【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體，更具體地，涉及一種接合結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
1、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，用于進(jìn)行電連接的接合結(jié)構(gòu)也變得越來越重要。在現(xiàn)有的包括納米線的接合結(jié)構(gòu)中，由于在接合之后，部分納米線之間接觸面積較小(例如僅點(diǎn)接觸)且它們之間的摩擦力不足以彼此固定，從而納米線之間可能會產(chǎn)生撞擊，從而可能導(dǎo)致納米線產(chǎn)生裂縫、斷裂和/或變形等缺陷。因此，這種接合結(jié)構(gòu)會具有較差電性能，或者甚至?xí)А?/p>
2、圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的包括接合結(jié)構(gòu)12的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的截面示意圖，并且圖2示出了圖1的接合結(jié)構(gòu)12的區(qū)域14的放大示意圖。參見圖1和圖2所示，圖1示出了接合結(jié)構(gòu)12將上方的晶片16與下方的襯底18電連接，接合結(jié)構(gòu)12包括連接至晶片16的上焊盤20，連接至襯底18的下焊盤22，以及分別從上焊盤20和下焊盤22向下和向上延伸的納米線24和26。在將納米線24和26接合之后，部分納米線24和部分納米線26之間僅僅點(diǎn)接觸，由于這種點(diǎn)接觸且納米線24和26之間的摩擦力不足，這可能會造成納米線24和26產(chǎn)生裂縫、斷裂(如圖2中箭頭28所示)和/或變形(如圖2中箭頭30所示)等缺陷。進(jìn)一步，由于較少的接觸(例如僅點(diǎn)接觸)以及納米線變形等缺陷，接合結(jié)構(gòu)的電性能較差，甚至?xí)АＲ虼耍^續(xù)提供一種能夠提供更穩(wěn)定的接合的接合結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的以上問題，本申請的實(shí)施例提出了一種接合結(jié)構(gòu)，該接合結(jié)構(gòu)至少能夠提供更穩(wěn)定的接合。
2、根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種接合結(jié)
3、在一個或多個實(shí)施例中，接合結(jié)構(gòu)還包括第二焊盤和第二導(dǎo)電納米線，第二焊盤設(shè)置于第一焊盤上方，并且第二導(dǎo)電納米線設(shè)置于第二焊盤上，導(dǎo)電層的包覆第一緩沖納米柱的外側(cè)壁的部分為外側(cè)導(dǎo)電壁，第二導(dǎo)電納米線的側(cè)表面接觸外側(cè)導(dǎo)電壁。
4、在一個或多個實(shí)施例中，導(dǎo)電層還包覆第一緩沖納米柱的頂面。
5、在一個或多個實(shí)施例中，第二導(dǎo)電納米線的側(cè)表面為由往第二焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線形成的粗糙表面，多個導(dǎo)電線刺入外側(cè)導(dǎo)電壁。
6、在一個或多個實(shí)施例中，導(dǎo)電層為石墨烯材料形成的導(dǎo)電層。
7、在一個或多個實(shí)施例中，導(dǎo)電層的包覆第一緩沖納米柱的外側(cè)壁的部分為外側(cè)導(dǎo)電壁，外側(cè)導(dǎo)電壁包括往第一焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線。
8、在一個或多個實(shí)施例中，多個導(dǎo)電線與第二導(dǎo)電納米線為相同導(dǎo)電材料形成的一體件。
9、在一個或多個實(shí)施例中，第一納米線結(jié)構(gòu)還包括第二緩沖納米柱，第二緩沖納米柱設(shè)置于第一焊盤上并且與第一緩沖納米柱相鄰并間隔開，導(dǎo)電層還包覆第二緩沖納米柱的外側(cè)壁。
10、在一個或多個實(shí)施例中，接合結(jié)構(gòu)還包括第二焊盤和第二導(dǎo)電納米線，第二焊盤設(shè)置于第一焊盤上方，并且第二導(dǎo)電納米線設(shè)置于第二焊盤上方，第二導(dǎo)電納米線位于包覆第一緩沖納米柱的外側(cè)壁和第二緩沖納米柱的外側(cè)壁的導(dǎo)電層之間。
11、在一個或多個實(shí)施例中，導(dǎo)電層的包覆第一緩沖納米柱的頂面的部分，與第二焊盤直接接觸。
12、在一個或多個實(shí)施例中，導(dǎo)電層的直接接觸第一焊盤的部分，與第二導(dǎo)電納米線的頂面直接接觸。
13、在一個或多個實(shí)施例中，第一緩沖納米柱和第二緩沖納米柱為彈性柱。
14、在一個或多個實(shí)施例中，外側(cè)導(dǎo)電壁為平坦的表面。
15、在一個或多個實(shí)施例中，第二導(dǎo)電納米線為金屬納米線。
