【技術實現步驟摘要】
本技術涉及單晶金剛石制作裝置，具體為一種單晶金剛石均勻生長裝置。
技術介紹
1、大尺寸、高質量單晶金剛石的制備是半導體制造技術的發展趨勢，它具備優異光學性、導熱性，以及高硬度的特征，應用于航空航天，超精密加工和半導體等領域。因此，大尺寸、高質量單晶金剛石的制備技術受到廣泛的關注，并成為當前的研究熱點與重點。微波等離子體化學氣相沉積（mpcvd）技術在高功率、高速率下可制備出大尺寸以及高質量單晶金剛石，是眾多研究人員認可的一種沉積單晶金剛石薄膜的方法。然而，電子密度偏移導致溫度分布及等離子體沉積速率不均勻，使金剛石表面多晶提前出現，降低了樣品的品質，增大切割損耗以及高成本負擔。建立均勻且穩定的微波等離子體放電區是當前實現大尺寸、高質量單晶金剛石的首要目標。
技術實現思路
1、針對現有技術的不足，本技術提供了一種單晶金剛石均勻生長裝置，解決了上述
技術介紹
所提出的問題。
2、為實現以上目的，本技術通過以下技術方案予以實現：一種單晶金剛石均勻生長裝置，包括箱體，箱體的內部上表面中心固定有低頻率微波源設備，箱體的內部設有冷卻臺，冷卻臺的頂部固定有鉬托，鉬托的內部固定有襯底，冷卻臺的底部設有固定板，固定板的內部滑動連接有連接桿，連接桿的頂部和冷卻臺的底部固定連接，固定板的底部設有位移機構，位移機構包括螺桿、電機、移動塊和螺紋筒，冷卻臺的左右兩側均固定有導軌，導軌的和箱體的內側壁固定連接，導軌的前端固定有箱門，箱門的內部固定有觀察口，箱體的內部右側固定有進氣管。
3、箱體
4、電機的輸出軸穿過箱體和螺桿固定連接，螺桿和螺紋筒螺紋連接，箱體的內部后表面固定有兩個抵桿，抵桿的前端和移動塊的后表面相接觸，螺紋筒位于移動塊的內部，且和移動塊轉動連接，移動塊的頂部和固定板的底部固定連接。
5、螺紋筒的外側壁開設有兩個棘齒槽，移動塊的內部開設有四個收納孔，收納孔的內部固定有彈簧的一端，彈簧的另一端固定有卡塊，移動塊的前表面開設有兩個壓孔，壓孔的內部設有兩個壓桿，后方兩個卡塊的相背側均固定有拉繩，拉繩的另一端穿過壓桿和壓孔固定連接，前方棘齒槽和后方棘齒槽上的棘齒朝向相反。
6、箱體的內部設有導水機構，導水機構包括進水軟管、出水軟管、圓殼、固定環、轉環和多個擠壓塊，圓殼的后表面和箱體的內部后表面固定連接，螺桿的外側壁穿過圓殼，螺桿的外側壁和固定環的內側壁固定連接，固定環的外側壁和轉環的內側壁轉動連接。
7、擠壓塊固定在轉環的外側壁，進水軟管穿過圓殼，進水軟管的左端以及出水軟管的左端均穿過固定板和冷卻臺的底部固定連接，固定環的外側壁開設有棘齒槽，轉環的內部開設有多個收納孔，收納孔的內部固定有彈簧，彈簧的另一端固定有卡塊，螺紋筒上位于后方的棘齒槽和固定環上棘齒槽上的棘齒朝向相同。
8、有益效果
9、本技術提供了一種單晶金剛石均勻生長裝置，與現有技術相比具備以下有益效果：
10、1.該單晶金剛石均勻生長裝置，通過設置低頻率微波源設備、抵桿、位移機構，啟動電機，電機帶著螺桿轉動，螺桿轉動使螺紋筒和移動塊移動，移動塊帶著固定板、冷卻臺、鉬托和襯底移動，抵桿將移動塊抵住，這樣移動塊停止移動，使襯底位于低頻率微波源設備底部中心位置，這樣啟動低頻率微波源設備箱體內部產生輝光后使襯底位于輝光的中心，使單晶剛石生長的更加均勻，且采用低頻率微波源設備，可以擴大波長獲得大尺寸等離子球體，使其完全覆蓋襯底。
11、2.該單晶金剛石均勻生長裝置，通過設置導水機構，螺桿轉動，螺桿帶著固定環轉動，固定環通過卡塊和棘齒槽帶著轉環和擠壓塊轉動，擠壓塊轉動擠壓進水軟管，使冷卻水進入冷卻臺的內部，抵桿會擠壓壓桿，壓桿拉動拉繩，拉繩拉動移動塊內部后方的卡塊移出螺紋筒后方的棘齒槽，這樣就可以使螺桿一直轉動，不會卡住。
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1.一種單晶金剛石均勻生長裝置，包括箱體（2），其特征在于：所述箱體（2）的內部上表面中心固定有低頻率微波源設備（15），所述箱體（2）的內部設有冷卻臺（11），所述冷卻臺（11）的頂部固定有鉬托（12），所述鉬托（12）的內部固定有襯底（14），所述冷卻臺（11）的底部設有固定板（33），所述固定板（33）的內部滑動連接有連接桿（34），所述連接桿（34）的頂部和所述冷卻臺（11）的底部固定連接，所述固定板（33）的底部設有位移機構（19），所述位移機構（19）包括螺桿（10）、電機（13）、移動塊（25）和螺紋筒（24），所述冷卻臺（11）的左右兩側均固定有導軌（9），所述導軌（9）的和所述箱體（2）的內側壁固定連接，所述導軌（9）的前端固定有箱門（4），所述箱門（4）的內部固定有觀察口（5），所述箱體（2）的內部右側固定有進氣管（32）。
2.根據權利要求1所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述箱體（2）的內部設有圓環（6），所述圓環（6）的外側壁固定有兩個連接條（8），所述圓環（6）的內部固定有軸承（7），所述軸承（7）的內側壁和所述螺桿（10）的
