【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路，具體而言，涉及一種襯底接觸設計方法、裝置、電子設備及存儲介質。
技術介紹
1、在集成電路設計制造中，一般會有專門的襯底基礎單元模塊，用于把集成電路的襯底和阱連接到設計所需的電位上。襯底接觸的質量會影響集成電路器件的性能，設計上針對襯底接觸主要是盡可能增加襯底接觸的數量，從而減少寄生襯底電阻來減少因為襯底的寄生電阻引起的閂鎖效應的發生。
2、圖1為現有的襯底接觸單元的排列示意圖，如圖1所示，半定制設計會采用固定間距擺放襯底接觸單元tap?cell，在邏輯單元logic?cell擺放前就提前規劃好襯底接觸單元的擺放位置。如圖1中的(a)所示，為采用固定間距交替排列，如圖1中的(b)所示，為采用固定間距垂直排列。
3、對于一般的集成電路應用場景，采用上述襯底接觸單元的排列方式就能夠基本避免由襯底寄生電阻引入的閂鎖效應的影響，但對于輻照環境下的半定制集成電路設計，由于高能粒子的隨機性，其可以在任意方向任意位置打擊到芯片的襯底上，由此引發的閂鎖效應可能引起電路的功能異常。
4、因此，需要抗閂鎖性能更加優越的襯底接觸設計方法。
技術實現思路
1、本申請的目的在于，針對上述現有技術中的不足，提供一種襯底接觸設計方法、裝置、電子設備及存儲介質，以便提高電路抗閂鎖性能并提高襯底接觸單元的面積利用率。
2、為實現上述目的，本申請實施例采用的技術方案如下：
3、第一方面，本申請實施例提供了一種襯底接觸設計方法，所述方法包括：
4、獲取預設集成電路的布局設計，所述布局設計中包括按預設位置擺放的多個邏輯單元；
5、在所述預設集成電路中第一邏輯單元的預設區域內插入襯底接觸單元，其中，所述第一邏輯單元為所述預設區域內不存在襯底接觸單元的一個邏輯單元；
6、根據所述襯底接觸單元的插入位置和第一預設范圍，更新所述多個邏輯單元的襯底存在狀態，所述襯底存在狀態指示所述邏輯單元的預設區域內是否存在所述襯底接觸單元；
7、依次遍歷所述多個邏輯單元，根據更新后的襯底存在狀態繼續插入新的襯底接觸單元，直至所述多個邏輯單元的預設區域內均存在所述襯底接觸單元后，完成對所述預設集成電路的襯底接觸設計。
8、可選地，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和第一預設范圍，更新所述多個邏輯單元的襯底存在狀態，包括：
9、根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元；
10、根據所述第二邏輯單元的預設區域和所述襯底接觸單元的插入位置，從所述第二邏輯單元中篩選目標邏輯單元，所述目標邏輯單元為所述襯底接觸單元的插入位置在對應的預設區域內的第二邏輯單元；
11、更新所述目標邏輯單元的襯底存在狀態為存在狀態，其他邏輯單元的襯底存在狀態為不存在狀態。
12、可選地，每個襯底接觸單元包括：襯底接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，包括：
13、根據所述襯底接觸單元的插入位置，確定在所述襯底接觸單元的襯底接觸上與所述襯底接觸單元直接相鄰的邏輯單元為所述第二邏輯單元，所述第一預設范圍為直接相鄰的范圍。
14、可選地，每個襯底接觸單元還包括：阱接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，還包括：
15、根據所述襯底接觸單元的插入位置，確定在所述襯底接觸單元的阱接觸上與所述襯底接觸單元相鄰的邏輯單元為所述第二邏輯單元。
16、可選地，每個邏輯單元具有襯底接觸標識和阱接觸標識，所述在所述預設集成電路中第一邏輯單元的預設區域內插入襯底接觸單元之后，所述方法還包括：
17、確定所述第一邏輯單元的襯底接觸標識和阱接觸標識為第一標識；
18、所述更新所述目標邏輯單元的襯底存在狀態為存在狀態，其他邏輯單元的襯底存在狀態為不存在狀態，包括：
19、確定所述目標邏輯單元的襯底接觸標識和阱接觸標識為所述第一標識，其他邏輯單元的襯底接觸標識和阱接觸標識為第二標識；
20、所述第一標識指示邏輯單元的襯底存在狀態為存在狀態，第二標識指示邏輯單元的襯底存在狀態為不存在狀態。
21、可選地，所述根據更新后的襯底存在狀態繼續插入新的襯底接觸單元，包括：
22、判斷所述襯底存在狀態為不存在狀態的第三邏輯單元的預設區域的空余空間是否支持插入所述襯底接觸單元；
23、若所述第三邏輯單元的預設區域的空余空間不足以插入所述襯底接觸單元，確定不在所述第三邏輯單元的預設區域內插入所述襯底接觸單元，所述第三邏輯單元的襯底存在狀態為不存在狀態。
24、可選地，所述方法還包括：
25、將所述第一預設范圍增大為第二預設范圍；
26、根據各個所述襯底接觸單元的插入位置和所述第二預設范圍，再次更新所述第三邏輯單元的襯底存在狀態。
27、可選地，所述方法還包括：
28、調整所述第三邏輯單元的擺放位置，以使得所述第三邏輯擺放單元的預設區域的空余空間足以插入所述襯底接觸單元；
29、在調整后的所述第三邏輯單元的預設區域內插入所述襯底接觸單元。
30、第二方面，本申請實施例還提供一種襯底接觸設計裝置，所述裝置包括：
