【技術實現步驟摘要】
本技術涉及芯片性能測試，尤其涉及一種芯片測試加熱工裝以及應用該加熱工裝的控溫裝置。
技術介紹
1、芯片的運行受工作溫度影響大，在過高、過低溫度下，芯片容易失效。在工規、車規、航天航空領域，為了保證芯片在較大溫度區間能保持較高穩定性，需要在常溫測試之外，添加低溫/高溫測試，隨著車規、工規類芯片需求的增長，三溫測試日益成為芯片測試行業未來發展的方向。
2、中國專利cn219456389u公開了一種芯片高低溫測試用溫控裝置，包括芯片放置架，芯片放置架的內具有容納框，容納框內設有多個定位柱；加熱板緊貼在芯片放置架的下表面；若干個半導體制冷器的上表面緊貼在所述加熱板的下表面；散熱部設置在半導體制冷器的下表面上，散熱部內具有水冷管路，半導體制冷器的下表面緊貼在所述水冷管路上，本技術通過將芯片放置架、加熱板和多個半導體制冷器上下堆疊起來實現對芯片的不同溫度切換，改進成本低，操作方便，同時增設了一個散熱部對半導體制冷器下表面釋放的熱量進行散熱，提升了半導體制冷器的制冷效果，使得芯片在不同溫度切換時速度快，提升了測試的效率；結構小型化，滿足了多場景的使用需求。
3、但是該技術方案水冷系統的造價較高，所需配件多，結構復雜，安裝不方便，由于涉及到水的使用，當溫度過高時，水會被蒸發，導致降溫效果不好，需要定期檢查和更換冷卻液，以確保系統的正常運行，使用不便，且制冷器產生的熱量會使制冷機的安裝部位升溫，根據排氣口和機械的安裝位置，需要在機身的兩側和上方增加散熱孔，從而增加了機械的制造費用，在溫度較高的地方，制冷器的產能將會降低，會
技術實現思路
1、本技術的目的是針對現有技術的不足之處，提供一種芯片測試加熱工裝以及應用該加熱工裝的控溫裝置，通過金屬基座以及加熱片將端面熱傳感器快速加熱到指定溫度，以保證芯片的溫度符合測試需求，再通過溫度控制器以及液氮降溫機構兩者的結合使用，實現對該工裝的溫度控制，進而實現對芯片快速準確調節溫度的功能，解決現有技術降溫效果不好的問題。
2、為實現上述目的，本技術提供如下技術方案：
3、一種芯片測試加熱工裝，包括：
4、金屬基座，其上方設置有芯片安放機構；
5、若干個加熱片，設置在所述金屬基座上；
6、導熱墊，覆蓋在所述加熱片的表面，待測試芯片放置在所述導熱墊上；以及
7、端面熱傳感器，設置在所述導熱墊上，所述端面熱傳感器設置在所述芯片安放機構的內部，且所述端面熱傳感器緊靠待測試芯片設置。
8、優選的，所述金屬基座上設置有若干個與所述加熱片相適配的安裝槽。
9、優選的，所述端面熱傳感器采用高溫膠固封于套筒內。
10、優選的，所述套筒為圓柱形。
11、優選的，所述套筒的外徑不大于5mm。
12、一種芯片測試控溫裝置，包括：上述的一種芯片測試加熱工裝，還包括：溫度控制器，設置在所述金屬基座的外側；以及液氮降溫機構。
13、優選的，所述液氮降溫機構與所述溫度控制器之間通過第一連接件連接，所述液氮降溫機構通過管道與所述金屬基座相連接。
14、優選的，所述溫度控制器與所述加熱片之間通過第一導線連接，所述第一導線與所述溫度控制器之間通過第二連接件連接。
15、優選的，所述溫度控制器與所述端面熱傳感器之間通過第二導線連接，所述第二導線與所述溫度控制器之間通過第三連接件連接，所述第二連接件與所述第三連接件均為航空插頭。
16、優選的，所述第一導線與所述第二導線的外周均設置有阻燃線管。
17、優選的，所述端面熱傳感器的外周封裝有套筒，所述套筒為圓柱形，且所述套筒的外徑不大于5mm。
18、優選的，所述端面熱傳感器的材質為pt100，所述加熱片的材質為氮化鋁，所述金屬基座的材質為銅。
19、本技術的有益效果在于：
20、（1）本技術通過對金屬基座加熱，再將熱量傳遞給加熱片，加熱片再對端面熱傳感器進行加熱，且芯片緊靠端面熱傳感器設置，保證了芯片能夠快速被加熱，此時只需要測量端面熱傳感器的溫度即可得到芯片的實時溫度，使用方便，不需要直接測量芯片的溫度，避免了直接測量芯片溫度操作不便的問題，且該工裝的導熱性好，升溫速率快，提高了芯片的升溫效率，進而提高了測試效率，
21、（2）本技術通過測量端面熱傳感器的實時溫度并反饋給溫度控制器，然后溫度控制器根據溫度的變化，對液氮降溫機構下達指令，若需要降溫，液氨降溫機構會開始工作對芯片進行降溫，整個過程操作簡單，能夠及時的根據溫度的變化對芯片進行對應的升溫或降溫操作，使用方便。
22、（3）本技術通過液氮進行降溫是因其具有化學惰性，能夠保護芯片不受損壞，降溫效果好，能夠快速降溫，效率高，進而保證芯片的溫度變化能歐保持穩定，使得測量結果更加精確。
23、綜上所述，本技術具有工作效率高、測試結果精度高、操作簡單和使用方便等優點。
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1.一種芯片測試加熱工裝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種芯片測試加熱工裝，其特征在于，所述金屬基座上設置有若干個與所述加熱片相適配的安裝槽。
3.根據權利要求1所述的一種芯片測試加熱工裝，其特征在于，所述端面熱傳感器采用高溫膠固封于套筒內。
4.根據權利要求3所述的一種芯片測試加熱工裝，其特征在于，所述套筒為圓柱形。
5.根據權利要求3所述的一種芯片測試加熱工裝，其特征在于，所述套筒的外徑不大于5mm。
6.一種芯片測試控溫裝置，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的一種芯片測試加熱工裝，還包括溫度控制器，設置在所述金屬基座的外側；以及液氮降溫機構。
7.根據權利要求6所述的一種芯片測試控溫裝置，其特征在于，所述液氮降溫機構與所述溫度控制器之間通過第一連接件連接；所述液氮降溫機構通過管道與所述金屬基座相連接。
8.根據權利要求6所述的一種芯片測試控溫裝置，其特征在于，所述溫度控制器與所述加熱片之間通過第一導線連接，所述第一導線與所述溫度控制器之間通過第二連接件連接。
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