【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體發光器件，更為具體地說，涉及一種led外延結構及其制備方法和電子設備。
技術介紹
1、發光二極管（light-emitting?diode，led）具有體積小、高效節能及使用壽命長等優點，從而得到了廣泛的應用，顯示背光源就是led的一個重要應用方向。隨著人們對電子產品的追求不斷提高，對顯示屏色域的要求也越來越高。傳統由單一藍光led芯片制作而成的背光源只能達到中等色域，如果使用不同顏色多led芯片的組合的方案來制作背光源，雖然能夠提升背光源的色域，但是會增加應用端的電路設計復雜性及其成本。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供了一種led外延結構及其制備方法和電子設備，有效解決了現有技術存在的技術問題，通過帶隙寬度不同的第一多量子阱層和第二多量子阱層實現led外延結構的雙波段的發光效果，同時通過相對光強調節層調節第一多量子阱層的帶隙和第二多量子阱層的帶隙的有效復合相比例，達到調節第一多量子阱層和第二多量子阱層的光強相對比例，最終達到提升應用端電子設備的色域的目的。
2、為實現上述目的，本申請提供的技術方案如下：
3、一種led外延結構，包括：
4、襯底；
5、位于所述襯底一側且沿垂直所述襯底所在平面的方向依次疊加生長的第一類型半導體層、第一多量子阱層、相對光強調節層、第二多量子阱層和第二類型半導體層；
6、所述第一多量子阱層和所述第二多量子阱層的帶隙寬度不同；
7、所述相對光強調節層用于調節所
8、可選的，所述第一多量子阱層包括：
9、依次交替生長的inxga(i-x)n量子阱層和第一gan量子壘層，其中，所述第一多量子阱層的生長周期數量范圍為1-4。
10、可選的，所述inxga(i-x)n量子阱層的厚度范圍為2-3nm；
11、所述第一gan量子壘層的厚度范圍為10-17nm。
12、可選的，所述第二多量子阱層包括：
13、依次交替生長的inyga(i-y)n量子阱層和第二gan量子壘層，其中，所述第二多量子阱層的生長周期數量范圍為6-15。
14、可選的，所述inyga(i-y)n量子阱層的厚度范圍為3-4nm；
15、所述第二gan量子壘層的厚度范圍為8-12nm。
16、可選的，所述相對光強調節層包括：依次生長的第一gan層、aln層和第二gan層。
17、可選的，所述第一gan層的厚度范圍為3-6nm；
18、所述aln層的厚度范圍為2-5nm；
19、所述第二gan層的厚度范圍為10-15nm。
20、可選的，所述led外延結構還包括：
21、位于所述襯底與所述第一類型半導體層之間的緩沖層；
22、和/或，位于所述襯底與所述第一類型半導體層之間的非摻雜層，其中，所述led外延結構包括所述緩沖層時，所述非摻雜層位于所述緩沖層與所述第一類型半導體層之間；
23、和/或，位于所述第一類型半導體層與所述第一多量子阱層之間的應力釋放層；
24、和/或，位于所述第二多量子阱層和所述第二類型半導體層之間的電子阻擋層。
25、基于相同的專利技術構思，本申請還提供了一種制備方法，用于制備上述的led外延結構，制備方法包括：
26、提供一襯底；
27、在所述襯底的一側且沿垂直所述襯底所在平面的方向依次疊加生長第一類型半導體層、第一多量子阱層、相對光強調節層、第二多量子阱層和第二類型半導體層；
28、其中，所述第一多量子阱層和所述第二多量子阱層的帶隙寬度不同；
29、所述相對光強調節層用于調節所述第一多量子阱層的帶隙和所述第二多量子阱層的帶隙的有效復合相比例。
30、基于相同的專利技術構思，本申請還提供了一種電子設備，所述電子設備包括上述的led外延結構。
31、相較于現有技術，本申請提供的技術方案至少具有以下優點：
32、本申請提供了一種led外延結構及其制備方法和電子設備，包括：襯底；位于所述襯底一側且沿垂直所述襯底所在平面的方向依次疊加生長的第一類型半導體層、第一多量子阱層、相對光強調節層、第二多量子阱層和第二類型半導體層；所述第一多量子阱層和所述第二多量子阱層的帶隙寬度不同；所述相對光強調節層用于調節所述第一多量子阱層的帶隙和所述第二多量子阱層的帶隙的有效復合相比例。
33、由上述內容可知，本申請提供的技術方案，通過帶隙寬度不同的第一多量子阱層和第二多量子阱層實現led外延結構的雙波段的發光效果，同時通過相對光強調節層調節第一多量子阱層的帶隙和第二多量子阱層的帶隙的有效復合相比例，達到調節第一多量子阱層和第二多量子阱層的光強相對比例的目的，最終達到提升應用端電子設備的色域的目的。
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1.一種LED外延結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述第一多量子阱層包括：
3.根據權利要求2所述的LED外延結構，其特征在于，所述InxGa(I-x)N量子阱層的厚度范圍為2-3nm；
4.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述第二多量子阱層包括：
5.根據權利要求4所述的LED外延結構，其特征在于，所述InyGa(I-y)N量子阱層的厚度范圍為3-4nm；
6.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述相對光強調節層包括：依次生長的第一GaN層、AlN層和第二GaN層。
7.根據權利要求6所述的LED外延結構，其特征在于，所述第一GaN層的厚度范圍為3-6nm；
8.根據權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于，所述LED外延結構還包括：
9.一種制備方法，其特征在于，用于制備權利要求1-8任意一項所述的LED外延結構，制備方法包括：
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括權利要求1-8任
...【技術特征摘要】
1.一種led外延結構，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的led外延結構，其特征在于，所述第一多量子阱層包括：
3.根據權利要求2所述的led外延結構，其特征在于，所述inxga(i-x)n量子阱層的厚度范圍為2-3nm；
4.根據權利要求1所述的led外延結構，其特征在于，所述第二多量子阱層包括：
5.根據權利要求4所述的led外延結構，其特征在于，所述inyga(i-y)n量子阱層的厚度范圍為3-4nm；
6.根據權利要求1所述的le...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鮑傳保，袁建，霍麗艷，林繼宏，劉兆，
申請(專利權)人：江西乾照光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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