【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及基板處理方法和基板處理系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
1、專利文獻(xiàn)1和專利文獻(xiàn)2公開了，在euv光刻處理中，使用由金屬氧化物構(gòu)成的抗蝕劑，進(jìn)行圖案化的基板處理方法。
2、【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
3、【專利文獻(xiàn)】
4、【專利文獻(xiàn)1】美國專利申請(qǐng)公開第2021/305048號(hào)說明書
5、【專利文獻(xiàn)2】美國專利申請(qǐng)公開第2020/326627號(hào)說明書
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、【專利技術(shù)要解決的課題】
2、一個(gè)方式中，本專利技術(shù)提供一種基板處理方法和基板處理系統(tǒng)，在將金屬氧化物抗蝕劑膜作為掩模蝕刻基底膜時(shí)，改善基底膜上形成的圖案的線邊緣粗糙度。
3、【解決課題的手段】
4、為了解決上述課題，根據(jù)一個(gè)方式，可提供一種基板處理方法，其包括：在具有基底膜的基板上形成金屬氧化物抗蝕劑膜的工序，在所述金屬氧化物抗蝕劑膜上形成圖案的工序，將形成有所述圖案的所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序，和將改性的所述金屬氧化物抗蝕劑膜作為掩模，蝕刻所述基底膜的工序。
5、【專利技術(shù)的效果】
6、根據(jù)一個(gè)方面，可提供一種基板處理方法和基板處理系統(tǒng)，其中，將金屬氧化物抗蝕劑膜作為掩模，蝕刻基底膜時(shí)，改善基底膜上形成的圖案的線邊緣粗糙度。
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基板處理方法，其包括，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序?yàn)閷⑺鼋饘傺趸锟刮g劑膜氧化的處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序?yàn)閷⑺龌灞┞队谶^氧化氫和/或臭氧的處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，在所述金屬氧化物抗蝕劑膜上形成圖案的工序后，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序前，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，在所述金屬氧化物抗蝕劑膜上形成圖案的工序后，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理方法，所述保護(hù)膜為氧化鈦膜、氧氮化鈦膜、氧化鋁膜、氧化硅膜中的任意一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序后，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理方法，所述保護(hù)膜為氧化鈦膜、氧氮化鈦膜、氧化鋁膜、氧化硅膜、氮化鈦膜、氮化硅膜中的任意一個(gè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8的任意1項(xiàng)所述的基板處理方法，在所述形成保護(hù)膜的工序后，蝕刻所述基底膜的工序前，
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...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種基板處理方法，其包括，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序?yàn)閷⑺鼋饘傺趸锟刮g劑膜氧化的處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序?yàn)閷⑺龌灞┞队谶^氧化氫和/或臭氧的處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，在所述金屬氧化物抗蝕劑膜上形成圖案的工序后，將所述金屬氧化物抗蝕劑膜改性的工序前，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，在所述金屬氧化物抗蝕劑膜上形成圖案的工序...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：井下田真信，高橋豐，田村辰也，鈴木祐介，鐮田豐弘，小山賢一，都筑伶子，永原誠司，村松誠，村松諭，志村悟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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