【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)實施例涉及芯片封裝檢測，尤其涉及一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。
技術(shù)介紹
1、集成電路生產(chǎn)線工藝異常精密而復(fù)雜，新工藝在正式量產(chǎn)啟用前需要進(jìn)行大量的投片試驗和驗證研究，通過對試驗圓片進(jìn)行精確的缺陷定位和機(jī)理檢測，找到系統(tǒng)性的制造工藝缺陷原因，同時建立合適的版圖設(shè)計規(guī)則體系，確保正式生產(chǎn)時的成品率。
2、目前用于查找缺陷定位的熱點(diǎn)圖只是通過單一封裝批次的有限歷史數(shù)據(jù)生成的，但是當(dāng)芯片的缺陷低頻率偶爾發(fā)生時，現(xiàn)有的熱點(diǎn)圖生成方法因為異常錯誤數(shù)量少而導(dǎo)致無法生成正確的熱點(diǎn)圖，使得工程師無法準(zhǔn)確的找到缺陷的位置。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)實施例提供一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，芯片的缺陷低頻率偶爾發(fā)生時，通過大量歷史數(shù)據(jù)和基板位置坐標(biāo)生成異常位置熱點(diǎn)圖，使得工程師快速準(zhǔn)確的找到缺陷的位置。
2、第一方面，本專利技術(shù)實施例提供了一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法，包括：
3、獲取各封裝批次的測試芯片的測試結(jié)果信息和基板位置坐標(biāo)；其中，各所述封裝批次使用多條規(guī)格相同的基板；
4、提取所述測試結(jié)果信息中各失效模式對應(yīng)的失效信息；
5、按照所述失效信息從所述基板位置坐標(biāo)中確定各失效模式的異常基板位置；
6、針對各所述失效模式，根據(jù)所述失效模式對應(yīng)的所述異常基板位置生成異常位置熱點(diǎn)圖。
7、第二方面，本專利技術(shù)實施例還提供了一種芯片封裝的異常
8、信息獲取模塊，用于獲取各封裝批次的測試芯片的測試結(jié)果信息和基板位置坐標(biāo)；其中，各所述封裝批次使用多條規(guī)格相同的基板；
9、信息提取模塊，用于提取所述測試結(jié)果信息中各失效模式對應(yīng)的失效信息；
10、異常基板位置確定模塊，用于按照所述失效信息從所述基板位置坐標(biāo)中確定各失效模式的異常基板位置；
11、熱點(diǎn)圖生成模塊，用于針對各所述失效模式，根據(jù)所述失效模式對應(yīng)的所述異常基板位置生成異常位置熱點(diǎn)圖。
12、第三方面，本公開實施例還提供電子設(shè)備，所述電子設(shè)備，包括：
13、一個或多個處理器；
14、存儲裝置，用于存儲一個或多個程序，
15、當(dāng)所述一個或多個程序被所述一個或多個處理器執(zhí)行，使得所述一個或多個處理器實現(xiàn)本公開實施例提供的芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法。
16、第四方面，本公開實施例還提供了包含計算機(jī)可執(zhí)行指令的存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可執(zhí)行指令在由計算機(jī)處理器執(zhí)行時用于執(zhí)行實現(xiàn)本公開實施例提供的芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法。
17、第五方面，本公開實施例提供了一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，計算機(jī)程序產(chǎn)品包括計算機(jī)程序，計算機(jī)程序在被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述第一方面實施例提供的芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法。
18、本專利技術(shù)公開了一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)，包括：獲取各封裝批次的測試芯片的測試結(jié)果信息和基板位置坐標(biāo)；其中，各所述封裝批次使用多條規(guī)格相同的基板；提取所述測試結(jié)果信息中各失效模式對應(yīng)的失效信息；按照所述失效信息從所述基板位置坐標(biāo)中確定各失效模式的異常基板位置；針對各所述失效模式，根據(jù)所述失效模式對應(yīng)的所述異常基板位置生成異常位置熱點(diǎn)圖。利用該方法：芯片的缺陷低頻率偶爾發(fā)生時，通過大量歷史數(shù)據(jù)和基板位置坐標(biāo)生成異常位置熱點(diǎn)圖，使得工程師快速準(zhǔn)確的找到缺陷的位置。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照所述失效信息從所述基板位置坐標(biāo)中確定各失效模式的異常基板位置，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述異常值從所述位置坐標(biāo)中確定所述異常基板位置，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述針對各所述失效模式，根據(jù)所述失效模式對應(yīng)的所述異常基板位置生成異常位置熱點(diǎn)圖，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述測試結(jié)果信息包括：所述測試芯片的封裝批次號、所述基板上的定位信息和所述芯片失效模式的編號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板位置坐標(biāo)包括：所述基板的跟蹤序列號，所述基板上的位置編碼，所在所述基板上的行編號和所在所述基板上的列編號。
7.一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成裝置，其特征在于，包括：
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括：
9.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計
10.一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計算機(jī)程序產(chǎn)品包括計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序在被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1-6中任一項所述的芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片封裝的異常位置熱點(diǎn)圖生成方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照所述失效信息從所述基板位置坐標(biāo)中確定各失效模式的異常基板位置，包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述異常值從所述位置坐標(biāo)中確定所述異常基板位置，包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述針對各所述失效模式，根據(jù)所述失效模式對應(yīng)的所述異常基板位置生成異常位置熱點(diǎn)圖，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述測試結(jié)果信息包括：所述測試芯片的封裝批次號、所述基板上的定位信息和所述芯片失效模式的編號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：汪大義，鄭煒，王斯亮，張杰，郝杰，
申請(專利權(quán))人：威訊聯(lián)合半導(dǎo)體北京有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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