【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于光學濾光片領域，尤其涉及一種半導體檢測用紫外非均質材料濾光片。
技術介紹
1、濾光片在光學檢測系統中主要起到篩選特定波段光線，濾除其它波段干擾光信號的作用。隨著duv(深紫外光)、euv(極紫外光)光刻技術的不斷發展，半導體集成電路工藝節點不斷升級，相應的集成電路器件物理尺度縮小，需要檢測的缺陷尺度也在不斷縮小，這對半導體檢測技術的空間分辨精度也提出了更高要求，提高檢測分辨率最有效的方法是使用更短波長的光源，目前先進的檢測和量測設備所使用的光源波長已到duv波段，能夠穩定地檢測到小于14nm的晶圓缺陷。隨著光源波段來到紫外光區域，特別是duv、euv波段，可用的鍍膜材料極其有限，且多數材料鍍膜后為非均質材料，也就是折射率存在非均勻性，如hfo2、al2o3、laf3等。折射率非均勻性會導致濾光片光譜特性變差(如規整膜系短波通濾光片的半波孔、深度優化濾光片的通帶波紋)，因此，亟需研制一種可改善光譜特性的半導體檢測用紫外非均質材料濾光片的設計方法。
技術實現思路
1、本專利技術旨在克服現有技術的不足之處而提供一種方法簡單易行，可有效消除紫外非均質材料對光譜特性變差的影響，確保光譜譜型的半導體檢測用紫外非均質材料濾光片。
2、為解決上述技術問題，本專利技術是這樣實現的：
3、半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，由基片及鍍制其上的基礎膜系構成，所述基礎膜系的結構為：
4、s|k(bhalhalbhcl)^n|a；其中：s為玻璃基底，a為空氣，
5、進一步地，所述h與l的厚度均為光學厚度為λ0/4的膜層。
6、進一步地，所述h采用hfo2、al2o3或laf3光學薄膜材料；所述l采用sio2光學薄膜材料。
7、進一步地，所述a、b取值范圍為0.1～0.3；c取值范圍0.2～0.6。
8、隨著光源波段來到紫外光區域，可用的鍍膜材料極其有限，且多數材料鍍膜后為非均質材料，也就是折射率存在非均勻性。折射率非均勻性會導致濾光片光譜特性變差，如：規整膜系短波通濾光片的半波孔、深度優化濾光片的通帶波紋，本專利技術可改善此現象。本專利技術具有如下特點：
9、1、可有效消除紫外非均質材料對光譜特性的影響。
10、2、膜系深度優化后，仍可保證光譜譜型。
11、3、方法簡單易行，使用macleod薄膜設計軟件即可完成，且具有較高的可制備性。
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1.半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于，由基片及鍍制其上的基礎膜系構成，所述基礎膜系的結構為：
2.根據權利要求1所述半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于：所述H與L的厚度均為光學厚度為λ0/4的膜層。
3.根據權利要求2所述半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于：所述H采用HfO2、Al2O3或LaF3光學薄膜材料；所述L采用SiO2光學薄膜材料。
4.根據權利要求3所述半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于：a、b取值范圍為0.1～0.3；c取值范圍0.2～0.6。
【技術特征摘要】
1.半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于，由基片及鍍制其上的基礎膜系構成，所述基礎膜系的結構為：
2.根據權利要求1所述半導體檢測用紫外非均質材料濾光片，其特征在于：所述h與l的厚度均為光學厚度為λ0/4的膜層。
3.根據權利要求2所述半...
【專利技術屬性】
技術研發人員：班超，張鶴，李壯，任少鵬，高鵬，王瑞生，
申請(專利權)人：沈陽儀表科學研究院有限公司，
類型：發明
國別省市：
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