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    適用于超級電容的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法制造技術(shù)

    技術(shù)編號:44119147 閱讀:10 留言:0更新日期:2025-01-24 22:41
    本發(fā)明專利技術(shù)屬于超級電容等效電路模型設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種適用于超級電容的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法。該參數(shù)辯識算法簡單易行,通過采用變量表征電容對電壓的依賴關(guān)系,有效的降低了二階等效電路模型仿真過程中產(chǎn)生的誤差。二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,包括有如下步驟:步驟一:根據(jù)二階等效電路模型的結(jié)構(gòu)特性,求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù);步驟二:推導(dǎo)充電電流I與端電壓U<subgt;0</subgt;之間的關(guān)系式,以及電容C<subgt;1</subgt;與端電壓U<subgt;0</subgt;之間的關(guān)系式;步驟三:擬合端電壓隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式U<subgt;0</subgt;(t);步驟四:推導(dǎo)得到端電壓變參數(shù)隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式k(t)。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于超級電容等效電路模型設(shè)計,尤其涉及一種適用于超級電容的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法


    技術(shù)介紹

    1、隨著新能源技術(shù)的研發(fā)以及各類能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的不斷深入,如何將可再生能源轉(zhuǎn)換為電能存儲起來成為一個迫切需要解決的問題。其中,對儲能裝置進行的能源分配以及優(yōu)化控制,不僅有助于提高能源的轉(zhuǎn)換利用率,還能有效的改善電能供給質(zhì)量,因而成為了可持續(xù)能源儲能技術(shù)的核心技術(shù)突破點。

    2、超級電容器作為一種新型的電化學(xué)儲能器件被廣泛關(guān)注,該超級電容器又稱為電化學(xué)電容器或雙電層電容器,其具備有使用壽命長、功率密度大、能量密度大、對環(huán)境友好、充放電時間短、效率高以及對環(huán)境要求低等諸多優(yōu)點。而為了準(zhǔn)確研究超級電容器動靜態(tài)性能指標(biāo),需要對該超級電容建立模型,并采取合適的參數(shù)辨識方法。如圖1所示,圖1提供了一種現(xiàn)有技術(shù)的超級電容經(jīng)典模型。然而在進一步研究后專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn),上述超級電容模型的結(jié)構(gòu)雖較為簡單,但該模型的精度不高,且主支路的敏感電壓過小,存在實際的時間依賴以及電壓依賴,最終會導(dǎo)致短時間內(nèi)對超級電容儲能能力的高估,不利于超級電容器的工業(yè)應(yīng)用推廣。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)提供了一種適用于超級電容的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法,該二階等效電路模型對超級電容的仿真精度更高,可以較好地反映出超級電容與端電壓之間的依賴關(guān)系;其參數(shù)辯識算法簡單易行,通過采用變量表征電容對電壓的依賴關(guān)系,有效的降低了二階等效電路模型仿真過程中產(chǎn)生的誤差。

    2、為解決上述技術(shù)問題,本專利技術(shù)采用了如下技術(shù)方案:

    3、適用于超級電容的二階等效電路模型,所述二階等效電路模型由瞬時支路、電壓調(diào)整支路和自放電支路構(gòu)成;

    4、其中,瞬時支路由順次接連的電阻r1、電容c1、可控電壓源u以及遲滯電壓u1構(gòu)成;電壓調(diào)整支路由順次接連的電阻r2以及電容c2構(gòu)成;自放電支路由電阻r3構(gòu)成;

    5、瞬時支路中的電阻r1、電容c1用于仿真超級電容恒流充放電時端電壓的陡升和陡降現(xiàn)象;電壓調(diào)整支路中的電阻r2、電容c2用于仿真超級電容充放電結(jié)束后的電壓自恢復(fù)現(xiàn)象;自放電支路中的電阻r3用于仿真超級電容的自放電現(xiàn)象;瞬時支路中的遲滯電壓u1用以反映電容c1的電容增量與可控電壓源u的輸出電壓之間的電壓依賴遲滯特性。

    6、進一步優(yōu)選的,包括有如下步驟:

    7、步驟一:根據(jù)二階等效電路模型的結(jié)構(gòu)特性,求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù);

    8、步驟二:推導(dǎo)充電電流i與端電壓u0之間的關(guān)系式,以及電容c1與端電壓u0之間的關(guān)系式;

    9、步驟三:基于放電過程中端電壓的實測數(shù)據(jù),擬合端電壓隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式u0(t);

    10、步驟四:推導(dǎo)得到端電壓變參數(shù)隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式k(t)。

    11、進一步優(yōu)選的,所述步驟一求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù)的過程具體包括有:

    12、求解瞬時支路各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù);

    13、求解電壓調(diào)整支路各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù);

