【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置以及包括該半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，該半導(dǎo)體裝置被配置為利用設(shè)置在半導(dǎo)體封裝中的半導(dǎo)體元件的冷卻裝置來冷卻該半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體元件的冷卻裝置諸如peltier元件介于該半導(dǎo)體元件和該半導(dǎo)體元件之間。
技術(shù)介紹
1、以往，隨著半導(dǎo)體工藝的微細(xì)化、半導(dǎo)體元件的高速化，半導(dǎo)體元件的高集成化推進(jìn)。隨著半導(dǎo)體元件的高集成化，出現(xiàn)了各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和封裝。此外，隨著高集成化，半導(dǎo)體元件的功耗也增加，并且抑制伴隨此的溫度升高是問題。
2、作為抑制半導(dǎo)體裝置的溫度上升的結(jié)構(gòu)，例如已知有在半導(dǎo)體裝置中搭載散熱器或peltier元件作為冷卻裝置的封裝結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)并入這種元件時，半導(dǎo)體裝置的封裝結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，因此存在焊接等的檢查過程中的資本投資變得昂貴，以及例如生產(chǎn)時間變長的問題。
3、專利文獻(xiàn)1公開了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：半導(dǎo)體模塊；散熱片基座，具有半導(dǎo)體模塊所附接的第一表面和相對于第一表面布置在與半導(dǎo)體模塊相對側(cè)的第二表面；以及散熱器，包括多個散熱片部分，相對于散熱片基座布置在與半導(dǎo)體模塊相對側(cè)，其中，散熱器的多個散熱片部分接合至第二表面。
4、具體地，在半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體模塊通過第一焊接部接合至第一表面，該第一表面是在平面圖中具有大致矩形形狀和大致平板形狀的鰭板的上表面。此外，多個翅片部豎直地設(shè)置在作為翅片基座的下表面的第二表面上，多個翅片部中的每個均具有大致截頭錐形的根部和連接至根部的大致圓柱形的軸部。
5、多個散熱片部分垂直設(shè)置在散熱片基座的第二表面上的工藝
6、如上所述，由于形成了半導(dǎo)體裝置，因此不需要在鰭基板上形成諸如壓接結(jié)構(gòu)等的凹凸，并且在將半導(dǎo)體模塊附接至鰭基板的第一表面時不需要附接和拆卸保護(hù)蓋。此外，由于散熱片基座的熱容量和表面面積小于在散熱片基座設(shè)置有多個散熱片部分的情況下的熱容量和表面面積，所以減少了通過第一焊料部接合所需的時間。
7、此外，當(dāng)對半導(dǎo)體模塊的接合狀態(tài)進(jìn)行x射線檢查時，不反映多個鰭部，使得可以縮短分析x射線檢查所需的時間，并且降低成本。其結(jié)果是，能夠提供生產(chǎn)率高的半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置。
8、引用列表
9、專利文獻(xiàn)
10、專利文獻(xiàn)1：日本專利申請公開號2021-158255
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)要解決的問題
2、如上所述，在專利文獻(xiàn)1所記載的半導(dǎo)體裝置中，在利用第一焊料部將半導(dǎo)體模塊焊料接合在大致平板狀的散熱片基座的第一面上之后，進(jìn)行x射線檢查，在結(jié)束x射線檢查之后，通過旋轉(zhuǎn)摩擦焊接將多個散熱片部接合在第二面上而形成散熱器。
3、然而，在x射線檢查中，檢查設(shè)備是昂貴的，并且需要花費時間來設(shè)置x射線檢查等。
4、此外，在通過焊接固定半導(dǎo)體元件或半導(dǎo)體模塊的情況下，存在不能以高精度控制位置和傾斜從而影響傾斜角的問題。另外，在將作為熱源的半導(dǎo)體模塊焊料接合在散熱片基座的第一面上的情況下，焊料的熱傳導(dǎo)率未必高，因此在焊料接合部存在發(fā)熱和電壓降低的問題。
5、本專利技術(shù)是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠簡單地進(jìn)行peltier元件等半導(dǎo)體元件的冷卻裝置與pga封裝等半導(dǎo)體封裝中的基板的接合檢查的半導(dǎo)體裝置以及包括該半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。
6、問題的解決方案
7、已經(jīng)做出本公開以解決上述問題，并且其第一方面是：
8、半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置包括：
9、半導(dǎo)體元件；
10、冷卻裝置，該半導(dǎo)體元件在該冷卻裝置上面與上表面接合，將由該半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量傳遞至散熱部；
11、半導(dǎo)體封裝，包括容納半導(dǎo)體元件和冷卻裝置的腔體；
12、電極，形成在冷卻裝置的散熱部中；
13、端子，形成在腔體的底表面上以面向電極；
14、將電極和端子接合在一起的導(dǎo)電樹脂；以及
15、至少一個或多個檢測圖案部，具有導(dǎo)電性，用于檢測介于電極與端子之間的導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