3.根據權利要求2所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述電機（13）的輸出軸穿過所述箱體（2）和所述螺桿（10）固定連接，所述螺桿（10）和所述螺紋筒（24）螺紋連接，所述箱體（2）的內部后表面固定有兩個抵桿（18），所述抵桿（18）的前端和所述移動塊（25）的后表面相接觸，所述螺紋筒（24）位于所述移動塊（25）的內部，且和所述移動塊（25）轉動連接，所述移動塊（25）的頂部和所述固定板（33）的底部固定連接。
4.根據權利要求3所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述螺紋筒（24）的外側壁開設有兩個棘齒槽（20），所述移動塊（25）的內部開設有四個收納孔（23），所述收納孔（23）的內部固定有彈簧（22）的一端，所述彈簧（22）的另一端固定有卡塊（21），所述移動塊（25）的前表面開設有兩個壓孔（27），所述壓孔（27）的內部設有兩個壓桿（31），后方兩個所述卡塊（21）的相背側均固定有拉繩（26），所述拉繩（26）的另一端穿過所述壓桿（31）和所述壓孔（27）固定連接，前方所述棘齒槽（20）和后方所述棘齒槽（20）上的棘齒朝向相反。
5.根據權利要求4所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述箱體（2）的內部設有導水機構（1），所述導水機構（1）包括進水軟管（16）、出水軟管（3）、圓殼（17）、固定環（30）、轉環（28）和多個擠壓塊（29），所述圓殼（17）的后表面和所述箱體（2）的內部后表面固定連接，所述螺桿（10）的外側壁穿過所述圓殼（17），所述螺桿（10）的外側壁和所述固定環（30）的內側壁固定連接，所述固定環（30）的外側壁和所述轉環（28）的內側壁轉動連接。
6.根據權利要求5所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述擠壓塊（29）固定在所述轉環（28）的外側壁，所述進水軟管（16）穿過所述圓殼（17），所述進水軟管（16）的左端以及所述出水軟管（3）的左端均穿過所述固定板（33）和所述冷卻臺（11）的底部固定連接，所述固定環（30）的外側壁開設有棘齒槽（20），所述轉環（28）的內部開設有多個收納孔（23），所述收納孔（23）的內部固定有所述彈簧（22），所述彈簧（22）的另一端固定有所述卡塊（21），所述螺紋筒（24）上位于后方的所述棘齒槽（20）和所述固定環（30）上所述棘齒槽（20）上的棘齒朝向相同。
...【技術特征摘要】
1.一種單晶金剛石均勻生長裝置，包括箱體（2），其特征在于：所述箱體（2）的內部上表面中心固定有低頻率微波源設備（15），所述箱體（2）的內部設有冷卻臺（11），所述冷卻臺（11）的頂部固定有鉬托（12），所述鉬托（12）的內部固定有襯底（14），所述冷卻臺（11）的底部設有固定板（33），所述固定板（33）的內部滑動連接有連接桿（34），所述連接桿（34）的頂部和所述冷卻臺（11）的底部固定連接，所述固定板（33）的底部設有位移機構（19），所述位移機構（19）包括螺桿（10）、電機（13）、移動塊（25）和螺紋筒（24），所述冷卻臺（11）的左右兩側均固定有導軌（9），所述導軌（9）的和所述箱體（2）的內側壁固定連接，所述導軌（9）的前端固定有箱門（4），所述箱門（4）的內部固定有觀察口（5），所述箱體（2）的內部右側固定有進氣管（32）。
2.根據權利要求1所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述箱體（2）的內部設有圓環（6），所述圓環（6）的外側壁固定有兩個連接條（8），所述圓環（6）的內部固定有軸承（7），所述軸承（7）的內側壁和所述螺桿（10）的外側壁固定連接，所述箱體（2）的后表面和所述電機（13）固定連接。
3.根據權利要求2所述的一種單晶金剛石均勻生長裝置，其特征在于：所述電機（13）的輸出軸穿過所述箱體（2）和所述螺桿（10）固定連接，所述螺桿（10）和所述螺紋筒（24）螺紋連接，所述箱體（2）的內部后表面固定有兩個抵桿（18），所述抵桿（18）的前端和所述移動塊（25）的后表面相接觸，所述螺紋筒（24）位于所述移動塊（25）的內部，且和所述移動塊（25）轉動連接，所述移動塊（25）的頂部和所述固定板（33）的底部固定連接。
4.根據權利要求3所述的一種單晶金剛石均...
【專利技術屬性】
技術研發人員：熊磊，張明，王益偉，李陰龍，
申請(專利權)人：陜西北元化工集團股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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