【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本技術涉及光檢測元件和光檢測元件的制造方法。具體地說，本技術涉及光檢測元件的布線結構。
技術介紹
1、在半導體芯片的封裝中，可以使用其中層壓有單一半導體芯片的三維集成結構，以便抑制安裝面積的增加。作為這樣的三維集成結構，例如，存在這樣的結構，其中，單一的存儲器電路和邏輯電路在水平方向上布置，嵌入有氧化膜，并且平坦化，然后，層壓，以便包括在固態成像器件下的平面方向上(見專利文獻1和3)。此外，存在一種結構，其中，第一連接過孔連接第一基板結構和第二基板結構，穿透第一基板和第一層間絕緣層，延伸到第二基板結構的第二層間絕緣層，并且連接到第二層間絕緣層的第二布線層和第一層間絕緣層的第一布線層(例如，參見專利文獻2)。
2、引用列表
3、專利文獻
4、專利文獻1：wo?2019/087764?a
5、專利文獻2：日本專利申請特開第2019-68049號
6、專利文獻3：wo?2020129686a
技術實現思路
1、本專利技術要解決的問題
2、然而，在上述傳統技術中，因為對連接到封裝件的外部端子的貫通電極的布置位置的限制很大，所以存在從層壓芯片至外部端子的路徑長度增加或者待布置的外部端子的數量的限制增加的可能性。
3、本專利技術是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，緩和與封裝的光檢測元件的外部端子連接的貫通電極的布置位置的限制。
4、問題的解決方案
5、為了解決上述課題而作出本技術，本專利
6、另外，根據第一方面，第一布線層可以直接接合至第二布線層和第三布線層。這起到了能夠實現形成在不同芯片上的布線層的連接部分的小型化的效果。
7、此外，根據第一方面，還可以包括設置在嵌入層上的支撐基板，并且貫通電極可穿透支撐基板和嵌入層并且連接到第一布線層。這起到了能夠應對芯片的薄型化，并且能夠確保封裝的光檢測元件的強度的效果。
8、此外，根據第一方面，還可以包括傳感器芯片，在傳感器芯片上層壓第一芯片，并且傳感器芯片具有形成在前表面側上的第四布線層和形成在后表面側上的像素。這起到了能夠抑制封裝的光檢測元件的安裝面積的增大，并且在成像功能中添加數據處理功能、存儲功能等的效果。
9、另外，根據第一方面，第一布線層可包括：前表面布線層，形成在第一芯片的前表面側上；后表面布線層，形成在第一芯片的后表面側上；前表面布線層可以直接接合至第四布線層；后表面布線層直接接合至第二布線層和第三布線層；并且貫通電極可以穿透嵌入層，并且連接到后表面布線層。這起到了緩和與封裝的光檢測元件的外部端子連接的貫通電極的布置位置的限制的效果。
10、此外，根據第一方面，還可以包括設置在傳感器芯片上的透明基板。這起到了能夠應對傳感器芯片的薄型化，并且能夠確保封裝的光檢測元件的強度的效果。
11、此外，根據第一方面，還可以包括將傳感器芯片的成像區域與透明基板分開的腔體。這起到了能夠不影響傳感器芯片的光學功能地確保封裝的光檢測元件的強度的效果。
12、另外，第二方面提供一種光檢測元件，包括：第一芯片，在其上形成第一布線層；第二芯片，層壓在第一芯片上，并且在第二芯片上形成第二布線層；嵌入層，層壓在第一芯片上，使得第二芯片嵌入在嵌入層中；重布線層，形成在嵌入層上；以及貫通電極，穿透嵌入層，并且連接重布線層和第一布線層。這起到了緩和與封裝的光檢測元件的外部端子連接的貫通電極的布置位置的限制的效果。
13、另外，第三方式提供一種光檢測元件，包括：第一芯片，在其上形成第一布線層；第二芯片，面朝下安裝在第一布線層上，并且在其上形成第二布線層；嵌入層，層壓在第一芯片上，使得第二芯片嵌入在嵌入層中；以及第一貫通電極，穿透嵌入層，并且經由第一布線層連接到第二布線層。這起到了這樣的效果：連接到第二芯片的半導體層上的第二布線層的第一貫通電極在不穿透第二芯片的半導體層的情況下延伸到外部。