16、另外，在上述第一觀點中，也可以是，上述檢測圖案部在形成有上述端子的面上被絕緣配置，根據(jù)上述檢測圖案部與上述端子之間的電容值來檢測上述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
17、此外，在第一方面中，檢測圖案部可以以非絕緣的方式布置在端子形成在其上的表面上，并且可以被配置為基于檢測圖案部和端子之間的電阻值來檢測導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
18、另外，在上述第一觀點中，也可以是，上述檢測圖案部在形成有上述電極的表面上絕緣配置，根據(jù)上述檢測圖案部與上述電極之間的靜電電容值來檢測上述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
19、此外，在第一方面中，檢測圖案部可以以非絕緣的方式布置在形成電極的表面上，并且可以被配置為基于檢測圖案部和電極之間的電阻值來檢測導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
20、另外，在上述第一觀點中，也可以是，上述檢測圖案部在形成有上述電極的面上被絕緣配置，根據(jù)上述檢測圖案部與上述端子之間的電容值來檢測上述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
21、此外，在第一方面中，檢測圖案部可以以非絕緣的方式布置在形成電極的表面上，并且可以被配置為基于檢測圖案部和端子之間的電阻值來檢測導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
22、另外，在上述第一觀點中，也可以是，上述檢測圖案部在形成有上述端子的面上被絕緣配置，根據(jù)上述檢測圖案部與上述電極之間的靜電電容值來檢測上述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
23、此外，在第一方面中，檢測圖案部可以以非絕緣的方式布置在形成端子的表面上，并且可以被配置為基于檢測圖案部與電極之間的電阻值來檢測導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
24、另外，在上述第一觀點中，也可以是，上述檢測圖案部形成為直線狀，在多個上述端子之間以及上述端子與上述腔體的內(nèi)壁之間配置至少一個檢測圖案部。
25、另外，在上述第一觀點中，也可以是，檢測圖案部形成為多個小檢測圖案部，多個檢測圖案部配置于多個端子之間以及端子與腔體的內(nèi)壁之間。
26、另外，在上述第一方面中，也可以是，檢測圖案部形成為直線狀，在多個電極之間以及電極與腔體的內(nèi)壁之間設(shè)置有至少一個檢測圖案部。
27、另外，在上述第一方式中，也可以是，上述檢測圖案部形成為多個小檢測圖案部，上述多個檢測圖案部配置于多個電極之間以及上述電極與上述腔體的內(nèi)壁之間。
28、另外，在上述第一方式中，也可以是，上述小檢測圖案部在俯視觀察時形成為大致較短的直線形狀、大致矩形形狀、大致三角形形狀或大致圓形形狀。
29、另外，在上述第一方面中，也可以是，上述本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部形成為直線狀，并且至少一個檢測圖案部布置在多個所述端子之間以及所述端子與所述腔體的內(nèi)壁之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部形成為多個小的檢測圖案部，并且多個所述檢測圖案部布置在多個所述端子之間以及所述端子與所述腔體的內(nèi)壁之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部形成為直線狀，并且至少一個檢測圖案部布置在多個所述電極之間以及所述電極與所述腔體的內(nèi)壁之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部形成為多個小的檢測圖案部，并且多個所述檢測圖案部布置在多個所述電極之間以及所述電極與所述腔體的內(nèi)壁之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述小的檢測圖案部在平面圖中形成為大致短線狀、大致矩形、大致三角形或大致圓形。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部的絕緣是氧化鋁(Al2O3)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部的絕緣是絕緣樹脂。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述冷卻裝置包括Peltier元件。
18.一種電子設(shè)備，包括半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部以非絕緣的方式布置在形成所述電極的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述端子之間的電阻值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述檢測圖案部被絕緣并布置在形成所述端子的表面上，并且被配置為基于所述檢測圖案部與所述電極之間的電容值檢測所述導(dǎo)電樹脂的濕擴(kuò)散。
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：小林劍人，
申請(專利權(quán))人：索尼半導(dǎo)體解決方案公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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