    14、求解自放電支路各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù)。

    15、進一步優(yōu)選的,求解得到的瞬時支路中的電阻r1,滿足:

    16、r1=δu0/i???????????(1);

    17、其中,i為充電電流,u0為端電壓,δu0為端電壓u0發(fā)生突變的突變值;

    18、求解得到的瞬時支路中的電容c1,滿足:

    19、

    20、求解得到的瞬時支路中的可控電壓源輸出電壓值u,滿足:

    21、u=udku0/c1????????(3);

    22、其式(3)中,u與c1之間的關(guān)系視為線性,控制參數(shù)k視為定值;ud為減去內(nèi)阻分壓的充電電壓。

    23、進一步優(yōu)選的,求解得到的電壓調(diào)整支路中的電容c2,滿足:

    24、q=it=uf(c1+c2+kuf)????????(4);

    25、其中,uf為超級電容按照一定時間常數(shù)充電結(jié)束自恢復(fù)穩(wěn)定之后的端電壓;

    26、求解得到的電壓調(diào)整支路中的電阻r2,滿足:

    27、r2=τ2/c2????????(5)。

    28、進一步優(yōu)選的,求解得到的自放電支路中的電阻r3,滿足:

    29、r3=vn/ileak???????(6);

    30、其中,vn為額定電壓;ileak為漏電流。

    31、進一步優(yōu)選的,所述步驟二推導(dǎo)得到的充電電流i與端電壓u0之間的關(guān)系式,滿足:

    32、

    33、其中,由于充電過程中電壓調(diào)整支路的分流作用很小,因此認(rèn)為電壓調(diào)整支路只在充電結(jié)束后與瞬時支路進行電荷分配,因而在式(7)中,dud=du0;

    34、所述步驟二推導(dǎo)得到的電容c1與端電壓u0之間的關(guān)系式,滿足:

    35、c1=c10+ku0(t)(8);

    36、其中,c10為電容c1初始值,滿足:

    37、

    38、其中,u0(t)為端電壓的實時電壓值。

    39、進一步優(yōu)選的,所述步驟四推導(dǎo)得到的端電壓變參數(shù)隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式k(t),滿足:

    40、k(t)=a1u3+a2u2+a3u+a4??????????????(10);

    41、其中,系數(shù)a1,a2,a3,a4均采用最小二乘法確定。

    42、本專利技術(shù)提供了一種適用于超級電容的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法,該二階等效電路模型由瞬時支路、電壓調(diào)整支路和自放電支路構(gòu)成;該二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,包括有如下步驟:步驟一:根據(jù)二階等效電路模型的結(jié)構(gòu)特性,求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù);步驟二:推導(dǎo)充電電流i與端電壓u0之間的關(guān)系式,以及電容c1與端電壓u0之間的關(guān)系式;步驟三:擬合端電壓隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式u0(t);步驟四:推導(dǎo)得到端電壓變參數(shù)隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式k(t)。具有上述結(jié)構(gòu)特征的二階等效電路模型及其參數(shù)辯識算法,其相比于現(xiàn)有技術(shù)而言,至少具備有如下技術(shù)優(yōu)勢:

    43、1)、本專利技術(shù)提供的二階等效電路模型,其仿真精度較高,能較好地反映出超級電容與端電壓的依賴關(guān)系;

    44、2)、算法簡單易行,推導(dǎo)得到擬合結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】

    1.適用于超級電容的二階等效電路模型,其特征在于,所述二階等效電路模型由瞬時支路、電壓調(diào)整支路和自放電支路構(gòu)成;

    2.適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,包括有如下步驟:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,所述步驟一求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù)的過程具體包括有:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,求解得到的瞬時支路中的電阻R1,滿足:

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,求解得到的電壓調(diào)整支路中的電容C2,滿足:

    6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,求解得到的自放電支路中的電阻R3,滿足:

    7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,所述步驟二推導(dǎo)得到的充電電流I與端電壓U0之間的關(guān)系式,滿足:

    8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,所述步驟四推導(dǎo)得到的端電壓變參數(shù)隨時間變化的函數(shù)表達(dá)式k(t),滿足:

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.適用于超級電容的二階等效電路模型,其特征在于,所述二階等效電路模型由瞬時支路、電壓調(diào)整支路和自放電支路構(gòu)成;

    2.適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,包括有如下步驟:

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,所述步驟一求解二階等效電路模型中各結(jié)構(gòu)單元的參數(shù)的過程具體包括有:

    4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超級電容的二階等效電路模型的參數(shù)辯識算法,其特征在于,求解得到的瞬時支路中的電阻r1,滿足:

    5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于超級電...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:范雪麟張浩李勇孫偉范新冉王芫芫顏廷江韓盼盼陳科石堯
    申請(專利權(quán))人:中國石油化工股份有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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