【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體制造，特別涉及一種發光二極管及發光裝置。
技術介紹
1、發光二極管(light?emitting?diode，led)，通常是由如?gan、gaas、gap、gaasp等半導體制成，其核心是具有發光特性的pn結，在正向電壓下，電子由?n區注入p區，空穴由p區注入n區，進入對方區域的少數載流子一部分與多數載流子復合而發光。led具有發光強度大、效率高、體積小、使用壽命長等優點，被認為是當前最具有潛力的光源之一。
2、目前已知的氮化鎵led芯片制作工藝包括由臺面蝕刻(mesa)、制作透明導電層（例如ito）、制作保護層和制作電極等四道工藝，或者由臺面蝕刻(mesa)、制作絕緣層、制作透明導電層（例如ito）、制作保護層和制作電極等五道工藝組成。目前led行業中，為了實現有效的電流擴展，一般會采用多個擴展電極設計。在現有的四道工藝中，擴展電極的末端附近電荷容易集中，由此導致在此區域變得容易出現esd爆點并且燒傷，進而造成芯片失效死燈。而在現有的五道工藝中，增加了絕緣層作為電流阻擋層，且絕緣層對應于擴展電極設置并進行外擴設計，但是電流阻擋層的面積過大往往會導致電壓升高。因此，如何進一步優化設計電流阻擋層，從而提升發光二極管芯片的整體性能，是本領域技術人員需要解決的技術難題。
技術實現思路
1、鑒于現有技術中發光二極管的缺陷及不足，本申請提供一種發光二極管及發光裝置，以實現在提升芯片的可靠性和發光效率的同時，避免芯片電壓升高。
2、本專利技術的一個
3、半導體疊層，自下而上包括依次疊置的第一半導體層、發光層和第二半導體層；
4、絕緣層，形成于第二半導體層之上；
5、透明導電層，形成于第二半導體層之上，并覆蓋絕緣層；
6、保護層，形成于透明導電層之上，并具有開口露出透明導電層的部分上表面；
7、第二電極，形成于保護層上，包括焊盤部和擴展部，并通過保護層的開口與透明導電層形成電性連接；
8、其特征在于：第二電極擴展部具有與第二電極焊盤部相連接的第一端和遠離第二電極焊盤部的第二端，所述絕緣層僅形成于第二電極擴展部的第二端之下。
9、根據本專利技術的另一實施例，還提供一種發光裝置，采用如上任一實施例所述的發光二極管。
10、本專利技術提供的發光二極管通過將絕緣層僅設置遠離第二電極焊盤部的一端，一方面，可以避免在擴展電極的末端由于電荷過于集中導致出現esd爆點，提升芯片的抗靜電沖擊能力，從而保證發光二極管的可靠性；另一方面，可以避免電流在擴展電極的末端直接注入，提升發光二極管的整體電流均勻性，進而提升發光二極管芯片的發光效率；除此之外，還可以減少擴展電極下方的電流阻擋層面積，從而避免芯片的電壓升高。
11、本專利技術的其它特征和有益效果將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本專利技術而了解。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與所述第二電極擴展部具有重疊部分，所述重疊部分的長度占所述第二電極擴展部的長度的1%~50%。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與所述第二電極擴展部具有重疊部分，所述重疊部分的面積占所述第二電極擴展部的面積的1%~50%。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與其正上方的所述第二電極擴展部具有寬度差，所述寬度差沿所述第二電極擴展部的第一端到所述第二電極擴展部的第二端的方向逐漸增大。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層由一系列塊狀結構組成。
6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層在所述第二電極的焊盤部和擴展部分別形成第一開口和第二開口，露出位于所述第二電極焊盤部的所述第二半導體層的部分上表面及位于所述第二電極擴展部的所述透明導電層的部分上表面。
7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透明導電層在所
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一開口的尺寸小于所述第三開口的尺寸，所述第二電極的焊盤部與所述第二半導體層接觸，所述第二電極的擴展部與所述透明導電層接觸。
9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一開口為環狀結構，所述環狀結構的內圈直徑和外圈直徑均小于所述第三開口的直徑。
10.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層還包括至少一個自所述第一開口延伸至所述第二電極焊盤部的周圍的觸角，露出所述透明導電層的部分上表面，在所述觸角的位置，所述第二電極的焊盤部同時與所述第二半導體層和所述透明導電層接觸。
11.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層具有若干個的所述第二開口，所述第二開口沿著逐漸遠離所述第二電極焊盤部的延伸方向依次間隔排布。
12.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：若干個所述第二開口的尺寸均相同。
13.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：若干個所述第二開口的尺寸沿著逐漸遠離所述第二電極焊盤部的延伸方向依次增大。
14.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：所述第二開口之間具有間隔，所述間隔的尺寸相同。
15.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：所述第二開口之間具有間隔，所述間隔的尺寸沿著逐漸遠離所述第二電極焊盤部的延伸方向依次減小。
16.根據權利要求11所述的發光二極管，其特征在于：所述第二開口包括多個尺寸相同的第一開口部和至少一個第二開口部，所述第二開口部設置在所述第二電極擴展部的第二端之下，與所述絕緣層對應設置，所述第二開口部的尺寸大于所述第一開口部的尺寸。
17.根據權利要求16所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層的寬度大于等于所述第二開口部的寬度。
18.根據權利要求16所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層的面積與所述第二開口部的面積的比值范圍為10%~200%。
19.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光二極管還包括第一電極，所述第一電極包括焊盤部和擴展部，所述第一電極的焊盤部位于所述第一半導體層之上，所述第一電極的擴展部位于所述第二半導體層之上，并通過一系列貫穿所述第二半導體層和所述發光層的通孔與所述第一半導體層形成歐姆接觸，所述第一電極擴展部與所述第二半導體層之間設有所述保護層。
20.一種發光裝置，其特征在于：采用如權利要求1-19中任一項所述的發光二極管。
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與所述第二電極擴展部具有重疊部分，所述重疊部分的長度占所述第二電極擴展部的長度的1%~50%。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與所述第二電極擴展部具有重疊部分，所述重疊部分的面積占所述第二電極擴展部的面積的1%~50%。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層與其正上方的所述第二電極擴展部具有寬度差，所述寬度差沿所述第二電極擴展部的第一端到所述第二電極擴展部的第二端的方向逐漸增大。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述絕緣層由一系列塊狀結構組成。
6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層在所述第二電極的焊盤部和擴展部分別形成第一開口和第二開口，露出位于所述第二電極焊盤部的所述第二半導體層的部分上表面及位于所述第二電極擴展部的所述透明導電層的部分上表面。
7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透明導電層在所述第二電極的焊盤部形成第三開口，露出位于所述第二電極焊盤部的所述第二半導體層的部分上表面，所述第三開口的尺寸小于所述第二電極焊盤部的尺寸。
8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一開口的尺寸小于所述第三開口的尺寸，所述第二電極的焊盤部與所述第二半導體層接觸，所述第二電極的擴展部與所述透明導電層接觸。
9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述第一開口為環狀結構，所述環狀結構的內圈直徑和外圈直徑均小于所述第三開口的直徑。
10.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于：所述保護層還包括至少一個自所述第一開口延伸至所述第二電極焊盤部的周圍的觸角，露出所述透明導電層的部分上表面，在所述觸角的位置，所述第二電極...
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫旭，晉沙沙，楊人龍，林兓兓，
申請(專利權)人：廈門三安光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。