14、此外，根據第三方面，還可以包括穿透嵌入層并且在不隔著第二布線層上午情況下連接到第一布線層的第二貫通電極。這起到了這樣的效果：連接到第一芯片的第一布線層的第二貫通電極在不穿透第二芯片的半導體層的情況下延伸到外部。
15、另外，在第三方面中，也可以是，第一布線層直接接合至第二布線層。這起到了能夠實現形成在不同芯片上的布線層的連接部分的小型化的效果。
16、此外，根據第三方面，還可以包括傳感器芯片，在傳感器芯片上層壓第一芯片，并且該傳感器芯片具有形成在前表面側上的第三布線層和形成在后表面側上的像素。這起到了能夠抑制封裝的光檢測元件的安裝面積的增大，并且在成像功能中添加數據處理功能、存儲功能等的效果。
17、此外，根據第三方面，第一布線層可以包括：前表面布線層，形成在第一芯片的前表面側上；以及后表面布線層，形成在第一芯片的后表面側上；前表面布線層可以直接接合至第三布線層；后表面布線層可以直接接合至第二布線層；并且第一貫通電極可以穿透嵌入層，并且經由后表面布線層連接到第二布線層。這起到了緩和與封裝的光檢測元件的外部端子連接的貫通電極的布置位置的限制的效果。
18、此外，根據第三方面，還可以包括第四芯片，層壓在傳感器芯片與第一芯片之間，并且在第四芯片上形成第四芯片。這起到了能夠抑制封裝的光檢測元件的安裝面積的增大，并且能夠擴大與成像功能相關的數據處理功能、存儲功能等的效果。
19、另外，第四方式提供一種光檢測元件，該光檢測元件包括：第一芯片，在其上形成第一布線層；第二芯片，與第一芯片形成層壓結構，并且在第二芯片上形成第二布線層；第三芯片，與第一芯片和第二芯片形成層壓結構，并且在第三芯片上形成第三布線層；嵌入層，與第一芯片和第二芯片形成層壓結構，使得第三芯片嵌入在嵌入層中；以及第一貫通電極，穿透嵌入層，并且連接到第二布線層。這起到了能夠支撐3層以上的芯片的層壓結構，并且能夠緩和與封裝的光檢測元件的外部端子連接的貫通電極的布置位置的限制的效果。
20、另外，根據第四方面，第一芯片可以位于第一層中，第二芯片可以位于第二層中，并且第三芯片可以位于第三層中；光檢測元件還可以包括第二貫通電極，其穿透嵌入層、連接到第三布線層、且比第一貫通電極的長度短。這起到了與不同層的芯片連接的貫通電極延伸到外部的效果。
21、此外，根據第四方面，第一芯片可以位于第一層中，第二芯片可以位于第三層中，并且第三芯片可以位于第二層中；光檢測元件本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種光檢測元件，包括：
2.根據權利要求1所述的光檢測元件，其中，
3.根據權利要求1所述的光檢測元件，還包括：支撐基板，設置在所述嵌入層上，其中，
4.根據權利要求1所述的光檢測元件，還包括：傳感器芯片，在所述傳感器芯片上層壓所述第一芯片，并且所述傳感器芯片具有形成在前表面側上的第四布線層和形成在后表面側上的像素。
5.根據權利要求4所述的光檢測元件，其中，
6.根據權利要求5所述的光檢測元件，還包括：透明基板，設置在所述傳感器芯片上。
7.根據權利要求6所述的光檢測元件，還包括：腔體，將所述傳感器芯片的成像區域與所述透明基板分開。
8.一種光檢測元件，包括：
9.一種光檢測元件，包括：
10.根據權利要求9所述的光檢測元件，還包括：第二貫通電極，穿透所述嵌入層，并且在不隔著所述第二布線層的情況下連接到所述第一布線層。
11.根據權利要求9所述的光檢測元件，其中，
12.根據權利要求9所述的光檢測元件，還包括：傳感器芯片，在所述傳感器芯片上層壓
13.根據權利要求12所述的光檢測元件，其中，
14.根據權利要求13所述的光檢測元件，還包括：第四芯片，層壓在所述傳感器芯片與所述第一芯片之間，并且在所述第四芯片上形成第四布線層。
