【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其形成方法、芯片、電子設備。
技術介紹
1、通常，結晶硅具有高的場效應遷移率，因此被廣泛地用于半導體器件。利用結晶硅形成的半導體器件也被廣泛用于諸如個人電腦、手機、數碼相機和其它電子設備的各種電子應用中。但是，利用結晶硅形成的半導體器件的可靠性會下降。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種半導體器件及其形成方法、芯片、電子設備，用于進一步提高半導體器件的可靠性。
2、為了實現上述目的，本申請實施例提供了以下技術方案：
3、第一方面，提供一種半導體器件，該半導體器件包括：絕緣層、以及形成在所述絕緣層上的第一結晶硅條帶，所述第一結晶硅條帶沿平行于所述絕緣層的第一方向延伸，且所述第一結晶硅條帶中誘導金屬含量低于1e17?cm-3。
4、本實施方式中提供的半導體器件包括絕緣層以及形成在絕緣層上的第一結晶硅條帶。由于該第一結晶硅條帶是通過第二結晶硅條帶外延生長得到的，所以第一結晶硅條帶復制了第二結晶硅條帶中結晶硅晶向，可以保證第一結晶硅條帶具有較高的結晶質量，使半導體器件具備較好的性能。同時由于第二結晶硅條帶中的殘留的誘導金屬在外延生長過程中擴散能力較弱，因此第一結晶硅條帶中誘導金屬含量低于1e17?cm-3，提高了半導體器件的可靠性。
5、在一種可能實現的方式中，該第一結晶硅條帶中的結晶硅為單晶硅。
6、在本實施例方式中，由于第一結晶硅條帶是外延得到的，因此第一結晶硅條帶中的結晶硅為單晶
7、在一種可能實現的方式中，該第一結晶硅條帶的長度大于或等于1μm。
8、在一種可能實現的方式中，該第一結晶硅條帶中結晶硅的晶向有多種。
9、在本實施例中，由于第一結晶硅條帶中結晶硅的晶向有多重，所以可以保證第一結晶硅條帶具有較高的結晶質量，使半導體器件具備較好的性能。
10、在一種可能實現的方式中，該半導體器件還包括：源極結構和漏極結構，源極結構和漏極結構分別設置在第一結晶硅條帶的兩端；溝道，溝道設置在源極結構和漏極結構之間；柵極結構，柵極結構橫跨第一結晶硅條帶，且源極結構、漏極結構和柵極結構之間電隔離。
11、在一種可能實現的方式中，該半導體器件還包括：設置在源極結構上的源極電極、設置在漏極結構上的漏極電極和設置在柵極結構上的柵極電極。源極電極、漏極電極和柵極電極可以與其他電子器件連接。
12、第二方面，提供一種半導體器件的形成方法，該半導體器件的形成方法包括：形成絕緣層；在絕緣層上形成第二結晶硅條帶，該第二結晶硅條帶沿平行于絕緣層的第一方向延伸；形成覆蓋第二結晶硅條帶的外延硅層；去除部分外延硅層以及第二結晶硅條帶，剩余的外延硅層形成第一結晶硅條帶，其中去除的外延硅層在絕緣層上的投影覆蓋第二結晶硅條帶在絕緣層上的投影。
13、在一種可能的實施方式中，去除部分外延硅層以及第二結晶硅條帶，剩余的外延硅層形成第一結晶硅條帶包括：形成覆蓋外延硅層的光刻膠層；在該光刻膠層上形成窗口，該窗口在絕緣層上的投影覆蓋第二結晶硅條帶在絕緣層上的投影，且外延硅層在絕緣層上的投影覆蓋窗口在絕緣層上的投影；以光刻膠層為掩膜去除部分外延硅層以及第二結晶硅條帶；去除光刻膠層。
14、在一種可能的實施方式中，該方法還包括：形成覆蓋第一結晶硅條帶的平坦化層；對平坦化層以及對第一結晶硅條帶遠離絕緣層一側進行平坦化，以露出第一結晶硅條帶；去除平坦化層，以形成頂端平整的第一結晶硅條帶。
15、在一種可能的實施方式中，該方法還包括：在第一結晶硅條帶上沉積柵極材料，形成橫跨第一結晶硅條帶的柵極結構；將雜質離子摻雜材料注入第一結晶硅條帶以在第一結晶硅條帶的兩端形成源極結構和漏極結構，在源極結構和漏極結構之間形成溝道。
16、在一種可能的實施方式中，在該絕緣層上形成第二結晶硅條帶包括：在該絕緣層上形成非晶硅層；去除部分非晶硅層以形成非晶硅條帶，該非晶硅條帶沿絕緣層的第一方向延伸；通過誘導金屬使非晶硅條帶中的非晶硅材料結晶為結晶硅以形成第二結晶硅條帶。
17、在一種可能的實施方式中，該方法還包括：分別在源極結構、漏極結構和柵極結構上沉積導電材料，以分別在源極結構上形成源極電極、在漏極結構上形成漏極電極和在柵極結構上形成柵極電極。形成的源極電極、漏極電極和柵極電極可以與其他半導體器件或者電子器件連接。
18、第三方面，提供一種芯片。該芯片包括：堆疊設置的第一半導體器件和第二半導體器件，該第一半導體器件和該第二半導體器件之間設置有隔離層，該第二半導體器件為如第一方面提供的半導體器件。