31、獲取模塊，用于獲取預設集成電路的布局設計，所述布局設計中包括按預設位置擺放的多個邏輯單元；
32、插入模塊，用于在所述預設集成電路中第一邏輯單元的預設區域內插入襯底接觸單元，其中，所述第一邏輯單元為所述預設區域內不存在襯底接觸單元的一個邏輯單元；
33、更新模塊，用于根據所述襯底接觸單元的插入位置和第一預設范圍，更新所述多個邏輯單元的襯底存在狀態，所述襯底存在狀態指示所述邏輯單元的預設區域內是否存在所述襯底接觸單元；
34、遍歷模塊，用于依次遍歷所述多個邏輯單元，根據更新后的襯底存在狀態繼續插入新的襯底接觸單元，直至所述多個邏輯單元的預設區域內均存在所述襯底接觸單元后，完成對所述預設集成電路的襯底接觸設計。
35、可選地，所述更新模塊，具體用于根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元；根據所述第二邏輯單元的預設區域和所述襯底接觸單元的插入位置，從所述第二邏輯單元中篩選目標邏輯單元，所述目標邏輯單元為所述襯底接觸單元的插入位置在對應的預設區域內的第二邏輯單元；更新所述目標邏輯單元的襯底存在狀態為存在狀態，其他邏輯單元的襯底存在狀態為不存在狀態。
36、可選地，每個襯底接觸單元包括：襯底接觸，所述更新模塊，還用于根據所述襯底接觸單元的插入位置，確定在所述襯底接觸單元的襯底接觸上與所述襯底接觸單元直接相鄰的邏輯單元為所述第二邏輯單元，所述第一預設范圍為直接相鄰的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種襯底接觸設計方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和第一預設范圍，更新所述多個邏輯單元的襯底存在狀態，包括：
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，每個襯底接觸單元包括：襯底接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，包括：
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，每個襯底接觸單元還包括：阱接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，還包括：
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，每個邏輯單元具有襯底接觸標識和阱接觸標識，所述在所述預設集成電路中第一邏輯單元的預設區域內插入襯底接觸單元之后，所述方法還包括：
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據更新后的襯底存在狀態繼續插入新的襯底接觸單元，包括：
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.如權利要求6或7所述的方法，其特征
9.一種襯底接觸設計裝置，其特征在于，所述裝置包括：
10.一種電子設備，其特征在于，包括：處理器、存儲介質和總線，所述存儲介質存儲有所述處理器可執行的程序指令，當電子設備運行時，所述處理器與所述存儲介質之間通過總線通信，所述處理器執行所述程序指令，以執行如權利要求1至8任一項所述的襯底接觸設計方法的步驟。
11.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器運行時執行如權利要求1至8任一項所述的襯底接觸設計方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種襯底接觸設計方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和第一預設范圍，更新所述多個邏輯單元的襯底存在狀態，包括：
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，每個襯底接觸單元包括：襯底接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，包括：
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，每個襯底接觸單元還包括：阱接觸，所述根據所述襯底接觸單元的插入位置和所述第一預設范圍，確定位于所述第一預設范圍內的第二邏輯單元，還包括：
5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，每個邏輯單元具有襯底接觸標識和阱接觸標識，所述在所述預設集成電路中第一邏輯單元的預設區域內插入襯底接觸單元之后，所述方法還包括：
【專利技術屬性】
技術研發人員：田金峰，馬卓，
申請(專利權)人：飛騰信息技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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