【技術實現步驟摘要】
本申請涉及聲表面波器件，特別是涉及一種復合基板及其制備方法。
技術介紹
1、聲表面波(saw)器件被廣泛使用在通信設備(如移動電話)中，起到去除信號中噪聲的作用。saw器件由壓電基板及其上的電極等構成，其原理是基于一種用石英、鈮酸鋰或釬鈦酸鉛等壓電晶體為基板，在其表面拋光后在上面蒸發一層金屬膜，通過光刻工藝制成兩組具有能量轉換功能的交叉指型的金屬電極，給金屬電極輸入電信號，輸入的信號經電-聲-電轉換過程，最終以電信號輸出。由于具有壓電效應的壓電基板材料在使用過程中產生大量的熱量，這些熱量如不能及時散出，溫度升高將影響其壓電性能，降低saw器件使用性能，因此，需將壓電基板與具有良好散熱性能的支撐基板結合使用。由于使用過程中壓電基板因為受到來自輸入電信號的應力而變形，因此，安裝壓電基板的支撐基板散熱性能優良的同時還必須具有高的強度。
2、現有的支撐基板材料中單晶主要有藍寶石單晶，但藍寶石單晶硬度高，莫氏硬度為9，加工難度大，且較為昂貴，導致加工和材料成本高。多晶材料主要有氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅、氮化硅、氮化鋁、碳化硅以及鎂鋁尖晶石等多晶材料，但使用多晶材料制備的支撐基板存在質量一致性差、加工性能差、成品率和產率低的問題。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種復合基板及其制備方法，能夠降低復合基板的加工難度，減小復合基板的加工成本和材料成本、改善復合基板的質量一致性和加工性能，提高成品率和產率。具體技術方案如下：
2、本申請第一方面提供一種復合基板，其包括
3、在本申請的一種實施方案中，所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的平均粗糙度ra為0.01nm-8nm。
4、在本申請的一種實施方案中，所述壓電基板選自壓電晶體晶圓，所述壓電晶體晶圓選自鉭酸鋰晶圓、鈮酸鋰晶圓、鎵酸鋰晶圓、鍺酸鋰晶圓和鍺酸鈦晶圓中的至少一種。
5、在本申請的一種實施方案中，所述壓電晶體晶圓的下表面的pv值為2nm-30nm。
6、在本申請的一種實施方案中，所述壓電晶體晶圓的下表面的平均粗糙度ra為0.01nm-8nm。
7、本申請的第二方面提供了一種制備本申請第一方面提供的復合基板的方法，其包括以下步驟：
8、將鎂鋁尖晶石單晶進行切割、外形加工、粗磨、精磨和拋光，獲得所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓；
9、將壓電晶體晶圓進行拋光處理，獲得拋光后的壓電晶體晶圓；
10、將所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面和所述拋光后的壓電晶體晶圓的下表面進行表面處理，然后將所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面與所述拋光后的壓電晶體晶圓的下表面進行鍵合，獲得所述復合基板。
11、在本申請的一種實施方案中，所述鍵合通過在真空爐中進行加壓處理或將活化處理后的表面常溫貼合的方法進行。
12、本申請有益效果：
13、本申請提供了一種復合基板及其制備方法，復合基板包括壓電基板和支撐基板，支撐基板選自鎂鋁尖晶石單晶晶圓，壓電基板的下表面與支撐基板的上表面鍵合，鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的pv值為2nm-30nm。復合基板的制備方法包括：將鎂鋁尖晶石單晶進行切割、外形加工、粗磨、精磨和拋光，獲得鎂鋁尖晶石單晶晶圓；獲得拋光后的壓電晶體晶圓；將上述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面和拋光后的壓電晶體晶圓的下表面進行表面處理，然后將鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面與拋光后的壓電晶體晶圓的下表面進行鍵合，獲得復合基板。本申請提供的復合基板滿足上述特征，能夠降低復合基板的加工難度，減小復合基板的加工成本和材料成本、改善復合基板的質量一致性和加工性能，提高成品率和產率。
14、當然，實施本申請的任一產品或方法并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。
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1.一種復合基板，其包括壓電基板和支撐基板，所述支撐基板選自鎂鋁尖晶石單晶晶圓，所述壓電基板的下表面與所述支撐基板的上表面鍵合，所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的PV值為2nm-30nm。
2.根據權利要求1所述的復合基板，其中，所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的平均粗糙度Ra為0.01nm-8nm。
3.根據權利要求1所述的復合基板，其中，所述壓電基板選自壓電晶體晶圓，所述壓電晶體晶圓選自鉭酸鋰晶圓、鈮酸鋰晶圓、鎵酸鋰晶圓、鍺酸鋰晶圓和鍺酸鈦晶圓中的至少一種。
4.根據權利要求3所述的復合基板，其中，所述壓電晶體晶圓的下表面的PV值為2nm-30nm。
5.根據權利要求3所述的復合基板，其中，所述壓電晶體晶圓的下表面的平均粗糙度Ra為0.01nm-8nm。
6.一種根據權利要求1-5中任一項所述的復合基板的制備方法，其包括以下步驟：
7.根據權利要求6所述的制備方法，其中，所述鍵合通過在真空爐中進行加壓處理或將活化處理后的表面常溫貼合的方法進行。
【技術特征摘要】
1.一種復合基板，其包括壓電基板和支撐基板，所述支撐基板選自鎂鋁尖晶石單晶晶圓，所述壓電基板的下表面與所述支撐基板的上表面鍵合，所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的pv值為2nm-30nm。
2.根據權利要求1所述的復合基板，其中，所述鎂鋁尖晶石單晶晶圓的上表面的平均粗糙度ra為0.01nm-8nm。
3.根據權利要求1所述的復合基板，其中，所述壓電基板選自壓電晶體晶圓，所述壓電晶體晶圓選自鉭酸鋰晶圓、鈮酸鋰晶圓、鎵酸鋰晶圓、鍺酸鋰晶圓和鍺...
【專利技術屬性】
技術研發人員：黃存新，雷牧云，王曉亮，王海麗，
申請(專利權)人：中材人工晶體研究院有限公司，
類型：發明
國別省市：
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