【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及在半導體制造中的光刻工藝中，用于形成特別是對半導體用濕蝕刻液的耐性優異的保護膜的組合物。此外，涉及由上述組合物形成的保護膜和應用了該保護膜的帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法、和半導體裝置的制造方法。
技術介紹
1、在半導體制造中，在基板與被形成在其上的抗蝕劑膜之間設置抗蝕劑下層膜，形成所希望的形狀的抗蝕劑圖案的光刻工藝是眾所周知的。在形成了抗蝕劑圖案后進行基板的加工，作為該工序，主要使用了干蝕刻，但根據基板種類而有時使用濕蝕刻。在專利文獻1中公開了具有堿性過氧化氫水耐性的抗蝕劑下層膜材料。
2、現有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：日本特開2018-173520號公報
技術實現思路
1、專利技術所要解決的課題
2、在使用保護膜形成用組合物而形成半導體基板的保護膜，將保護膜作為蝕刻掩模通過濕蝕刻進行基底基板的加工的情況下，對保護膜要求對半導體用濕蝕刻液的良好的掩模功能(即，被掩蔽的部分可以保護基板)。
3、進一步，也要求對所謂高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能夠形成平坦的膜的保護膜形成用組合物。
4、以往，為了對作為濕蝕刻藥液的一種的sc-1(氨-過氧化氫溶液)表現耐性，使用了應用低分子化合物(例如沒食子酸)作為添加劑的方法，但對解決上述課題有限。
5、進一步期待以上述目的被使用的保護膜具有作為用于解決所謂抗蝕劑圖案形成時的問題(形狀不良等)的抗蝕劑下層膜的功能。
<...【技術保護點】
1.一種針對半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物，其包含：
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，其進一步包含(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
3.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述固化劑為堿。
4.根據權利要求3所述的保護膜形成用組合物，所述堿為咪唑系化合物。
5.根據權利要求4所述的保護膜形成用組合物，所述堿由下述式(B1)表示，
6.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述化合物(C)為下述式(C)所示的化合物，
7.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述化合物(C)的含量相對于所述(A)的化合物或聚合物為1～30質量％。
8.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述(A)的化合物或聚合物為包含具有3元環結構或4元環結構的環狀醚的、化合物或聚合物。
9.根據權利要求8所述的保護膜形成用組合物，所述(A)的化合物為不具有重復結構單元的化合物，并且
10.根據權利要求9所述的保護膜形成用組合物，所述(A)的化合物為下述式(II)所示的化合
11.根據權利要求9所述的保護膜形成用組合物，所述(A)的化合物為包含下述式(III)所示的部分結構的化合物，
12.根據權利要求8所述的保護膜形成用組合物，所述(A)的聚合物為具有下述式(1-1)所示的單元結構的聚合物，
13.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物具有2個以上酚性羥基。
14.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物由下述式(2-1)表示，
15.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物為下述式(2-2)所示的化合物，
16.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物為包含下述式(3-1)所示的單元結構的聚合物，
17.一種針對半導體用濕蝕刻液的保護膜，其特征在于，是由權利要求1～16中任一項所述的保護膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。
18.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：
19.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進一步包含(E)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
20.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述固化劑為堿。
21.根據權利要求20所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述堿為咪唑系化合物。
22.根據權利要求21所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述堿由下述式(B1)表示，
23.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述化合物(C)為下述式(C)所示的化合物，
24.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述化合物(C)的含量相對于所述(A)的化合物或聚合物為1～30質量％。
25.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述(A)的化合物或聚合物為包含具有3元環結構或4元環結構的環狀醚的、化合物或聚合物。
26.一種抗蝕劑下層膜，其特征在于，是由權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。
27.一種帶有保護膜的基板的制造方法，其特征在于，包含下述工序：將權利要求1～16中任一項所述的保護膜形成用組合物涂布在具有高低差的半導體基板上并進行燒成而形成保護膜的工序，所述帶有保護膜的基板的制造方法用于制造半導體。
28.一種帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法，其特征在于，包含下述工序：將權利要求1～16中任一項所述的保護膜形成用組合物、或權利要求18～25中任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導體基板上并進行燒成而形成作為抗蝕劑下層膜的保護膜的工序；以及在該保護膜上形成抗蝕劑膜，接著進行曝光、顯影而形成抗蝕劑圖案的工序，所述帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法用于制造半導體。
29.一種半導體裝置的制造方法，其包含下述工序：使用權利要求1～16中任一項所述的保護膜形成用組合物在表面可以形成有無機膜的半導體基板上形成保護膜，在所述保護膜上形成抗蝕劑圖案，將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述保護膜進行干蝕刻而使所述無機膜或所述半導體基板的表面露出，將干蝕刻后的所述保護膜作為掩模，使用半導體用濕蝕刻液對所述無機膜或所述半導體基板進行濕蝕刻并洗滌的工序。
30.一種半導體裝置的制造方法，其包含下述工序：使用權利要求18～25中任一項所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物在表...
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種針對半導體用濕蝕刻液的保護膜形成用組合物，其包含：
2.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，其進一步包含(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
3.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述固化劑為堿。
4.根據權利要求3所述的保護膜形成用組合物，所述堿為咪唑系化合物。
5.根據權利要求4所述的保護膜形成用組合物，所述堿由下述式(b1)表示，
6.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述化合物(c)為下述式(c)所示的化合物，
7.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述化合物(c)的含量相對于所述(a)的化合物或聚合物為1～30質量％。
8.根據權利要求1所述的保護膜形成用組合物，所述(a)的化合物或聚合物為包含具有3元環結構或4元環結構的環狀醚的、化合物或聚合物。
9.根據權利要求8所述的保護膜形成用組合物，所述(a)的化合物為不具有重復結構單元的化合物，并且
10.根據權利要求9所述的保護膜形成用組合物，所述(a)的化合物為下述式(ii)所示的化合物，
11.根據權利要求9所述的保護膜形成用組合物，所述(a)的化合物為包含下述式(iii)所示的部分結構的化合物，
12.根據權利要求8所述的保護膜形成用組合物，所述(a)的聚合物為具有下述式(1-1)所示的單元結構的聚合物，
13.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物具有2個以上酚性羥基。
14.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物由下述式(2-1)表示，
15.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物為下述式(2-2)所示的化合物，
16.根據權利要求2所述的保護膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物為包含下述式(3-1)所示的單元結構的聚合物，
17.一種針對半導體用濕蝕刻液的保護膜，其特征在于，是由權利要求1～16中任一項所述的保護膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。
18.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：
19.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進一步包含(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
20.根據權利要求18所述的抗蝕劑下層...
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