【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于太陽能電池，尤其涉及一種ibc電池的背面結構、ibc電池及其制備方法。
技術介紹
1、ibc電池（interdigitated?back?contact），即叉指狀全背接觸電池，是在硅片的背面分別進行磷、硼擴散，形成叉指形交叉排列的p+區和n+區，同時，正負金屬電極也呈叉指狀方式排列在電池背光面的一種背結背接觸太陽能電池技術。ibc電池的核心技術之一是其背面電極的設計，因為它不僅影響電池性能，還直接決定了ibc組件的制作工藝。
2、ibc太陽電池最顯著的特點是pn結和金屬接觸都處于太陽電池的背面，其正面徹底避免了金屬柵線電極的遮擋，結合正面的金字塔絨面結構和減反層組成的陷光結構，能夠最大限度地利用入射光，減少光學損失，具有更高的短路電流。同時，背部采用優化的金屬柵線電極，降低了串聯電阻。
3、雖然ibc電池存在很多優點，但同時它也面臨很多挑戰，其中典型且突出的問題是常規的ibc太陽能電池存在金屬區復合大的問題，限制了其效率的提升。具體來說，ibc電池通常由n區摻雜區和p區摻雜區構成，為了降低n型摻雜區的金屬區的復合，通常引入隧穿氧化層/多晶硅結構的來降低其金屬區的復合。然而，對于p型摻雜區如果也引入隧穿氧化層/多晶硅結構，其工藝非常復雜，圖形化技術要求比較高，增加了技術難度和成本，因此，比較簡單的方式是采用直接摻雜的方式形成p型摻雜區。該方法雖然可以大幅度降低其制作成本和技術難度，但目前在p型摻雜區需要采用含鋁的銀漿才能形成比較好的歐姆接觸，由于在燒結過程中鋁尖刺的產生以及金屬電極下鈍化層的
技術實現思路
1、1.?要解決的問題
2、本專利技術的目的之一是提供一種ibc電池的背面接觸結構，旨在提高太陽能電池的轉換效率；
3、同時，本專利技術還提供了一種ibc電池以及所述ibc電池的背面接觸結構、ibc電池的制備工藝。
4、2.?技術方案
5、為了解決上述問題，本專利技術所采用的技術方案如下：
6、根據本專利技術目的本專利技術第一方面提供了一種ibc電池的背面接觸結構，所述背面接觸結構包括：基區硅片，所述基區硅片具有背面；
7、第一介質層，所述第一介質層設置于所述基區硅片的背面；
8、第二介質層，所述第二介質層設置于所述基區硅片的背面；
9、第一發射極以及第一金屬電極，所述第一發射極設置于所述第一介質層與所述第二介質層之間，所述第一金屬電極穿過第二介質層與所述第一發射極接觸；
10、第二發射極以及第二金屬電極，所述第二發射極形成于所述基區硅片中，并具有與所述第一發射極相反的極性，所述第二金屬電極穿過第二介質層與所述第二發射極接觸；
11、其中，所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸的面具有非連續介質層。
12、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極為包含有第一摻雜元素的摻雜多晶硅；
13、所述第二發射極為包含有第二摻雜元素的摻雜單晶硅。
14、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極為包含有第一摻雜元素的摻雜多晶硅；
15、所述第二發射極為包含有第二摻雜元素的摻雜單晶硅。
16、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極的摻雜類型與所述第二發射極的摻雜類型不同；
17、所述第一發射極的摻雜濃度為0.5e20~8e20?cm-3；
18、所述第二發射極的摻雜濃度為：1e18?cm-3~1e20?cm-3。
19、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極的厚度為20~300?nm。
20、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第二發射極的摻雜深度不超過（即≤）0.7um。
21、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極的摻雜類型為n型摻雜；所述第一發射極的摻雜濃度為0.5e20~8e20?cm-3；
22、所述第二發射極的摻雜類型為p型摻雜；所述第二發射極的摻雜濃度為1e18?cm-3~1e20?cm-3。
23、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一發射極的摻雜類型為n型摻雜；所述第一發射極的摻雜濃度為0.5e20~8e20cm-3；
24、所述第二發射極的摻雜類型為p型摻雜；所述第二發射極的摻雜濃度為1e18?cm-3~1e20?cm-3。
25、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一介質層包括氧化物（比如氧化鋁）、硅化物（比如二氧化硅、氮化硅、碳化硅）中的任意一種或兩種或兩種以上。
26、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第一介質層的厚度為0.5~3nm。
27、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第二介質層包括氧化物（比如氧化鋁）、硅化物（比如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅）中的任意一種或兩種或兩種以上。
28、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第二介質層包括含有氧化物層、硅化物層中的任意一種或兩種或兩種以上的層。
29、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第二介質層的厚度為50~120nm。
30、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述非連續介質層包括氧化物（比如氧化鋁）、硅化物（比如二氧化硅、氮化硅、碳化硅）中的任意一種或兩種或兩種以上。
31、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述非連續介質層包括含有氧化物層、硅化物層中的任意一種或兩種或兩種以上的層。
32、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述非連續介質層的厚度小于所述第二介質層的厚度。
33、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述非連續介質層的厚度為1~120nm。
34、如在此所述的，通過控制存在于所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸的面的非連續介質層的厚度、覆蓋面積s1的占比可以實現最佳電池效率的調控。
35、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述非連續介質層的表面具有玻璃層。
36、根據本專利技術目的的第一方面的任一實施方案的?ibc電池的背面接觸結構，所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸的面的面積為s；本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.?IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述背面接觸結構包括：基區硅片，所述基區硅片具有背面；
2.根據權利要求1所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸的面具有金屬點。
3.?根據權利要求2所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述第一發射極的摻雜濃度為0.5?E20~8E20cm-3；
4.根據權利要求2所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述非連續介質層的厚度小于所述第二介質層的厚度。
5.?根據權利要求4所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述非連續介質層的厚度為1~120?nm。
6.?根據權利要求?1~5任一所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，?所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸面的面積為S；
7.根據權利要求6所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述非連續介質層的表面具有玻璃層。
8.根據權利要求2~5任一所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述金屬點含有銀和硅。
9.?根據權利要
10.?根據權利要求8所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述金屬點在所述基區硅片的嵌入深度為50~500?nm。
11.根據權利要求10所述的IBC電池的背面接觸結構，其特征在于，所述第二發射極的摻雜深度不超過0.7um。
12.?IBC電池，其特征在于，所述電池包括：
...【技術特征摘要】
1.?ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，所述背面接觸結構包括：基區硅片，所述基區硅片具有背面；
2.根據權利要求1所述的ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，所述第二金屬電極與第二發射極之間接觸的面具有金屬點。
3.?根據權利要求2所述的ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，所述第一發射極的摻雜濃度為0.5?e20~8e20cm-3；
4.根據權利要求2所述的ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，所述非連續介質層的厚度小于所述第二介質層的厚度。
5.?根據權利要求4所述的ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，所述非連續介質層的厚度為1~120?nm。
6.?根據權利要求?1~5任一所述的ibc電池的背面接觸結構，其特征在于，?所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：付少劍，張明明，方濤，
申請(專利權)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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