【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及l(fā)ed，具體涉及一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)及方法。
技術(shù)介紹
1、隨著led技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場上led產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)日益多樣化，以滿足不同領(lǐng)域和場景的應(yīng)用需求。在led產(chǎn)品的制造過程中，為了提升其反射率，大多數(shù)led產(chǎn)品的支架底部表面都采用了電鍍銀工藝。電鍍銀層能夠有效反射光線，提高led的發(fā)光效率。然而，銀作為一種活潑金屬，容易與外界環(huán)境中的硫元素、鹵元素或臭元素等發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成對應(yīng)的化合物，導(dǎo)致支架表面的銀層變色，進(jìn)而影響其反射率，最終影響led產(chǎn)品的發(fā)光效率，造成產(chǎn)品衰減或死燈現(xiàn)象。
2、為了解決led產(chǎn)品的防硫化問題，市場上已經(jīng)出現(xiàn)了多種工藝和材料。其中，一種常見的方法是在led產(chǎn)品表面或支架底部涂覆高分子材料。高分子材料因其良好的化學(xué)穩(wěn)定性和物理性能，被廣泛應(yīng)用于led產(chǎn)品的保護(hù)。通過涂覆高分子材料，可以在一定程度上隔絕外界環(huán)境與led支架底部銀層的直接接觸，從而減緩銀層的硫化過程。此外，還有利用高分子材料特性在特定條件下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的方法，通過反應(yīng)生成特定有機物對led產(chǎn)品進(jìn)行保護(hù)。
3、然而，盡管這些方法在一定條件下能夠起到一定的保護(hù)作用，但其穩(wěn)定性和led被保護(hù)的程度仍存在很大的瓶頸。首先，高分子材料本身在高溫或酸堿條件下容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而失去應(yīng)有的保護(hù)作用。這限制了led產(chǎn)品在一些極端環(huán)境下的應(yīng)用。其次，涂覆的高分子膜與支架或產(chǎn)品本身的結(jié)合力不夠牢固，容易在長期使用過程中出現(xiàn)脫落或磨損現(xiàn)象，導(dǎo)致保護(hù)效果大打折扣。最后，所形成的高分子膜致密性不夠高，硫、鹵、臭等元素仍
4、因此，現(xiàn)如今急需提供一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)及方法，以此來解決上述問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷，提供一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)及方法，有效防止led支架上的銀層被硫化，顯著提升了led產(chǎn)品的性能和延長其使用壽命。
2、本專利技術(shù)的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的：
3、一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，包括led支架、led芯片，所述led支架上開設(shè)有堆疊槽，所述堆疊槽底部設(shè)有銀層，所述led芯片焊接在銀層上，所述銀層上表面設(shè)有一層保護(hù)薄膜，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層中的任意一種或多種在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
4、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化鈦層在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
5、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述保護(hù)薄膜通過pvd沉積在銀層上。
6、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層均為納米顆粒層。
7、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述led支架由ppa、pct、emc中的任意一種材質(zhì)制成。
8、一種led支架防硫化封裝方法，包括：
9、在led支架上開設(shè)堆疊槽，將led芯片焊接在堆疊槽底部的銀層上，再將金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層中的任意一種或多種在特定環(huán)境中從下往上依次沉積到銀層外表面上，形成一層保護(hù)薄膜。
10、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，所述特定環(huán)境為真空或充滿惰性氣體環(huán)境。
11、作為本專利技術(shù)的一種優(yōu)選技術(shù)方案，將金屬鉻層、二氧化硅層、二氧化鈦層在真空或充滿惰性氣體環(huán)境中從下往上依次沉積到銀層外表面上。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有如下的有益效果：
13、本專利技術(shù)通過在led支架上的銀層外表面依次沉積金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層中的任意一種或多種，構(gòu)建一層保護(hù)薄膜，有效防御外界環(huán)境中的硫元素、鹵元素或臭元素等對銀層的侵蝕，確保銀層的性能穩(wěn)定。通過pvd沉積，形成的保護(hù)薄膜與led支架的結(jié)合力牢固，不易脫落，且保護(hù)薄膜致密性高，能夠有效阻擋外界環(huán)境中的硫元素、鹵元素或臭元素等滲透進(jìn)去與銀層發(fā)生反應(yīng)，對銀層的保護(hù)性強。本專利技術(shù)的led支架封裝結(jié)構(gòu)及方法有效提高了led產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性，降低了維護(hù)成本，延長了產(chǎn)品使用壽命。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點】
1.一種LED支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括LED支架、LED芯片，所述LED支架上開設(shè)有堆疊槽，所述堆疊槽底部設(shè)有銀層，所述LED芯片焊接在銀層上，所述銀層上表面設(shè)有一層保護(hù)薄膜，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層中的任意一種或多種在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化鈦層在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)薄膜通過PVD沉積在銀層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層均為納米顆粒層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述LED支架由PPA、PCT、EMC中的任意一種材質(zhì)制成。
6.一種LED支架防硫化封裝方法，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種LED支架防硫化封裝方法，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED支架防硫化封裝方法，其特征在于，將金屬鉻層、二氧化硅層、二氧化鈦層在真空或充滿惰性氣體環(huán)境中從下往上依次沉積到銀層外表面上。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括led支架、led芯片，所述led支架上開設(shè)有堆疊槽，所述堆疊槽底部設(shè)有銀層，所述led芯片焊接在銀層上，所述銀層上表面設(shè)有一層保護(hù)薄膜，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化硅層、二氧化鈦層中的任意一種或多種在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)薄膜由金屬鉻層、氧化鋁層、二氧化鈦層在特定環(huán)境中從下往上依次沉積堆疊而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種led支架防硫化封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)薄膜通過pvd沉積在銀層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉云，
申請(專利權(quán))人：深圳市斯邁得半導(dǎo)體有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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