【技術實現步驟摘要】
本申請涉及光互聯的電光調制器領域，具體涉及一種混合集成電光調制器。
技術介紹
1、隨著5g、人工智能和云計算技術的迅猛發展，全球網絡流量需求呈現指數級增長的趨勢。為應對這一挑戰，集成光學技術成為解決高帶寬、低延遲和低功耗傳輸需求的關鍵技術。通過將光子器件集成在單一芯片上，集成光學能夠大幅提高數據傳輸速度和傳輸容量，成為下一代通信網絡的核心支撐技術。電光調制器作為集成光學領域中的核心器件，決定了芯片的整體性能。
2、當前電光調制器主要基于硅的載流子色散效應和鈮酸鋰的普克爾效應實現，但是硅基調制器帶寬受限，薄膜鈮酸鋰調制器存在刻蝕困難問題，并且電光系數有限，器件長度通常在厘米量級，難以同時滿足高帶寬，低驅動電壓，尺寸小等要求。
技術實現思路
1、本申請提供一種混合集成電光調制器，可以解決上述現有技術中存在的相關技術問題。
2、本申請實施例提供一種混合集成電光調制器，采用如下技術方案：
3、一種混合集成電光調制器，其包括基層結構，所述基層結構上在信號傳輸方向上依次設有信號輸入區，信號調制區以及信號輸出區；
4、所述信號調制區包括金屬電極結構，所述金屬電極結構內間隔設有多條沿所述信號傳輸方向且兩端分別連通所述信號輸入區和所述信號輸出區的傳輸通道；
5、所述傳輸通道內設有在所述信號傳輸方向上依次連接的第一硅波導、鋯鈦酸鉛段以及第二硅波導，且三者的兩側均貼合所述傳輸通道的兩側壁。
6、在一種實施方式中，所述第一硅波導與所述
7、在一種實施方式中，形成所述傳輸通道兩側壁的金屬電極呈垂直所述基層結構設置。
8、在一種實施方式中，所述鋯鈦酸鉛段通過旋涂方式設置于所述傳輸通道內。
9、在一種實施方式中，所述鋯鈦酸鉛段的寬度處于50nm～200nm范圍內。
10、在一種實施方式中，所述鋯鈦酸鉛段的長度為70um～300um范圍內。
11、在一種實施方式中，所述第一硅波導與所述第二硅波導關于所述信號調制區的中心對稱，并在所述信號傳輸方向上的長度為40～50um。
12、在一種實施方式中，所述基層結構包括從上到下依次分布的硅層、埋氧層以及硅襯底。
13、在一種實施方式中，所述信號輸入區包括設置在所述基層結構上的光柵耦合器和多模干涉耦合器。
14、在一種實施方式中，所述信號輸出區包括設置在所述基層結構上的光柵耦合器和多模干涉耦合器。
15、本申請實施例提供的技術方案帶來的有益效果包括：
16、通過信號調制區內的鋯鈦酸鉛具有相對更高的電光系數，有效改善了相關技術中薄膜鈮酸鋰調制器電光系數有限，器件長度通常在厘米量級，難以同時滿足高帶寬，低驅動電壓，尺寸小等問題。
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1.一種混合集成電光調制器，其特征在于，其包括基層結構，所述基層結構上在信號傳輸方向上依次設有信號輸入區，信號調制區以及信號輸出區；
2.如權利要求2所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述第一硅波導與所述第二硅波導在靠近所述鋯鈦酸鉛段的方向上寬度逐漸減小至與所述鋯鈦酸鉛段相等，以使所述第一硅波導和所述第二硅波導形成用于對光波導模式和表面等離激元模式進行轉換的錐形耦合器。
3.如權利要求2所述的混合集成電光調制器，其特征在于，形成所述傳輸通道兩側壁的金屬電極呈垂直所述基層結構設置。
4.如權利要求3所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛段通過旋涂方式設置于所述傳輸通道內。
5.如權利要求1或2或3或4所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛段的寬度處于50nm～200nm范圍內。
6.如權利要求5所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛段的長度為70um～300um范圍內。
7.如權利要求6所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述第一硅波導與所述第二硅波導關于所述信號調制區
8.如權利要求1所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述基層結構包括從上到下依次分布的埋氧層以及硅襯底。
9.如權利要求1所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述信號輸入區包括設置在所述基層結構上的光柵耦合器和多模干涉耦合器。
10.如權利要求1所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述信號輸出區包括設置在所述基層結構上的光柵耦合器和多模干涉耦合器。
...【技術特征摘要】
1.一種混合集成電光調制器，其特征在于，其包括基層結構，所述基層結構上在信號傳輸方向上依次設有信號輸入區，信號調制區以及信號輸出區；
2.如權利要求2所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述第一硅波導與所述第二硅波導在靠近所述鋯鈦酸鉛段的方向上寬度逐漸減小至與所述鋯鈦酸鉛段相等，以使所述第一硅波導和所述第二硅波導形成用于對光波導模式和表面等離激元模式進行轉換的錐形耦合器。
3.如權利要求2所述的混合集成電光調制器，其特征在于，形成所述傳輸通道兩側壁的金屬電極呈垂直所述基層結構設置。
4.如權利要求3所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛段通過旋涂方式設置于所述傳輸通道內。
5.如權利要求1或2或3或4所述的混合集成電光調制器，其特征在于，所述鋯鈦酸鉛段的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王梓安，劉陽，張紅廣，陳代高，肖希，
申請(專利權)人：武漢光谷信息光電子創新中心有限公司，
類型：發明
國別省市：
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