【技術實現步驟摘要】
本專利技術是有關于一種存儲器裝置及其預充電方法。
技術介紹
1、隨著存儲器裝置的儲存密度增加，如何得到較好的讀取窗口(read?window)也愈來愈重要。編程干擾(program?disturbance)是影響讀取窗口的一個因子。寫入電壓過大、在禁止單元(inhibit?cell)處的升壓通道(boosting?channel)不夠，或者是，升壓通道的突然下降(abrupt?slope)都有可能使得讀取窗口變小，進而影響到存儲器裝置的性能。
2、通道電平的突然下降有可能會造成熱載子注入(hot?carrier?injection，he)效應，進而導致較小的讀取窗口。以目前的預充電方法來看，對于待預充電字線施加相同電壓。如果在相鄰的預充電導通字線與預充電關閉字線之間的電壓差過大的話，則會導致熱載子注入效應，進而導致較小的讀取窗口。
3、圖1示意性示出了現有技術的熱載子注入效應。在圖1中，csl代表共同源極線(common?source?line)，gsl代表整體源極線(global?source?line)、ssl代表串選擇線(string?select?line)，bl代表位線。如圖1所示，在預充電階段，關閉字線wl0、wl4、wl5…；以及，導通字線wl1、wl2與wl3，在此，例如，施加至字線wl0、wl4、wl5…的關閉電壓為0v，而施加至字線wl1、wl2與wl3的導通電壓為4.5v。在此假設，字線wl0-wl3皆為擦除狀態(er)(具有最低閾值電壓)，而字線wl4、wl5則為狀態g(具有最高閾
4、故而，業界努力避免熱載子注入效應，以得到較好的讀取窗口，進而增加存儲器裝置的性能。
技術實現思路
1、根據本專利技術一方面，提出一種存儲器裝置的預充電方法，包括：施加獨立控制的多個預充電電壓至多個導通字線，這些預充電電壓從多個參考預充電電壓中選擇；以及施加多個關閉電壓至多個關閉字線，其中，在一既定方向上，這些導通字線的一目標導通字線相鄰于這些關閉字線的一下一相鄰目標關閉字線；以及從該目標導通字線往該下一相鄰目標關閉字線的一電壓差小于一既定參考電壓差。
2、根據本專利技術另一方面，提出一種存儲器裝置，包括：一存儲器陣列；一驅動電路，耦接并驅動該存儲器陣列；以及一存儲器控制電路，耦接并控制該驅動電路。在一預充電階段中，在該存儲器控制電路的控制下，該驅動電路施加獨立控制的多個預充電電壓至該存儲器陣列的多個導通字線，這些預充電電壓從多個參考預充電電壓中選擇；以及在該存儲器控制電路的控制下，該驅動電路施加多個關閉電壓至該存儲器陣列的多個關閉字線。在一既定方向上，這些導通字線的一目標導通字線相鄰于這些關閉字線的一下一相鄰目標關閉字線；以及，從該目標導通字線往該下一相鄰目標關閉字線的一電壓差小于一既定參考電壓差。
3、為了對本專利技術的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合附圖詳細說明如下。
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1.一種存儲器裝置的預充電方法，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，該既定參考電壓差有關于這些參考預充電電壓的一最高參考預充電電壓與這些參考預充電電壓的一最低參考預充電電壓的一電壓差。
4.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，這些關閉字線的一關閉字線間雜于這些導通字線之間。
6.一種存儲器裝置，包括：
7.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中，
8.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中，該既定參考電壓差有關于這些參考預充電電壓的一最高參考預充電電壓與這些參考預充電電壓的一最低參考預充電電壓的一電壓差。
9.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中，
10.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中，這些關閉字線的一關閉字線間雜于這些導通字線之間。
【技術特征摘要】
1.一種存儲器裝置的預充電方法，包括：
2.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，
3.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，該既定參考電壓差有關于這些參考預充電電壓的一最高參考預充電電壓與這些參考預充電電壓的一最低參考預充電電壓的一電壓差。
4.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，
5.根據權利要求1所述的存儲器裝置的預充電方法，其中，這些關閉字線的一關閉字線間...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳哲平，李亞叡，黃昱閎，
申請(專利權)人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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