緣層。
12、本專利技術的有益效果為：本申請中，采用級聯(lián)的方式實現(xiàn)單端口諧振器，其中反射柵為短路結構，利用反射柵短路連接線(即反射柵匯流條)間的電容感應，實現(xiàn)調(diào)節(jié)諧振器反諧振點的功能，進而實現(xiàn)更陡峭的過渡帶，且其并未額外增加電容，而是利用現(xiàn)有結構中的反射柵短路連接線形成電容結構，因而不會額外增加尺寸。
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1.用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：包括至少兩個諧振器，每一所述諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述至少兩個諧振器中，至少有一對相鄰的反射柵匯流條形成電容結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述電容結構為單層電容結構或多層電容結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述電容結構的電容縫隙為0.2-2um。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置兩個，分別為第一諧振器和第二諧振器，所述第一諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第二諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第一諧振器的內(nèi)側反射柵匯流條與第二諧振器的內(nèi)側反射柵
5.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置四個，分別為第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器和第六諧振器；所述第三諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連，所述第六諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第四諧振器與第五諧振器在相鄰區(qū)域的反射柵匯流條形成電容結構。
6.用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：包括第七諧振器、第八諧振器和第九諧振器，每一諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述第七諧振器的反射柵與第九諧振器的對應反射柵相連，所述第八諧振器的上下兩側反射柵分別與第九諧振器的外側諧振匯流條、第七諧振器的外側諧振匯流條相連；所述第七諧振器的外側諧振匯流條與上側反射柵匯流條相連，所述第九諧振器的外側諧振匯流條與下側反射柵匯流條相連。
7.根據(jù)權利要求6所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述第七諧振器的反射柵與第九諧振器的對應反射柵通過第一過橋層相連；所述第八諧振器的上側反射柵通過第二過橋層與所述第九諧振器的外側匯流條相連，所述第八諧振器的下側反射柵通過第三過橋層與所述第七諧振器的外側諧振匯流條相連；所述第二過橋層、第三過橋層與第一過橋層之間均設有過橋絕緣層。
8.用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：包括第十諧振器、第十一諧振器、第十二諧振器以及第十三諧振器；每一諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述第十諧振器的反射柵與第十二諧振器的對應反射柵相連，所述第十一諧振器的反射柵與第十三諧振器的對應反射柵相連；所述第十諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連，所述第十三諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連。
9.根據(jù)權利要求8所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述第十諧振器的反射柵與第十二諧振器的對應反射柵通過第四過橋層相連；所述第十一諧振器的反射柵與第十三諧振器的對應反射柵通過第五過橋層相連；所述第四過橋層與對應的第五過橋層之間設有過橋絕緣層。
...【技術特征摘要】
1.用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：包括至少兩個諧振器，每一所述諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一對反射柵匯流條以及分布于所述一對反射柵匯流條之間的多個反射柵，其中，相鄰兩諧振器在相鄰區(qū)域的諧振匯流條相連；所述至少兩個諧振器中，至少有一對相鄰的反射柵匯流條形成電容結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述電容結構為單層電容結構或多層電容結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述電容結構的電容縫隙為0.2-2um。
4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置兩個，分別為第一諧振器和第二諧振器，所述第一諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第二諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第一諧振器的內(nèi)側反射柵匯流條與第二諧振器的內(nèi)側反射柵匯流條形成電容結構。
5.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：所述諧振器級聯(lián)個數(shù)設置四個，分別為第三諧振器、第四諧振器、第五諧振器和第六諧振器；所述第三諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連，所述第六諧振器的外側諧振匯流條與外側反射柵匯流條相連；所述第四諧振器與第五諧振器在相鄰區(qū)域的反射柵匯流條形成電容結構。
6.用于提高表面聲波濾波器邊帶陡峭度的半導體結構，其特征在于：包括第七諧振器、第八諧振器和第九諧振器，每一諧振器均包括一對諧振匯流條、分布于所述一對諧振匯流條之間的叉指換能器以及分布于所述叉指換能器兩側的反射柵結構，所述反射柵結構包括一...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：趙子豪，張樹民，蔣超，汪泉，
申請(專利權)人：左藍微江蘇電子技術有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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