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【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及銅箔制備的,尤其涉及銅箔的制備方法。
技術(shù)介紹
1、隨著電子產(chǎn)品向更高集成度和微型化方向發(fā)展,銅箔在電子制造中扮演著越來(lái)越重要的角色。
2、銅箔可以采用附載體的方式來(lái)制備。使用電解銅箔作為載體箔,在其上形成剝離層,然后沉積目標(biāo)銅箔,再將載體箔與目標(biāo)銅箔有效分離。剝離層材料包括金屬材料、合金和有機(jī)物以實(shí)現(xiàn)載體箔與目標(biāo)銅箔的高效分離。
3、然而,剝離層材料成本較高或者對(duì)人體和環(huán)境可能造成危害。例如,剝離層材料可以包括金屬材料,金屬材料含有稀土元素,成本較高。剝離層材料可以包括有機(jī)物材料,有機(jī)物材料通常包含苯并三唑、苯并咪唑、硫代氰脲酸等有機(jī)化合物及其衍生物,這些材料多數(shù)具有一定毒性,對(duì)人體和環(huán)境可能造成一定危害。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供銅箔的制備方法,可以降低銅箔的制備成本,制備過(guò)程中不會(huì)采用對(duì)人和環(huán)境造成危害的材料。
2、本專利技術(shù)提供一種銅箔的制備方法,包括以下步驟:
3、提供載體層;
4、在所述載體層形成氧化金屬層;
5、在所述氧化金屬層背離所述載體層的表面形成銅箔,所述銅箔通過(guò)所述氧化金屬層與所述載體層連接;
6、還原處理所述氧化金屬層,所述銅箔與所述氧化金屬層脫離。
7、可選地,所述氧化金屬層設(shè)置為氧化銅層。
8、可選地,在所述載體層形成氧化金屬層,包括:
9、提供氧化電解液;
10、以所述載體層為陰極,向所述載體層通電,所
11、可選地,所述氧化電解液的溶劑為水;
12、所述氧化電解液的溶質(zhì)包括硫酸、五水硫酸銅、氫氧化鈉和氧化劑。
13、可選地,所述氧化劑包括過(guò)氧化氫;
14、所述氧化電解液的溶質(zhì)包括50~150g/l硫酸、15~25g/l五水硫酸銅、50~100g/l氫氧化鈉和5~15g/l過(guò)氧化氫。
15、可選地,在所述氧化金屬層背離所述載體層的表面形成銅箔,包括:
16、提供電解液;
17、以所述載體層和所述氧化金屬層為陰極,向所述載體層和所述氧化金屬層中的至少一個(gè)通電,所述氧化金屬層通過(guò)所述電解液形成所述銅箔。
18、可選地,所述電解液的溶劑為水;
19、所述電解液的溶質(zhì)包括硫酸和五水硫酸銅。
20、可選地,還原處理所述氧化金屬層,包括:
21、將所述氧化金屬層設(shè)置于還原腔內(nèi);
22、向所述還原腔通入還原氣體,以使所述還原氣體還原所述氧化金屬層。
23、可選地,將所述氧化金屬層設(shè)置于還原腔內(nèi)之后,還包括:
24、向所述還原腔內(nèi)通入惰性氣體,以排出所述還原腔內(nèi)的氧氣。
25、可選地,所述載體層設(shè)置為厚銅層、銅基合金層、鎳層、鋁層和鐵層。
26、本申請(qǐng)?zhí)峁┑你~箔的制備方法通過(guò)還原處理氧化金屬層,將氧化金屬層設(shè)置為氧化銅層,氧化銅層在還原過(guò)程中出現(xiàn)收縮的特性,氧化金屬層與載體層發(fā)生分離,同時(shí),氧化金屬層與銅箔發(fā)生分離以獲得銅箔。這種方法制備銅箔的制備成本較低,且制備過(guò)程不采用對(duì)環(huán)境有害的材料,具有環(huán)保綠色的優(yōu)點(diǎn)。這種方法的工藝流程簡(jiǎn)單、操作性高。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種銅箔的制備方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化金屬層設(shè)置為氧化銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銅箔的制備方法,其特征在于,在所述載體層形成氧化金屬層,包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化電解液的溶劑為水;
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化劑包括過(guò)氧化氫;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅箔的制備方法,其特征在于,在所述氧化金屬層背離所述載體層的表面形成銅箔,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述電解液的溶劑為水;
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的銅箔的制備方法,其特征在于,還原處理所述氧化金屬層,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的銅箔的制備方法,其特征在于,將所述氧化金屬層設(shè)置于還原腔內(nèi)之后,還包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述載體層設(shè)置為厚銅層、銅基合金層、鎳層、鋁層和鐵層。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種銅箔的制備方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化金屬層設(shè)置為氧化銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銅箔的制備方法,其特征在于,在所述載體層形成氧化金屬層,包括:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化電解液的溶劑為水;
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的銅箔的制備方法,其特征在于,所述氧化劑包括過(guò)氧化氫;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅箔的制備方法,其特征在于,在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:閆瑞剛,繆永華,周建華,王志紅,陳紅磊,李帥,王衛(wèi),張群梅,
申請(qǐng)(專利權(quán))人:江東電子材料有限公司,
類型:發(fā)明
國(guó)別省市:
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