16、在一個或多個實(shí)施例中，接合結(jié)構(gòu)還包括保護(hù)層，保護(hù)層圍繞并直接接觸第一焊盤、第二焊盤、導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電納米線。
17、在一個或多個實(shí)施例中，第二導(dǎo)電納米線的直徑在2微米至50微米之間的范圍內(nèi)。
18、根據(jù)本申請的另一方面，提供了一種接合結(jié)構(gòu)，該接合結(jié)構(gòu)包括：第一焊盤；多個緩沖納米柱，從第一焊盤向上延伸；導(dǎo)電層，至少覆蓋多個緩沖納米柱的外側(cè)壁；第二焊盤，位于第一焊盤上方；以及第二導(dǎo)電納米線，從第二焊盤向下延伸，第二導(dǎo)電納米線位于包覆相鄰的兩個緩沖納米柱的外側(cè)壁的導(dǎo)電層之間。
19、在一個或多個實(shí)施例中，緩沖納米柱為熱塑性樹脂形成的柱。
20、在一個或多個實(shí)施例中，緩沖納米柱的直徑在2微米至50微米之間的范圍內(nèi)。
21、在一個或多個實(shí)施例中，多個緩沖納米柱中的每相鄰兩個緩沖納米柱等間距間隔開。
22、本技術(shù)的有益技術(shù)效果在于：
23、由于本申請的實(shí)施例的接合結(jié)構(gòu)具有外側(cè)壁由導(dǎo)電層覆蓋的緩沖納米柱，通過緩沖納米柱的緩沖作用，接合結(jié)構(gòu)至少可以提供更穩(wěn)定的接合。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二焊盤和第二導(dǎo)電納米線，所述第二焊盤設(shè)置于所述第一焊盤上方，并且所述第二導(dǎo)電納米線設(shè)置于所述第二焊盤上，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層還包覆所述第一緩沖納米柱的頂面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電納米線的側(cè)表面為由往所述第二焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線形成的粗糙表面，所述多個導(dǎo)電線刺入所述外側(cè)導(dǎo)電壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的包覆所述第一緩沖納米柱的所述外側(cè)壁的部分為外側(cè)導(dǎo)電壁，所述外側(cè)導(dǎo)電壁包括往所述第一焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一納米線結(jié)構(gòu)還包括第二緩沖納米柱，所述第二緩沖納米柱設(shè)置于所述第一焊盤上并且與所述第一緩沖納米柱相鄰并間隔開，所述導(dǎo)電層還包覆所述第二緩沖納米柱的外側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二焊盤和第二導(dǎo)電納米線，所述第二焊
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的包覆所述第一緩沖納米柱的頂面的部分，與所述第二焊盤直接接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的直接接觸所述第一焊盤的部分，與所述第二導(dǎo)電納米線的頂面直接接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一緩沖納米柱和所述第二緩沖納米柱為彈性柱。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二焊盤和第二導(dǎo)電納米線，所述第二焊盤設(shè)置于所述第一焊盤上方，并且所述第二導(dǎo)電納米線設(shè)置于所述第二焊盤上，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層還包覆所述第一緩沖納米柱的頂面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)電納米線的側(cè)表面為由往所述第二焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線形成的粗糙表面，所述多個導(dǎo)電線刺入所述外側(cè)導(dǎo)電壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層的包覆所述第一緩沖納米柱的所述外側(cè)壁的部分為外側(cè)導(dǎo)電壁，所述外側(cè)導(dǎo)電壁包括往所述第一焊盤方向傾斜延伸的多個導(dǎo)電線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)，其...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：呂文隆，
申請(專利權(quán))人：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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