【技術實現步驟摘要】
本公開涉及一種多層電子組件。
技術介紹
1、多層陶瓷電容器(mlcc，一種多層電子組件)可以是安裝在各種電子產品(包括圖像顯示裝置(諸如，液晶顯示器(lcd)和等離子顯示面板(pdp))、計算機、智能電話、移動電話等)的印刷電路板上并且用于在其中充電或從其放電的片式電容器。由于這種多層陶瓷電容器可具有小尺寸和高電容并且可易于安裝，因此這種多層陶瓷電容器可用作各種電子裝置的組件。
2、最近，為了確保多層陶瓷電容器的每單位體積的電容，多層陶瓷電容器已經小型化，因此，多層陶瓷電容器的保護用于形成電容的電容形成部的覆蓋部的厚度已經減小。然而，隨著覆蓋部的厚度減小，多層陶瓷電容器的機械強度可能減弱，這可能導致多層陶瓷電容器中的裂紋或脆性斷裂。裂紋可能成為外部濕氣進入多層陶瓷電容器的路徑，導致多層陶瓷電容器的耐濕可靠性降低。
3、因此，為了防止多層陶瓷電容器的機械強度和耐濕可靠性降低，可能需要研究改善覆蓋部的硬度和韌性。
技術實現思路
1、本公開的實施例在于提供一種具有改善的機械強度和耐濕可靠性的多層電子組件。
2、根據本公開的實施例，一種多層電子組件包括：主體，包括電容形成部和覆蓋部，所述電容形成部包括在第一方向上交替設置的介電層和內電極，所述覆蓋部設置在所述電容形成部的在所述第一方向上彼此相對的兩個表面上；以及外電極，設置在所述主體上，并且連接到所述內電極，其中，所述覆蓋部包括聚多巴胺。
【技術保護點】
1.一種多層電子組件，包括：
2.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述覆蓋部中的聚多巴胺的至少一部分是氮摻雜的碳化聚多巴胺。
3.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述覆蓋部中的氮相對于包括在所述覆蓋部中的全部元素的原子百分比大于0at％且小于等于3at％。
4.根據權利要求1所述的多層電子組件，
5.根據權利要求1所述的多層電子組件，
6.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在所述覆蓋部中，當使用X射線光電子能譜儀分析時，檢測到N1s峰和C1s峰。
7.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在所述覆蓋部的拉曼分析期間，在1360cm-1至1380cm-1的拉曼位移處檢測到第一峰，并且在1610cm-1至1630cm-1的拉曼位移處檢測到第二峰。
8.根據權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一峰的最大強度與所述第二峰的最大強度的比值大于等于0.01且小于等于1.50。
9.根據權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一峰的半峰全寬大于等于80cm
10.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述介電層不含聚多巴胺。
11.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述介電層包括聚多巴胺，包括在所述介電層中的聚多巴胺的重量百分比小于包括在所述覆蓋部中的聚多巴胺的重量百分比。
12.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在使用X射線光電子能譜儀的分析期間，在所述覆蓋部中檢測到N1s峰，并且在所述介電層中檢測不到所述N1s峰。
13.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在拉曼分析期間，在所述覆蓋部中，在1360cm-1至1380cm-1的拉曼位移處檢測到第一峰，在1610cm-1至1630cm-1的拉曼位移處檢測到第二峰，并且在所述介電層中，在1360cm-1至1380cm-1的拉曼位移以及1610cm-1至1630cm-1的拉曼位移中的至少一個處檢測不到峰。
14.根據權利要求1所述的多層電子組件，
15.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述覆蓋部中的聚多巴胺的至少一部分是氮摻雜的碳化聚多巴胺，
16.根據權利要求15所述的多層電子組件，其中，所述介電層不含聚多巴胺。
17.根據權利要求15所述的多層電子組件，其中，所述介電層包括聚多巴胺，并且
...【技術特征摘要】
1.一種多層電子組件，包括：
2.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述覆蓋部中的聚多巴胺的至少一部分是氮摻雜的碳化聚多巴胺。
3.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，包括在所述覆蓋部中的氮相對于包括在所述覆蓋部中的全部元素的原子百分比大于0at％且小于等于3at％。
4.根據權利要求1所述的多層電子組件，
5.根據權利要求1所述的多層電子組件，
6.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在所述覆蓋部中，當使用x射線光電子能譜儀分析時，檢測到n1s峰和c1s峰。
7.根據權利要求1所述的多層電子組件，其中，在所述覆蓋部的拉曼分析期間，在1360cm-1至1380cm-1的拉曼位移處檢測到第一峰，并且在1610cm-1至1630cm-1的拉曼位移處檢測到第二峰。
8.根據權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一峰的最大強度與所述第二峰的最大強度的比值大于等于0.01且小于等于1.50。
9.根據權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一峰的半峰全寬大于等于80cm-1且小于等于90cm-1，并且所述第二峰的半峰全寬大于等于100cm-1且小于等于110cm-1。
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【專利技術屬性】
技術研發人員：樸廷振，樸龍，樸觀洙，崔虎森，白珞鉉，崔孝成，金善美，李種晧，
申請(專利權)人：三星電機株式會社，
類型：發明
國別省市：
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