15.一種光檢測元件，包括：
16.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
17.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
18.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
19.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
20.根據權利要求15所述的光檢測元件，還包括：虛設芯片，嵌入在所述嵌入層中，其中，
21.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
22.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，
23.根據權利要求15所述的光檢測元件，還包括：虛設芯片，嵌入在所述嵌入層中，并且所述虛設芯片具有形成在虛設基板上的虛設布線層，其中，
24.根據權利要求15所述的光檢測元件，還包括：支撐基板，支撐嵌入有所述第三芯片的嵌入層，其中，
25.一種光檢測元件，包括：
26.根據權利要求23所述的光檢測元件，還包括：第二芯片，與所述第一芯片形成層壓結構，并且在所述第二芯片上形成延伸到所述嵌入層上的第二布線層，其中，
27.根據權利要求23所述的光檢測元件，還包括：支撐基板，支撐嵌入有所述第一芯片的嵌入層，其中，
28.根據權利要求23所述的光檢測元件，其中，
29.根據權利要求23所述的光檢測元件，其中，
30.根據權利要求23所述的光檢測元件，其中，
31.一種光檢測元件的制造方法，所述方法包括：
32.根據權利要求31所述的光檢測元件的制造方法，還包括：在所述嵌入層上層壓支撐基板晶圓的步驟，其中，
33.根據權利要求31所述的光檢測元件的制造方法，其中，
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種光檢測元件，包括：
2.根據權利要求1所述的光檢測元件，其中，
3.根據權利要求1所述的光檢測元件，還包括：支撐基板，設置在所述嵌入層上，其中，
4.根據權利要求1所述的光檢測元件，還包括：傳感器芯片，在所述傳感器芯片上層壓所述第一芯片，并且所述傳感器芯片具有形成在前表面側上的第四布線層和形成在后表面側上的像素。
5.根據權利要求4所述的光檢測元件，其中，
6.根據權利要求5所述的光檢測元件，還包括：透明基板，設置在所述傳感器芯片上。
7.根據權利要求6所述的光檢測元件，還包括：腔體，將所述傳感器芯片的成像區域與所述透明基板分開。
8.一種光檢測元件，包括：
9.一種光檢測元件，包括：
10.根據權利要求9所述的光檢測元件，還包括：第二貫通電極，穿透所述嵌入層，并且在不隔著所述第二布線層的情況下連接到所述第一布線層。
11.根據權利要求9所述的光檢測元件，其中，
12.根據權利要求9所述的光檢測元件，還包括：傳感器芯片，在所述傳感器芯片上層壓所述第一芯片，并且所述傳感器芯片具有形成在前表面側上的第三布線層和形成在后表面側上的像素。
13.根據權利要求12所述的光檢測元件，其中，
14.根據權利要求13所述的光檢測元件，還包括：第四芯片，層壓在所述傳感器芯片與所述第一芯片之間，并且在所述第四芯片上形成第四布線層。
15.一種光檢測元件，包括：
16.根據權利要求15所述的光檢測元件，其中，<...
【專利技術屬性】
技術研發人員：藤曲潤一郎，長田昌也，平塚龍將，駒井尚紀，
申請(專利權)人：索尼半導體解決方案公司，
類型：發明
國別省市：
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