【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及控制方法和等離子體處理裝置。
技術(shù)介紹
1、已知一種技術(shù)，在蝕刻時(shí)，通過(guò)使施加的離子吸引用的高頻功率與等離子體生成用的高頻功率的通斷(on·off：接通和關(guān)斷)同步以使離子到達(dá)多結(jié)晶硅層上，使多結(jié)晶硅層的蝕刻速率均勻(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1：日本特開平10-64915號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、專利技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題
2、在專利文獻(xiàn)1中，將作為等離子體生成用的高頻功率的生成源功率和作為離子吸引用的高頻功率的偏置功率這兩個(gè)不同頻率的高頻功率施加到處理容器內(nèi)以控制蝕刻速率。
3、本專利技術(shù)提供控制自由基和離子的量和質(zhì)的技術(shù)。
4、用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
5、依照本專利技術(shù)的一個(gè)方式，提供一種具有載置被處理體的第一電極的等離子體處理裝置的控制方法，其包括：對(duì)上述第一電極供給偏置功率的步驟；和將具有比上述偏置功率高的頻率的生成源功率供給到等離子體處理空間的步驟，上述生成源功率具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)，上述控制方法包括第一控制步驟，該第一控制步驟與基準(zhǔn)電氣狀態(tài)的一周期內(nèi)的相位同步地交替施加上述第一狀態(tài)和上述第二狀態(tài)，其中上述基準(zhǔn)電氣狀態(tài)表示與上述偏置的高頻的周期同步的信號(hào)、或者由上述偏置功率的供電系統(tǒng)測(cè)量出的電壓、電流或電磁場(chǎng)的任一者。
6、專利技術(shù)效果
7、依照一個(gè)方面，能夠控制自由基和離子的量和質(zhì)。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種具有載置被處理體的第一電極的等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于：
3.如權(quán)利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
4.如權(quán)利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，包括：
9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
12.如權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
13.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
14.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：
15.如權(quán)利要求13
16.如權(quán)利要求13～15中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
17.如權(quán)利要求13～16中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
18.如權(quán)利要求13～17中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
19.如權(quán)利要求13～18中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于：
20.一種具有載置被處理體的第一電極的等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種具有載置被處理體的第一電極的等離子體處理裝置的控制方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于：
3.如權(quán)利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
4.如權(quán)利要求1或2所述的控制方法，其特征在于：
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于，包括：
9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的控制方法，其特征在于：
11.如權(quán)利要求1～10中任一...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：輿水地鹽，平野太一，早坂徹，久保田紳治，丸山幸兒，道菅隆，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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