【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
公開(kāi)涉及顯示裝置和包括該顯示裝置的移動(dòng)電子裝置。
技術(shù)介紹
1、正在開(kāi)發(fā)一種可穿戴裝置，該可穿戴裝置以眼鏡或頭盔的形式開(kāi)發(fā)并且聚焦于靠近用戶眼睛的距離處。例如，可穿戴裝置可以是頭戴式顯示器(hmd)裝置或增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(ar)眼鏡。這種可穿戴裝置向用戶提供ar畫(huà)面或虛擬現(xiàn)實(shí)(vr)畫(huà)面。
2、諸如hmd裝置或ar眼鏡的可穿戴裝置可以被期望具有至少每英寸2000像素(2000ppi)的顯示規(guī)格，以使用戶長(zhǎng)時(shí)間使用該裝置而不會(huì)感到頭暈。因此，作為具有高分辨率的小型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的硅上有機(jī)發(fā)光二極管(oledos)技術(shù)可以用于實(shí)現(xiàn)可穿戴裝置。oledos是一種將有機(jī)發(fā)光二極管(oled)設(shè)置在其上設(shè)置有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)的半導(dǎo)體晶片(wafer，也被稱為“晶圓”)基底上的技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種顯示裝置以及包括該顯示裝置的移動(dòng)電子裝置，該顯示裝置能夠通過(guò)減小形成像素驅(qū)動(dòng)電路的晶體管之間的分隔距離來(lái)增加像素的集成度并且提供超高分辨率顯示面板。
2、根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，一種顯示裝置包括：基底；驅(qū)動(dòng)元件層，設(shè)置在基底上，并且包括用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路；以及發(fā)光元件層，設(shè)置在驅(qū)動(dòng)元件層上，并且包括多個(gè)像素中的每個(gè)的發(fā)光元件。在這樣的實(shí)施例中，包括在多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的晶體管被劃分為連接到基底的第一阱區(qū)的第一晶體管組和連接到基底的第二阱區(qū)的第二晶體管組，第一阱區(qū)和第二阱區(qū)設(shè)置為彼此間隔開(kāi)第一間隔，多個(gè)像素包括設(shè)置為在第一方
3、在實(shí)施例中，第一體電壓可以輸入到第一阱區(qū)作為第一晶體管組的體偏置電壓，并且第二體電壓可以輸入到第二阱區(qū)作為第二晶體管組的體偏置電壓。
4、在實(shí)施例中，多個(gè)像素中的每個(gè)中的第一阱區(qū)和第二阱區(qū)可以設(shè)置為在第一方向上彼此間隔開(kāi)第一間隔。
5、在實(shí)施例中，包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第一方向上與包括在第二像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第一間隔。
6、在實(shí)施例中，多個(gè)像素還可以包括設(shè)置為在垂直于第一方向的第二方向上與第一像素相鄰的第三像素，并且包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第二方向上與包括在第三像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第二間隔，第二間隔比第一間隔大。
7、在實(shí)施例中，多個(gè)像素還可以包括設(shè)置為在垂直于第一方向的第二方向上與第一像素相鄰的第三像素，并且包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第二方向上與包括在第三像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第一間隔。
8、在實(shí)施例中，第一方向可以是顯示裝置的短邊方向，并且第二方向可以是顯示裝置的長(zhǎng)邊方向。
9、在實(shí)施例中，第一方向可以是顯示裝置的長(zhǎng)邊方向，并且第二方向可以是顯示裝置的短邊方向。
10、在實(shí)施例中，第一晶體管組可以包括將驅(qū)動(dòng)電流供應(yīng)到發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，并且第二晶體管組包括控制包括在像素驅(qū)動(dòng)電路中的節(jié)點(diǎn)的電壓的至少一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管。
11、在實(shí)施例中，包括在多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的晶體管可以是p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)或n型mosfet。
12、根據(jù)公開(kāi)的實(shí)施例，一種移動(dòng)電子裝置包括包含顯示面板的顯示裝置，在顯示面板中，發(fā)光元件設(shè)置在基底上。在這樣的實(shí)施例中，顯示面板包括：驅(qū)動(dòng)元件層，設(shè)置在基底上，并且包括用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路；以及發(fā)光元件層，設(shè)置在驅(qū)動(dòng)元件層上，并且包括多個(gè)像素中的每個(gè)的發(fā)光元件，其中，包括在多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的晶體管被劃分為連接到基底的第一阱區(qū)的第一晶體管組和連接到基底的第二阱區(qū)的第二晶體管組，多個(gè)像素中的每個(gè)中的第一阱區(qū)和第二阱區(qū)設(shè)置為彼此間隔開(kāi)第一間隔，多個(gè)像素包括設(shè)置為在第一方向上彼此相鄰的第一像素和第二像素，并且第一像素和第二像素中的彼此相鄰的阱區(qū)設(shè)置為彼此間隔開(kāi)第一間隔。
13、在實(shí)施例中，第一體電壓可以輸入到第一阱區(qū)作為第一晶體管組的體偏置電壓，并且第二體電壓可以輸入到第二阱區(qū)作為第二晶體管組的體偏置電壓。
