【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光學臨近效應修正，特別是涉及基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法、裝置、介質及程序產品。
技術介紹
1、隨著芯片設計復雜程度的提高，一張版圖上的圖形設計在不同區域差異很大，包括圖形尺寸的大小，圖形密集度，以及圖形的制造精度要求都會不一樣。例如，邏輯芯片上的靜態存儲區域與邏輯電路區域，存儲芯片的存儲陣列區與外圍電路區等等。由于他們在同一張掩模版上進行同時曝光，現有光學臨近修正技術會用一個光刻模型對整張掩模版進行修正。但是，由于受到圖形復雜程度的影響，以及經常遇到前層不同區域薄膜疊層受工藝影響而產生的差異，實際上很難用一個光刻模型準確修正所掩模版上所有圖形。
2、目前，常用的方法是模型選擇對版圖上較為重要的區域進行重點校準，其它區域通過分析實際量測值與模型預測值之間的差異，提取誤差規律，通過提前對這部分區域圖形進行目標值的模型偏差補償，然后對整張版圖通過基于模型光學臨近修正，最終修正后的版圖在光刻后能夠得到較為準確光刻目標圖形。這種方法的好處是可以使用一個模型對整張復雜光刻版圖完成較為精確的光學臨近修正。然而，這種方法也存在如下缺陷，對光刻模型模擬誤差較大區域進行目標值預補償時，補償規則的提取較為復雜，而且精確度不高，最終導致整個光學臨近效應修正工作效率及精度較差。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法、裝置、介質及程序產品，用于解決現有光學臨近效應修正方法的工作效率及精度較差的技術問題
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術的第一方面提供一種基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，包括：根據對當前光刻條件的分析結果判斷前層薄膜疊層是否在不同區域存在差異；評估所述差異對當層光刻圖形成像的影響，根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據；利用所述建模數據分別進行光刻模型校準，其包括：若相同晶圓上不同類型建模數據的模型擬合誤差超過預設閾值，則分別設置數據權重并為各類型建模數據建立對應的子光刻模型；在進行光學臨近修正之前，對輸入版圖的圖形按照前層不同薄膜疊層區域圖形以及不同類型圖形進行分類并標記；在進行光學臨近修正過程中，分別調用對應的光刻模型或子光刻模型對不同類別的圖形進行模擬并修正。
3、于本專利技術的第一方面的一些實施例中，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程包括：若前層薄膜疊層在不同區域存在的差異對當層光刻圖形成像產生影響，則配置不同薄膜疊層的晶圓并根據圖形區域重要程度從這些晶圓中擇一作為錨點晶圓，利用測試掩膜在所述錨點晶圓上進行曝光以確定最佳曝光參數，使用測試掩膜版對所有晶圓按照最佳曝光參數進行同條件曝光和采樣，據以采樣建模數據。
4、于本專利技術的第一方面的一些實施例中，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程還包括：若前層薄膜疊層在不同區域存在的差異對當層光刻圖形成像未產生影響，則僅配置一種薄膜疊層的晶圓，利用測試掩膜版在所配置的晶圓上進行曝光和采樣，據以采樣建模數據。
5、于本專利技術的第一方面的一些實施例中，所述在進行光學臨近修正過程中，分別調用對應的光刻模型或子光刻模型對不同類別的圖形進行模擬并修正，其包括：進入光學臨近修正循環；在每次循環內，判斷每個最小模擬單元內的圖形標記種類；若只有一種圖形標記，則調用該圖形標記對應的光刻模型或子光刻模型進行輪廓仿真和修正；若包括兩種及以上的標記圖形，則分別調用各種標記圖形所對應的光刻模型或子光刻模型對整個模擬單元進行輪廓仿真，并針對各自圖形部分進行修正；當每個圖形模擬輪廓收斂至目標值時修正循環結束，輸出最終修正完成的版圖。
6、于本專利技術的第一方面的一些實施例中，所述根據對當前光刻條件的分析結果判斷前層薄膜疊層是否在不同區域存在差異，其判斷方式包括如下任一種或多種的組合：通過測量前層薄膜疊層在不同區域的光刻膠厚度，進而分析前層薄膜疊層是否存在厚度差異；通過成像仿真分析來評估前層薄膜疊層在不同區域的光強分布差異，進而分析前層薄膜疊層在不同區域是否存在差異；通過測量和分析前層薄膜疊層不同區域的光學常數，進而分析前層薄膜得層在不同區域是否存在差異；所述光學常數包括折射率、消光系數、光學帶隙、色散模型參數。
7、于本專利技術的第一方面的一些實施例中，所述建模數據包括：關鍵尺寸數據、缺陷檢測數據、工藝參數、虛擬量測數據、radon變換數據；所述光刻模型包括：光學傳播模型、光刻膠反應動力學模型、光刻膠曝光模型、光刻膠顯影模型。
8、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術的第二方面提供一種基于多個光刻模型的光學臨近效應修正裝置，包括：數據采集模塊，用于根據對當前光刻條件的分析結果判斷前層薄膜疊層是否在不同區域存在差異；評估所述差異對當層光刻圖形成像的影響，根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據；模型校準模塊，用于利用所述建模數據分別進行光刻模型校準，其包括：若相同晶圓上不同類型建模數據的模型擬合誤差超過預設閾值，則分別設置數據權重并為各類型建模數據建立對應的子光刻模型；圖形修正模塊，用于在進行光學臨近修正之前，對輸入版圖的圖形按照前層不同薄膜疊層區域圖形以及不同類型圖形進行分類并標記；在進行光學臨近修正過程中，分別調用對應的光刻模型或子光刻模型對不同類別的圖形進行模擬并修正。
