【技術實現步驟摘要】
本技術屬于焊接，具體涉及一種芯片焊接裝置。
技術介紹
1、在現有技術中，芯片的錫膏融化主要是通過加熱輸送底板和厚度至少為?3mm的加熱板至?370℃來實現。在加熱過程中，為了融化芯片上的錫膏，需要將整個輸送底板和加熱板全部加熱到高溫，實際上融化錫膏所需的熱量僅占很小一部分，其余大量熱量被浪費，造成能源的極大浪費。在融化錫膏升溫時，從低溫逐步升溫至所需溫度，持續時間較長，使得芯片長時間處在升溫環境中。由于芯片處在高溫環境下的時間應越短越好，而現有技術無法滿足這一要求，芯片上的其余材料很容易在長時間高溫下遭到破壞，進而影響芯片的性能。
技術實現思路
1、本技術的目的在于克服現有技術的不足，提供一種芯片焊接裝置，減少芯片處于高溫環境下的時間，提高熱量利用率，保證芯片質量的同時，降低能耗節約資源。
2、為實現上述目的本技術采用的技術方案是：一種芯片焊接裝置，包括芯片輸送組件、位置調節組件和加熱組件，芯片輸送組件可移動的設置在工作臺上，并從安裝架下方穿過；加熱組件與位置調節組件輸出端連接，位置調節組件帶動加熱組件靠近或遠離芯片。
3、優選的，所述加熱組件包括固定座和至少兩個加熱體，所述固定座與位置調節組件連接，加熱體間隔設置在固定座上，兩個加熱體分別加熱芯片兩側的框架。
4、優選的，相鄰兩個加熱體的間距大于芯片寬度。
5、優選的，所述位置調節組件為升降氣缸，工作臺上設有安裝架，升降氣缸設置在安裝架上，加熱組件與升降氣缸活塞桿下端部連接。
...【技術保護點】
1.一種芯片焊接裝置，其特征在于：包括芯片輸送組件、位置調節組件和加熱組件，芯片輸送組件可移動的設置在工作臺（1）上，并從安裝架（3）下方穿過；加熱組件與位置調節組件輸出端連接，位置調節組件帶動加熱組件靠近或遠離芯片（10）。
2.根據權利要求1所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述加熱組件包括固定座（7）和至少兩個加熱體（8），所述固定座（7）與位置調節組件連接，加熱體（8）間隔設置在固定座（7）上，兩個加熱體（8）分別加熱芯片（10）兩側的框架（11）。
3.根據權利要求2所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：相鄰兩個加熱體（8）的間距大于芯片（10）寬度。
4.根據權利要求1或2所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述位置調節組件為升降氣缸（6），工作臺（1）上設有安裝架（3），升降氣缸（6）設置在安裝架（3）上，加熱組件與升降氣缸（6）活塞桿下端部連接。
5.根據權利要求1所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：還包括真空外罩（4）和連接管（5），所述真空外罩（4）罩設在加熱組件外，頂部與位置調節組件輸出端連接，連接管（5）一端
6.根據權利要求5所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：在所述真空外罩（4）底部還設有密封圈。
7.根據權利要求1所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述芯片輸送組件為輸送底板（2），輸送底板（2）連接有帶動其在工作臺（1）上移動的傳動組件。
8.根據權利要求7所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述傳動組件為鏈條。
...【技術特征摘要】
1.一種芯片焊接裝置，其特征在于：包括芯片輸送組件、位置調節組件和加熱組件，芯片輸送組件可移動的設置在工作臺（1）上，并從安裝架（3）下方穿過；加熱組件與位置調節組件輸出端連接，位置調節組件帶動加熱組件靠近或遠離芯片（10）。
2.根據權利要求1所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述加熱組件包括固定座（7）和至少兩個加熱體（8），所述固定座（7）與位置調節組件連接，加熱體（8）間隔設置在固定座（7）上，兩個加熱體（8）分別加熱芯片（10）兩側的框架（11）。
3.根據權利要求2所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：相鄰兩個加熱體（8）的間距大于芯片（10）寬度。
4.根據權利要求1或2所述的一種芯片焊接裝置，其特征在于：所述位置調節組件為升降氣缸（6），工...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李向東，
申請(專利權)人：山東才聚電子科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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