【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料的制備方法和在選擇性光催化芳烴氨氧化中的應用，屬于光催化制備化學品。
技術介紹
1、鉍基催化劑是典型的半導體光催化劑，近年來因其獨特的能帶結構和較高的物理化學穩定性而受到廣泛關注。鹵化雙鈣鈦礦cs2agbibr6有較長的載流子壽命、有效的載流子質量和遷移率。bi2wo6因其穩定性高、無毒、低成本而備受關注。專利文獻cn?116459848a發表過鉍基鈣鈦礦cs3bi2br9與bi2wo6的復合材料用于苯甲醇氧化[1]，但材料的合成方法與本文所述的不同，且cs3bi2br9的吸光范圍較窄，能夠利用的可見光范圍比較小。也有文獻發表過cs2agbibr6與bi2wo6的復合材料用于光催化co2還原[2-4]以及光催化污染物降解[5]，但是合成方法都與本文不同：文獻[2-4]為需要使用熱注法合成cs2agbibr6量子點以與bi2wo6的復合，熱注法操作復雜且很難擴大規模；文獻[5]中的cs2agbibr6需要在手套箱中(無氧環境)合成，他們的合成方法都更復雜。相比而言，本文提供的沉淀法合成cs2agbibr6以及機械球磨法合成復合材料更簡單易重復。
2、甲苯氨氧化是一個復雜的過程，甲苯的c(sp3)-h能量高，難以斷裂，不容易發生反應，所以現有的甲苯氨氧化都使用高溫(280℃-450℃)、高壓、復雜催化劑等高成本苛刻條件[6-7]。光催化可以被認為是最清潔的合成途徑之一，用光催化來改善甲苯氨氧化的反應條件是一個有希望的應用方向。
3、[1]一種苯甲醇氧
4、[2]wang?h,wang?x,hu?p,et?al.vacancy?pair?induced?surface?chemistryreconstruction?of?cs2agbibr6/bi2wo6?heterojunction?to?enhance?photocatalyticco2?reduction[j].applied?catalysis?b:environment?and?energy,2024,351123956-.
5、[3]lijun?wu,song?zheng,heng?lin,et?al.in-situ?assembling?0d/2d?z-scheme?heter?ojunction?of?lead-free?cs2agbibr6/bi2wo6?for?enhancedphotocatalytic?co2?reduction[j].colloid?interface?sci.2023jan；629(pt?a):233-242.
6、[4]jiaqi?wang,hao?cheng,dingqiong?wei,et?al.ultrasonic-assistedfabrication?of?cs2agbibr6/bi2wo6?s-scheme?heterojunction?for?photocatalytic?co2reduction?under?visible?light[j].chinese?journal?of?catalysis.2022,43(10):pages?2606-2614
7、[5]hailin?z,xu?j,haiyang?x,et?al.halide?double?perovskites?bi2wo6/cs2agbibr6?with?efficient?charge?separation?and?wide?visible?light?absorptionfor?high?activity?photocatalysis[j].journal?of?alloys?and?compounds,2023,968.
8、[6]teimouri?a,najari?b,chermahini?n?a,et?al.characterization?andcatalytic?properties?of?molybdenum?oxide?catalysts?supported?on?zro2–γ-al2o3for?ammoxidation?of?toluene[j].rsc?advances,2014,4(71):37679-37686.
9、[7][1]shubhra?s?a,shilpi?g,rubina?k,et?al.unravelling?the?role?of?ag-cr?interfacial?synergistic?effect?in?ag/cr2o3?nanostructured?catalyst?for?theammoxidation?of?toluene?via?low?temperature?activation?of?csp3-h?bond[j].catalysis?communications,2021,152
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料的制備方法。制得的cs2agbibr6/bi2wo6復合材料可應用于選擇性光催化甲基芳烴氨氧化。
2、本專利技術采用的技術方案為：
3、一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料的制備方法，其步驟包括：
4、(1)將csbr、agbr、bibr3按照2：1：1的摩爾比，溶解于dmso中形成cs2agbibr6/dmso前驅體溶液，將前驅體溶液滴入異丙醇中，析出的固體用異丙醇洗滌，烘干得到cs2agbibr6粉末；
5、(2)將bi(no3)3·5h2o和na2wo4·2h2o按照2:1的摩爾比溶于乙二醇中，將形成的溶液轉移到水熱反應釜中，加熱反應一段時間，干燥獲得bi2wo6粉末；
6、(3)將cs2agbibr6粉末與bi2wo6粉末按比例混合，經過機械研磨、烘干得到cs2agbibr6/bi2wo6復合材料，cs2agbibr6占比為10?-40wt％。
7、優選的，步驟(2)中加熱反應的溫度為160℃，時間為18-24h。
8、優選的，步驟(2)中待加熱反應完成后，將反應產物用去離子水和乙醇交替清洗后再干燥。
9、優選的，步驟(3)中機械研磨的時間在20min以上。
10、本專利技術還公開了一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料，由cs2agbibr6粉末與bi2wo6粉末復合而成，其中cs2agbibr6占比為10?-40wt％。
11、上述的cs2agbibr6/bi2wo6復合材料在選擇性光催化甲基芳烴氨氧化中的應用。
12、上述的cs2agbibr6/bi2wo6復合材料在光催化甲基芳烴制備芳甲腈中的應用。
13、優選的，在反應器中加入甲基芳烴和cs2agbibr6/bi2wo6復合材料，之后將反應器密封并充入氨氧混合氣體，加熱并給予光照進行反應，生成芳甲本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種Cs2AgBiBr6/Bi2WO6復合材料的制備方法，其特征在于其步驟包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中加熱反應的溫度為160℃，時間為18-24h。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中待加熱反應完成后，將反應產物用去離子水和乙醇交替清洗后再干燥。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中機械研磨的時間在20min以上。
5.一種Cs2AgBiBr6/Bi2WO6復合材料，其特征在于由Cs2AgBiBr6粉末與Bi2WO6粉末復合而成，其中Cs2AgBiBr6占比為10-40wt％。
6.權利要求5所述的Cs2AgBiBr6/Bi2WO6復合材料在選擇性光催化甲基芳烴氨氧化中的應用。
7.權利要求5所述的Cs2AgBiBr6/Bi2WO6復合材料在光催化甲基芳烴制備芳甲腈中的應用。
8.根據權利要求7所述的應用，其特征在于：在反應器中加入甲基芳烴和Cs2AgBiBr6/Bi2WO6復合材料，之后將反應器密封并充入氨氧
9.根據權利要求8所述的應用，其特征在于：氨氧混合氣體的總壓為1-5bar，氨氣比例為20-80％，加熱至100-130℃，光源的波長范圍為365-450nm。
...【技術特征摘要】
1.一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料的制備方法，其特征在于其步驟包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中加熱反應的溫度為160℃，時間為18-24h。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(2)中待加熱反應完成后，將反應產物用去離子水和乙醇交替清洗后再干燥。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：步驟(3)中機械研磨的時間在20min以上。
5.一種cs2agbibr6/bi2wo6復合材料，其特征在于由cs2agbibr6粉末與bi2wo6粉末復合而成，其中cs2agbibr6占比為10-4...
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴懿濤，趙曉漫，夏彤，
申請(專利權)人：中國科學技術大學蘇州高等研究院，
類型：發明
國別省市：
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