【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本文描述的實例一般涉及將在半導體晶片處理中使用的基座，且更具體地涉及在其表面上具有網格圖案和排氣溝槽的將在外延沉積工藝中使用的基座。
技術介紹
1、化學氣相沉積(cvd)工藝與其他工藝一起用于半導體晶片處理，用于在晶片上外延沉積薄層(通常小于10微米)。cvd工藝需要將固持在基座中的袋部中的晶片加熱至升高的溫度，如約1200℃。通常在約30分鐘內將晶片從室溫加熱至升高的溫度。在這種晶片處理期間，在具有平坦袋部的基座中，空氣被捕獲(trapped)在晶片與平坦袋部的表面之間，且晶片在袋部內滑動。這種晶片滑動會損壞基座的袋部，并影響晶片上外延沉積的質量。
2、因此，需要一種能夠減輕在其上晶片滑動的基座。
技術實現思路
1、本公開內容的實施方式包括一種用于在處理腔室中用于支撐晶片的基座。該基座包括：基座基板，在該基座基板的前側的外周邊緣上具有基座凸耳，其中該基座凸耳內的袋部經配置固持處理腔室中的待處理的晶片，及涂層(coating?layer)，該涂層沉積在該基座基板上，其中該基座凸耳的表面經紋理化具有多個排氣溝槽線，該袋部的表面經紋理化具有第一圖案，及該基座基板的與該前側相對的背側的表面經紋理化具有第二圖案。
2、本公開內容的實施方式還包括處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體，該腔室主體與一個或多個氣體源流體連通，及基板支撐組件，該基板支撐組件包含基座，其中該基座包含基座基板，該基座基板在該基座基板的前側的外周邊緣上具有基座凸耳，其中該基座凸耳內的袋部經配置固持處
3、本專利技術實施方式進一步包括一種處理系統。該處理系統包括：處理腔室，該處理腔室包含腔室主體，該腔室主體與一個或多個氣體源流體連通，基板支撐組件，該基板支撐組件包含基座，其中該基座包含：基座基板，該基座基板在該基座基板的前側的外周邊緣上具有基座凸耳，其中該基座凸耳內的袋部經配置固持處理腔室中的待處理的晶片，及涂層，該涂層沉積在該基座基板上，其中該基座凸耳的表面經紋理化具有多個排氣溝槽線，該袋部的表面經紋理化具有第一圖案，及該基座基板的與該前側相對的背側的表面經紋理化具有第二圖案，及控制器，該控制器經配置使該處理系統在該處理腔室中施行外延沉積工藝。
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1.一種用于在處理腔室中用于支撐晶片的基座，所述基座包括：
2.如權利要求1所述的基座，其中所述第一圖案是交叉網格溝槽線的第一網格圖案。
3.如權利要求2所述的基座，其中所述第一網格圖案的每個網格溝槽線具有距所述袋部的所述表面0.10mm與1.30mm之間的深度、在0.20mm與3.00mm之間的寬度以及在0.80mm與3.00mm之間的節距。
4.如權利要求2所述的基座，其中所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線從所述基座凸耳的內周邊緣朝向外周邊緣徑向延伸，且所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線在所述基座凸耳的所述內周邊緣處與所述第一網格圖案的一個網格溝槽線流體連通。
5.如權利要求4所述的基座，其中所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線具有0.30mm和1.30mm之間的深度以及0.20mm和3.00mm之間的寬度。
6.如權利要求2所述的基座，其中所述第二圖案是交叉網格溝槽線的第二網格圖案。
7.如權利要求6所述的基座，其中所述第二網格圖案的每個網格溝槽線具有距所述背側的所述表面0.10mm與2.60mm之
8.如權利要求1所述的基座，其中所述基座基板是具有在1mm至15mm之間的厚度的盤形板。
9.如權利要求1所述的基座，其中所述袋部是圓柱形凹部，所述圓柱形凹部具有在302mm與305mm之間的直徑，及在0.30mm與1.00mm之間的深度。
10.如權利要求1所述的基座，其中
11.一種處理腔室，包括：
12.如權利要求11所述的處理腔室，其中
13.如權利要求12所述的處理腔室，其中
14.如權利要求12所述的處理腔室，其中
15.如權利要求11所述的處理腔室，其中
16.如權利要求11所述的處理腔室，其中
17.一種處理系統，包括：
18.如權利要求17所述的處理腔室，其中
19.如權利要求17所述的處理腔室，其中
20.如權利要求17所述的處理腔室，其中
...【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種用于在處理腔室中用于支撐晶片的基座，所述基座包括：
2.如權利要求1所述的基座，其中所述第一圖案是交叉網格溝槽線的第一網格圖案。
3.如權利要求2所述的基座，其中所述第一網格圖案的每個網格溝槽線具有距所述袋部的所述表面0.10mm與1.30mm之間的深度、在0.20mm與3.00mm之間的寬度以及在0.80mm與3.00mm之間的節距。
4.如權利要求2所述的基座，其中所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線從所述基座凸耳的內周邊緣朝向外周邊緣徑向延伸，且所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線在所述基座凸耳的所述內周邊緣處與所述第一網格圖案的一個網格溝槽線流體連通。
5.如權利要求4所述的基座，其中所述多個排氣溝槽線中的每個排氣溝槽線具有0.30mm和1.30mm之間的深度以及0.20mm和3.00mm之間的寬度。
6.如權利要求2所述的基座，其中所述第二圖案是交叉網格溝槽線的第二網格圖案。
7.如權利要求6所述的基座，其中所述第二網格圖案的每個網格溝槽線具有距所述背側...
【專利技術屬性】
技術研發人員：叢者澎，巴拉克里希南·R·賈姆帕納，石井才人，肖恩·約瑟夫·博納姆，詹姆斯·M·阿莫斯，柯克·艾倫·費希爾，菲利普·邁克爾·阿莫斯，凱瑟琳·A·瑞安，艾梅·S·埃爾哈特，欒欣寧，陳輝，
申請(專利權)人：應用材料公司，
類型：發明
國別省市：
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