【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及醫(yī)藥，具體涉及一種化合物晶型及其制備方法和應用。
技術介紹
1、核酸藥物作為繼小分子化藥和抗體藥物后的第三大類型藥物，在全球已經(jīng)形成燎原之勢，發(fā)展勢頭迅猛，成為生物醫(yī)藥企業(yè)研發(fā)的重點和熱點。目前全球獲批上市的小核酸藥物已有14款。亞磷酰胺單體作為合成核酸藥物的關鍵物料，純度控制非常重要，符合質(zhì)量要求的核苷單體供應是核酸藥物商業(yè)化的關鍵因素。亞磷酰胺單體的純度要求一般≥99.0％，質(zhì)控難度甚至高于一般小分子api(active?pharmaceutical?ingredient)，需要企業(yè)長時間的技術積累才能達到亞磷酰胺單體的質(zhì)控要求。亞磷酰胺單體的合成路線通常包括：(1)將核苷經(jīng)過酰氯或酸酐處理在堿基上加上保護基團；(2)然后使用dmtrcl試劑，在5'加上dmtr保護基團，成為保護性核苷；(3)再使用磷試劑亞磷酰化合成亞磷酰胺單體。其中，保護性核苷的品質(zhì)直接影響了亞磷酰胺單體的純度，而且，亞磷酰化反應需要再無水的環(huán)境中進行，水分會直接影響亞磷酰胺單體產(chǎn)物的純度和產(chǎn)量，而現(xiàn)有的保護性核苷多為無定型態(tài)的固體粉末，在保存過程中極易吸水，因此研究一種能夠穩(wěn)定保存的保護性核苷對于提高亞磷酰胺單體產(chǎn)物的純度和產(chǎn)量具有重大的意義。
技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的是為了克服現(xiàn)有技術存在的上述技術問題，提供了一種化合物晶型及其制備方法和應用。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術第一方面提供了一種式(1)所示化合物的晶型，所述晶型的x-射線粉末衍射圖譜的特征峰2θ包括4.
3、
4、本專利技術第二方面提供了一種上述所述的晶型的制備方法，該方法包括：將式(1)所示化合物與乙腈混合，加入晶種，然后在15-25℃下進行析晶得到式(1)所示化合物的晶型。
5、本專利技術第三方面提供了上述所述的式(1)所示化合物的晶型在提高亞磷酰胺單體的純度中應用；優(yōu)選地，所述應用包括采用具有上述所述晶型的式(1)所示化合物作為合成亞磷酰胺單體的原料。
6、通過上述技術方案，本專利技術取得了以下有益效果：
7、本專利技術的具有特定晶型的核苷隨著放置時間的延長，產(chǎn)品的純度變化較小，說明本專利技術的方法制備的晶型不易發(fā)生變質(zhì)，容易保存。
8、本專利技術的具有特定晶型的核苷具有更高的熔點，且水含量和引濕性較低。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術保護點】
1.一種式(1)所示化合物的晶型，其特征在于，所述晶型的X-射線粉末衍射圖譜的特征峰2θ包括4.60°±0.2°、8.88°±0.2°、9.74°±0.2°、10.76°±0.2°、12.00°±0.2°、13.54°±0.2°、16.86°±0.2°、17.30°±0.2°、21.08°±0.2°、25.36°±0.2°；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述晶型的X-射線粉末衍射圖譜的特征峰2θ還包括12.62°±0.2°、14.74°±0.2°、15.78°±0.2°、18.02°±0.2°、18.82°±0.2°、20.26°±0.2°、22.94°±0.2°、23.59°±0.2°、24.24°±0.2°；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述的晶型的X射線粉末衍射圖如圖1所示。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述晶型的熔點為143-146℃。
5.一種權(quán)利要求1-4中任意一項所述的晶型的制備方法，其特征在于，該方法包括：將式(1)所示化合物與乙腈混合，然后加入晶種，再在15-25℃下進行析晶得到式(1)所示
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，相對于每克的式(1)所示化合物，所述乙腈的用量為8-10mL；
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述式(1)所示化合物的制備方法包括：將含二甲氧基三苯基氯甲烷的溶液滴加到含式(Ⅱ)所示化合物的溶液中進行反應，得到式(1)所示化合物；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，相對于每毫摩爾的式(Ⅱ)所示化合物，二甲氧基三苯基氯甲烷的用量為1-2mmol；
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述反應的條件包括：溫度為0-10℃，時間為1-4h；
10.權(quán)利要求1-4中任意一項所述的式(1)所示化合物的晶型在提高亞磷酰胺單體的純度中應用；優(yōu)選地，所述應用包括采用具有權(quán)利要求1-4中任意一項所述晶型的式(1)所示化合物作為合成亞磷酰胺單體的原料。
...【技術特征摘要】
1.一種式(1)所示化合物的晶型，其特征在于，所述晶型的x-射線粉末衍射圖譜的特征峰2θ包括4.60°±0.2°、8.88°±0.2°、9.74°±0.2°、10.76°±0.2°、12.00°±0.2°、13.54°±0.2°、16.86°±0.2°、17.30°±0.2°、21.08°±0.2°、25.36°±0.2°；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述晶型的x-射線粉末衍射圖譜的特征峰2θ還包括12.62°±0.2°、14.74°±0.2°、15.78°±0.2°、18.02°±0.2°、18.82°±0.2°、20.26°±0.2°、22.94°±0.2°、23.59°±0.2°、24.24°±0.2°；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述的晶型的x射線粉末衍射圖如圖1所示。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶型，其中，所述晶型的熔點為143-146℃。
5.一種權(quán)利要求1-4中任意一項所述的晶型的制備方...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：宋艷民，李靜簡，韓世啟，周經(jīng)經(jīng)，胡文州，宋佳麗，詹潤，郭一瓊，
申請(專利權(quán))人：天津全和誠科技有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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