19、第四方面，提供一種電子設備。該電子設備包括印刷電路板和利用第一方面提供的形成方法形成的半導體器件；該半導體器件和該印刷電路板電連接。
20、第五方面，提供一種電子設備。該電子設備包括印刷電路板和第三方面提供的芯片；該芯片和該印刷電路板電連接。
21、其中，第二方面至第五方面中任一種可能實現方式中所帶來的技術效果可參見上述第一方面不同的實施方式所帶來的技術效果，此處不再贅述。
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1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：絕緣層、以及形成在所述絕緣層上的第一結晶硅條帶，所述第一結晶硅條帶沿平行于所述絕緣層的第一方向延伸，且所述第一結晶硅條帶中誘導金屬含量低于1e17?cm-3。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶中的結晶硅為單晶硅。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶的長度大于或等于1μm。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶中結晶硅的晶向有多種。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：源極結構和漏極結構，所述源極結構和所述漏極結構分別設置在所述第一結晶硅條帶的兩端；
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：設置在所述源極結構上的源極電極、設置在所述漏極結構上的漏極電極和設置在所述柵極結構上的柵極電極。
7.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的方法
9.根據權利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
10.根據權利要求7-9中任一項所述的方法，其特征在于，在所述絕緣層上形成第二結晶硅條帶包括：
11.根據權利要求7-10任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
13.一種芯片，其特征在于，包括：堆疊設置的第一半導體器件和第二半導體器件，所述第一半導體器件和所述第二半導體器件之間設置有隔離層，所述第二半導體器件為如權利要求1-6任一項所述的半導體器件。
14.一種電子設備，其特征在于，包括印刷電路板和如權利要求1-6中任一項所述的半導體器件；所述半導體器件和所述印刷電路板電連接。
15.一種電子設備，其特征在于，包括印刷電路板和如權利要求13所述的芯片；所述芯片和所述印刷電路板電連接。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：絕緣層、以及形成在所述絕緣層上的第一結晶硅條帶，所述第一結晶硅條帶沿平行于所述絕緣層的第一方向延伸，且所述第一結晶硅條帶中誘導金屬含量低于1e17?cm-3。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶中的結晶硅為單晶硅。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶的長度大于或等于1μm。
4.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述第一結晶硅條帶中結晶硅的晶向有多種。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：源極結構和漏極結構，所述源極結構和所述漏極結構分別設置在所述第一結晶硅條帶的兩端；
6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：設置在所述源極結構上的源極電極、設置在所述漏極結構上的漏極電極和設置在所述柵極結構上的柵極電極。
7.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐慧龍，肖卓聰，陳俊樹，徐蕾，
申請(專利權)人：華為技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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