【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于傳感器件，具體涉及一種傳感器及電子設(shè)備。
技術(shù)介紹
1、防水氣壓傳感器利用大氣壓的壓力特性，將壓力輸入直接轉(zhuǎn)換成電學(xué)信號(hào)的變化，采用集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大、去噪、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)換，對(duì)溫度漂移、非線性、靈敏度等進(jìn)行電學(xué)或者數(shù)字式的校正，獲得線性、與溫度相關(guān)性小的輸入輸出關(guān)系。目前防水類氣壓傳感器主要瓶頸工藝是將凝膠填充防水(gel?filled?waterproof)，回流過程基板和殼體之間的錫膏會(huì)產(chǎn)生氣泡并固定在凝膠里，導(dǎo)致壓力值異常，影響傳感器檢測(cè)的準(zhǔn)確性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)的目的是至少解決現(xiàn)有氣壓傳感器檢測(cè)的準(zhǔn)確性較差的問題。該目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
2、本技術(shù)的第一方面提出了一種傳感器，包括：
3、外殼組件，包括基板和設(shè)于所述基板上的殼體，所述殼體和所述基板合圍形成容納腔，所述殼體和所述基板之間設(shè)有導(dǎo)電膠層，所述導(dǎo)電膠層用于連接所述基板和所述殼體；
4、傳感芯片，位于所述容納腔，且設(shè)于所述基板朝向所述容納腔的一側(cè)。
5、根據(jù)本技術(shù)的傳感器，殼體和基板之間通過導(dǎo)電膠層進(jìn)行連接，導(dǎo)電膠層導(dǎo)電穩(wěn)定，在進(jìn)行回流工序時(shí)，不易產(chǎn)生局部高溫反應(yīng)，進(jìn)而減少氣泡的產(chǎn)生并進(jìn)入到容納腔內(nèi)，不會(huì)影響到傳感器的檢測(cè)，使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確，提升了可靠性。
6、另外，根據(jù)本技術(shù)的傳感器，還可具有如下附加的技術(shù)特征：
7、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述殼體與所述基板連接一端的內(nèi)壁面具有第一倒角結(jié)構(gòu)，所述第一倒
8、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述殼體與所述基板連接一端的外壁面具有第二倒角結(jié)構(gòu)，所述第二倒角結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電膠層貼合設(shè)置。
9、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述殼體和所述導(dǎo)電膠層為熱壓一體成型結(jié)構(gòu)。
10、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述容納腔內(nèi)填充密封膠，所述密封膠覆蓋所述傳感芯片。
11、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述殼體朝向所述導(dǎo)電膠層的投影位于所述導(dǎo)電膠層內(nèi)。
12、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述傳感芯片包括相互電連接的mems芯片和asic芯片，所述mems芯片設(shè)于所述基板朝向所述容納腔的一側(cè)，所述asic芯片設(shè)于所述mems芯片背離所述基板的一側(cè)，所述asic芯片與所述基板電連接。
13、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述mems芯片和所述asic芯片之間、以及asic芯片和所述基板之間均為粘接連接。
14、在本技術(shù)的一些實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電膠層為haf膠層。
15、本技術(shù)第二方面提出了一種電子設(shè)備，具有上述的傳感器。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體與所述基板連接一端的內(nèi)壁面具有第一倒角結(jié)構(gòu)，所述第一倒角結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電膠層貼合設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體與所述基板連接一端的外壁面具有第二倒角結(jié)構(gòu)，所述第二倒角結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電膠層貼合設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體和所述導(dǎo)電膠層為熱壓一體成型結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述傳感芯片包括相互電連接的MEMS芯片和ASIC芯片，所述MEMS芯片設(shè)于所述基板朝向所述容納腔的一側(cè)，所述ASIC芯片設(shè)于所述MEMS芯片背離所述基板的一側(cè)，所述ASIC芯片與所述基板電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器，其特征在于，所述MEMS芯片和所述ASIC芯片之間、以及ASIC芯片和所述基板之間均為粘接連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)電膠層為HAF膠層。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種傳感器，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體與所述基板連接一端的內(nèi)壁面具有第一倒角結(jié)構(gòu)，所述第一倒角結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電膠層貼合設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體與所述基板連接一端的外壁面具有第二倒角結(jié)構(gòu)，所述第二倒角結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電膠層貼合設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述殼體和所述導(dǎo)電膠層為熱壓一體成型結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述傳感芯...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬貴華，仝慶國(guó)，李玉慶，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：榮成歌爾微電子有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。