【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體，尤其涉及一種半導體器件的制備方法和半導體器件。
技術介紹
1、部分半導體器件在制備過程中會制備凹槽結構，并在凹槽結構內壁制備一層氧化物絕緣層，現有技術中，氧化物絕緣層采用原子層沉積(atomic?layer?deposition，ald)工藝制備，由于ald工藝制備氧化物絕緣層的制備速度非常慢，每小時產出數量較低,因此在批量生產階段會產生巨大的設備投資金額，使得氧化物絕緣層的制備成本較高。
技術實現思路
1、本申請的目的是至少解決絕緣層制備速率較低從而使得制備成本較高的問題。該目的是通過以下技術方案實現的：
2、本申請的第一方面提出了一種半導體器件的制備方法，包括：
3、提供半導體結構層，所述半導體結構層包括第一表面和由所述第一表面凹陷形成的凹槽結構；
4、采用等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述第一表面以及所述凹槽結構的內壁形成絕緣材料層；
5、由所述絕緣材料層背離所述半導體結構層的一側沿垂直所述第一表面的方向通入干刻氣體，以對所述絕緣材料層中的至少部分區域進行減薄處理，并形成絕緣層。
6、本申請提供的半導體器件的制備方法中，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝形成絕緣材料層，等離子體增強化學氣相沉積工藝的成膜速度大于原子層沉積(atomiclayer?deposition，ald)工藝的成膜速度，從而可提升絕緣材料層的制備速度。采用干刻氣體對絕緣材料層進行刻蝕減薄從而形成絕緣層，干刻氣體由絕緣材料層背離半導
7、本申請第二方面還提供了一種半導體器件，采用本申請第一方面提供的任意一種半導體器件的制備方法制備形成。
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1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材質包括二氧化硅。
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝包括等離子體增強正硅酸乙酯淀積二氧化硅工藝。
4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層位于所述凹槽結構的側壁的部分對所述凹槽結構的側壁的覆蓋率大于或等于50％。
5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度大于或等于2000埃米。
6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述干刻氣體包括三氟化氮。
7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝和所述由所述絕緣材料層背離所述半導體結構層的一側沿垂直所述第一表面的方向通入干刻氣體的步驟在同一反應腔室內進行。
8.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述凹槽結構沿所述半導體結構層的厚度方向的
9.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體結構層包括硅襯底。
10.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述采用等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述第一表面以及所述凹槽結構的內壁形成絕緣材料層的步驟與所述由所述絕緣材料層背離所述半導體結構層的一側沿垂直所述第一表面的方向通入干刻氣體，以對所述絕緣材料層中的至少部分區域進行減薄處理，并形成絕緣層的步驟交替進行1次至10次。
11.一種半導體器件，其特征在于，采用權利要求1-10任一項所述的半導體器件的制備方法制備形成。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材質包括二氧化硅。
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝包括等離子體增強正硅酸乙酯淀積二氧化硅工藝。
4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層位于所述凹槽結構的側壁的部分對所述凹槽結構的側壁的覆蓋率大于或等于50％。
5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度大于或等于2000埃米。
6.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述干刻氣體包括三氟化氮。
7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積工藝和所述由所述絕緣材料層背離所述半導體結構層的一側...
【專利技術屬性】
技術研發人員：羅珉權，金學云，金成哲，朱寧炳，李宙相，
申請(專利權)人：成都高真科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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