9、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術的第三方面提供一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
10、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術的第四方面提供一種計算機程序產品，所述計算機程序產品中包括計算機程序代碼，當所述計算機程序代碼在計算機上運行時，使得所述計算機實現所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
11、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術的第五方面提供一種計算機裝置，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序；所述處理器執行所述計算機程序以實現所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
12、如上所述，本專利技術的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法、裝置、介質及程序產品，具有以下有益效果：本專利技術通過建立并使用多個不同光刻模型對復雜光刻層上不同種類、不同區域的圖形分別進行修正，極大地提高了每一部分圖形的光刻精度，并極大地提高了光學臨近修正效應。
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1.一種基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程包括：
3.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程還包括：
4.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述在進行光學臨近修正過程中，分別調用對應的光刻模型或子光刻模型對不同類別的圖形進行模擬并修正，其包括：
5.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據對當前光刻條件的分析結果判斷前層薄膜疊層是否在不同區域存在差異，其判斷方式包括如下任一種或多種的組合：
6.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述建模數據包括：關鍵尺寸數據、缺陷檢測數據、工藝參數、虛擬量測數據、Radon變換數據；所述光刻模型包括：光學傳
7.一種基于多個光刻模型的光學臨近效應修正裝置，其特征在于，包括：
8.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1至6中任一項所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
9.一種計算機程序產品，其特征在于，所述計算機程序產品中包括計算機程序代碼，當所述計算機程序代碼在計算機上運行時，使得所述計算機實現如權利要求1至6中任一項所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
10.一種計算機裝置，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序以實現權利要求1至6中任一項所述基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法。
...【技術特征摘要】
1.一種基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程包括：
3.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據評估結果配置一或多種晶圓并分別進行曝光以采樣建模數據，其過程還包括：
4.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述在進行光學臨近修正過程中，分別調用對應的光刻模型或子光刻模型對不同類別的圖形進行模擬并修正，其包括：
5.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修正方法，其特征在于，所述根據對當前光刻條件的分析結果判斷前層薄膜疊層是否在不同區域存在差異，其判斷方式包括如下任一種或多種的組合：
6.根據權利要求1所述的基于多個光刻模型的光學臨近效應修...
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚軍，黃光遙，
申請(專利權)人：華芯程杭州科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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