【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于電磁屏蔽，具體涉及一種電磁屏蔽多孔薄膜及其制備方法。
技術(shù)介紹
1、多孔納米材料復(fù)合薄膜具有豐富的孔隙結(jié)構(gòu)，不僅能夠降低材料與空氣的界面阻抗不匹配性，使電磁波易“陷”入復(fù)合薄膜內(nèi)部，而且為電磁波提供了多重反射/散射界面，大大增加了電磁波的傳播路徑，有效地衰減電磁波。此外，多孔結(jié)構(gòu)的存在降低了材料的密度，實現(xiàn)了薄膜的輕量化，可以應(yīng)用在電磁屏蔽
2、目前，常用多孔復(fù)合薄膜制備方法為水合肼還原發(fā)泡、熱還原發(fā)泡、酸堿中和發(fā)泡等化學(xué)發(fā)泡法和物理犧牲模板法。但是這些方法都在生產(chǎn)過程中存在一定的缺陷，如步驟繁瑣、耗時長、有毒還原試劑污染大、高條件和高設(shè)備要求等，難以將多孔復(fù)合材料真正推向應(yīng)用。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法。該方法以納米材料為原料制備薄膜，經(jīng)超臨界發(fā)泡獲得多孔薄膜，該多孔薄膜大大增加了電磁波的傳播路徑，有效地衰減電磁波，具有優(yōu)異的電磁屏蔽效能，且制備方法簡單、過程無污染，解決了電磁屏蔽多孔薄膜制備過程繁瑣且制備過程污染大的問題。
2、為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案為：一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，該方法首先采用二維納米材料或者將一維納米材料與二維納米材料復(fù)合制備薄膜，然后將薄膜進(jìn)行超臨界發(fā)泡制備成電磁屏蔽多孔薄膜。
3、本專利技術(shù)的超臨界發(fā)泡過程中，通過將超臨界狀態(tài)的流體氣體注入到高壓發(fā)泡裝置中，使得氣體成分均勻擴(kuò)
4、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述超臨界發(fā)泡的過程為：將薄膜置于高壓發(fā)泡裝置中，設(shè)定目標(biāo)溫度，并向高壓發(fā)泡裝置中充入超臨界流體直至達(dá)到目標(biāo)壓力，然后靜置預(yù)設(shè)時間，泄壓后得到電磁屏蔽多孔薄膜。相較于常規(guī)聚合物發(fā)泡，本專利技術(shù)的薄膜發(fā)泡步驟簡單，無需梯度升壓或者升溫，且保壓時間短。
5、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)溫度為20℃～40℃，目標(biāo)壓力為10mpa～25mpa，預(yù)設(shè)時間為0.5h～5h。相較于常規(guī)聚合物發(fā)泡，本專利技術(shù)的薄膜發(fā)泡溫度更低、時間更短。
6、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述泄壓的溫度為5℃～50℃，泄壓的速率為1mpa/min～20mpa/min。通過控制泄壓溫度和速率，以控制發(fā)泡速度，防止co2并聚過快導(dǎo)致局部形成大孔或破孔，或者發(fā)泡速率過慢導(dǎo)致大部分co2擴(kuò)散逸出，發(fā)泡不明顯。
7、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述超臨界流體為二氧化碳或氮氣。
8、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜的方法為真空輔助過濾法、刮涂法、噴涂法或澆鑄法。
9、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述一維納米材料來源于銀納米線、銅納米線、碳納米管、碳納米纖維、纖維素納米纖維、芳綸納米纖維。
10、上述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述二維納米材料來源于石墨烯、剝離膨脹石墨片、碳納米片、mxene。
11、本專利技術(shù)中制備薄膜的一維納米材料和二維納米材料來源廣泛，表明本專利技術(shù)的制備方法在納米組裝的薄膜中具有普適性。
12、同時，本專利技術(shù)還公開了一種電磁屏蔽多孔薄膜，其特征在于，由上述的方法制備得到。
13、本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點：
14、1、本專利技術(shù)先以納米材料為原料預(yù)先制備薄膜，然后對薄膜進(jìn)行超臨界發(fā)泡形成多孔結(jié)構(gòu)，該多孔結(jié)構(gòu)不僅能夠降低多孔薄膜與空氣的界面阻抗不匹配性，使電磁波易“陷”入薄膜內(nèi)部，而且為電磁波提供了多重反射/散射界面，大大增加了電磁波的傳播路徑，有效地衰減電磁波，具有優(yōu)異的電磁屏蔽效能。
15、2、本專利技術(shù)的制備方法簡單，制備過程中無污染，解決了現(xiàn)有電磁屏蔽多孔薄膜制備過程繁瑣、耗時長、污染大、條件嚴(yán)格、對設(shè)備要求高的難題。
16、下面通過附圖和實施例對本專利技術(shù)的技術(shù)方案作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，該方法首先采用二維納米材料或者將一維納米材料與二維納米材料復(fù)合制備薄膜，然后將薄膜進(jìn)行超臨界發(fā)泡制備成電磁屏蔽多孔薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述超臨界發(fā)泡的過程為：將薄膜置于高壓發(fā)泡裝置中，設(shè)定目標(biāo)溫度，并向高壓發(fā)泡裝置中充入超臨界流體直至達(dá)到目標(biāo)壓力，然后靜置預(yù)設(shè)時間，泄壓后得到電磁屏蔽多孔薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)溫度為20℃～40℃，目標(biāo)壓力為10MPa～25MPa，預(yù)設(shè)時間為0.5h～5h。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述泄壓的溫度為5℃～50℃，泄壓的速率為1MPa/min～20MPa/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述超臨界流體為二氧化碳或氮氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備薄膜的方法為真空輔助過濾法、刮涂法、噴涂法或澆
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述一維納米材料來源于銀納米線、銅納米線、碳納米管、碳納米纖維、纖維素納米纖維、芳綸納米纖維。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述二維納米材料來源于石墨烯、剝離膨脹石墨片、碳納米片、MXene。
9.一種電磁屏蔽多孔薄膜，其特征在于，由權(quán)利要求1～8中任一權(quán)利要求所述的方法制備得到。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，該方法首先采用二維納米材料或者將一維納米材料與二維納米材料復(fù)合制備薄膜，然后將薄膜進(jìn)行超臨界發(fā)泡制備成電磁屏蔽多孔薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述超臨界發(fā)泡的過程為：將薄膜置于高壓發(fā)泡裝置中，設(shè)定目標(biāo)溫度，并向高壓發(fā)泡裝置中充入超臨界流體直至達(dá)到目標(biāo)壓力，然后靜置預(yù)設(shè)時間，泄壓后得到電磁屏蔽多孔薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述目標(biāo)溫度為20℃～40℃，目標(biāo)壓力為10mpa～25mpa，預(yù)設(shè)時間為0.5h～5h。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種電磁屏蔽多孔薄膜的制備方法，其特征在于，所述泄壓的溫度為5℃～50℃，泄壓的速率為1mpa...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙輝，李帥，王敬楓，闞東曉，陳安琦，
申請(專利權(quán))人：西北有色金屬研究院，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。