14、在實(shí)施例中，多個(gè)像素中的每個(gè)中的第一阱區(qū)和第二阱區(qū)可以設(shè)置為在第一方向上彼此間隔開(kāi)第一間隔。
15、在實(shí)施例中，包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第一方向上與包括在第二像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第一間隔。
16、在實(shí)施例中，多個(gè)像素還可以包括設(shè)置為在垂直于第一方向的第二方向上與第一像素相鄰的第三像素，并且包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第二方向上與包括在第三像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第二間隔，第二間隔比第一間隔大。
17、在實(shí)施例中，多個(gè)像素還可以包括設(shè)置為在垂直于第一方向的第二方向上與第一像素相鄰的第三像素，并且包括在第一像素中的第一阱區(qū)可以設(shè)置為在第二方向上與包括在第三像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)第一間隔。
18、在實(shí)施例中，第一方向可以是顯示裝置的短邊方向，并且第二方向可以是顯示裝置的長(zhǎng)邊方向。
19、在實(shí)施例中，第一方向可以是顯示裝置的長(zhǎng)邊方向，并且第二方向可以是顯示裝置的短邊方向。
20、在實(shí)施例中，第一晶體管組可以包括將驅(qū)動(dòng)電流供應(yīng)到發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)晶體管，并且第二晶體管組包括控制包括在像素驅(qū)動(dòng)電路中的節(jié)點(diǎn)的電壓的至少一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管。
21、在實(shí)施例中，包括在多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的晶體管可以是p型mosfet或n型mosfet。
22、根據(jù)顯示裝置和包括顯示裝置的移動(dòng)電子裝置的實(shí)施例，通過(guò)減小像素驅(qū)動(dòng)電路的晶體管之間的分隔距離，可以增加像素的集成度并且可以提供超高分辨率顯示面板。
23、然而，公開(kāi)的實(shí)施例不限于這里闡述的實(shí)施例。通過(guò)參照下面的詳細(xì)描述，公開(kāi)的實(shí)施例的以上和其它特征對(duì)于本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更清楚。
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1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)像素中的每個(gè)中的所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)設(shè)置為在所述第一方向上彼此間隔開(kāi)所述第一間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，包括在所述第一像素中的第一阱區(qū)設(shè)置為在所述第一方向上與包括在所述第二像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)所述第一間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，包括在所述多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的所述晶體管是P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11.一種移動(dòng)電子裝置，所述移動(dòng)電子裝置包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
13.
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的移動(dòng)電子裝置，其中，包括在所述第一像素中的第一阱區(qū)設(shè)置為在所述第一方向上與包括在所述第二像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)所述第一間隔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的移動(dòng)電子裝置，其中，
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的移動(dòng)電子裝置，其中，包括在所述多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的所述晶體管是P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述多個(gè)像素中的每個(gè)中的所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)設(shè)置為在所述第一方向上彼此間隔開(kāi)所述第一間隔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，包括在所述第一像素中的第一阱區(qū)設(shè)置為在所述第一方向上與包括在所述第二像素中的第一阱區(qū)或第二阱區(qū)間隔開(kāi)所述第一間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，包括在所述多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的每個(gè)中的所述晶體管是p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
11.一種移動(dòng)電子裝置，所述移動(dòng)電...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：河眞珠，李世賢，金貴鉉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：三星顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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