【技術實現步驟摘要】
本專利技術專利涉及led光源的，具體而言，涉及高聚光led光源制備方法。
技術介紹
1、隨著led技術的發展，目前，led光源在日常生活中的運用越來越廣泛，且運用在各種行業中。led光源具有體積小、壽命長、效率高等優點，可連續使用長達十萬個小時，led光源在照明領域成為主流。
2、現有技術中，led光源包括基板，所述基板上設有凹陷的發光區，發光區上設有發光芯片，發光區上覆蓋有熒光膠層，發光芯片發出的光線，透光熒光膠層后，朝外照射，但是，現時的led光源存在聚光度不夠的缺陷，難以滿足高聚光照明的需求。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供高聚光led光源制備方法，旨在解決現有技術中，led光源聚光度不夠的問題。
2、本專利技術是這樣實現的，高聚光led光源制備方法，包括以下制備步驟：
3、1)、提供基板，所述基板中設有凹陷的發光區，所述發光區中設有內圍壩，所述內圍壩包圍形成中部區域；所述發光區的外周具有外反光側壁，所述外反光側壁沿著發光區的外周環繞；
4、2)、在所述中部區域上設置發光芯片，所述發光芯片與中部區域的內側壁之間具有內環區域，所述內環區域環繞發光芯片外周布置；所述發光芯片的外周具有外周發光面；
5、3)、在所述中部區域設置熒光膠層，所述熒光膠層填充了內環區域，且覆蓋了發光芯片；
6、4)、在所述基板上設置透光膠層，所述透光膠層的下部嵌入發光區中，覆蓋了熒光膠層及內圍壩，與所述基板形成一體結構；所
7、進一步的，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周延伸至外反光側壁，與所述外反光側壁對接形成一體；所述制備步驟4)中，所述熒光膠層的下部覆蓋在內圍壩的頂部。
8、進一步的，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周與外反光側壁之間具有外環區域，所述外環區域沿著內圍壩的外周環繞布置；所述制備步驟4)中，所述透光膠層的下部嵌入在外環區域中。
9、進一步的，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的頂部低于發光區的頂部，所述內圍壩的內側具有朝向發光芯片的內反光側壁，所述內反光側壁沿著發光芯片的外周環繞布置；沿著所述內圍壩自下而上的方向，所述內反光側壁偏離發光芯片傾斜布置；所述內反光側壁將外周發光面發出的光線進行反射，以使光線背離發光區朝外照射。
10、進一步的，所述制備步驟1)中，沿著所述基板自下而上的方向，所述外反光側壁偏離發光芯片傾斜布置；所述外反光側壁將外周發光面發出的光線進行反射，以使光線背離發光區朝外照射。
11、進一步的，所述制備步驟3)中，所述熒光膠層的頂部具有內部頂部面，所述內部頂部面朝上拱起呈弧面狀。
12、進一步的，所述制備步驟4)中，所述上方部的頂部具有外部頂部面，所述外部頂部面朝上拱起呈弧面狀，且所述內部頂部面的彎曲曲率大于外部頂部面的彎曲曲率。
13、進一步的，所述制備步驟3)中，當所述中部區域上布置熒光膠層后，將所述內部頂部面的中部朝下凹陷處理，形成朝下凹陷的內嵌槽，沿著所述內嵌槽的深度方向，所述內嵌槽的直徑逐漸縮??；所述制備步驟4)中，所述透光膠層的下部嵌入填充了內嵌槽，與所述熒光膠層形成一體。
14、進一步的，所述制備步驟1)中，所述基板上設有外圍壩，所述外圍壩沿著發光區的周向環繞布置，所述外圍壩的內側具有朝內側壁，所述朝內側壁形成有朝上布置的環形臺階，多個所述環形臺階沿著朝內側壁的高度方向間隔布置，所述環形臺階沿著外圍壩的周向環繞布置；
15、所述外圍壩中設有多個加固孔，多個所述加固孔沿著外圍壩的周向環繞布置；所述加固孔的內段貫穿朝內側壁，形成內側開口，所述加固孔的外端形成在外圍壩中，且沿著所述加固孔內端至外端的方向，所述加固孔朝下清洗布置；
16、所述外圍壩中具有多個縱向布置的溢流孔，多個所述溢流孔沿著外圍壩的周向環繞布置；所述溢流孔的底部與加固孔的外端連通，所述溢流孔的頂部貫穿外圍壩的頂部，形成頂部開口；所述外圍壩的頂部設有頂部槽，所述頂部槽沿著外圍壩的周向環繞布置，所述頂部開口形成在頂部槽的底部；
17、所述制備步驟4)中，當在所述發光區中布置透光膠層的過程中，所述透光膠層覆蓋在環形臺階上，且通過內側開口進入加固孔，填充了加固孔以及溢流孔，所述透光膠層通過頂部開口，溢流至所述頂部槽中，形成填充在頂部槽中的頂部環段；所述外圍壩以及頂部環段分別抵接在上方段的外周。
18、進一步的，所述制備步驟4)中，所述頂部槽中形成有多個所述頂部環段，且多個所述頂部環段沿著外圍壩的周向間隔環繞布置，多個所述頂部環段分別抵接在上方段的外周，與所述上方段形成一體。。
19、與現有技術相比，本專利技術提供的上述提供的高聚光led光源制備方法，通過布置內圍壩，在發光區中形成中部區域，在中部區域中設置發光芯片，形成內環區域，通過布置熒光膠層填充了內環區域，且覆蓋了發光芯片，再在基板上布置透光膠層，透光膠層的下部嵌入發光區，與基板形成一體結構，上方段則朝上延伸布置；發光芯片發出的光線，透過熒光膠層以及透光膠層朝外照射，以達到所需的光照需求；
20、其次，透光膠層的下部嵌入在發光區中，可以與基板形成更穩固的整體結構，透光膠層的下部受到發光區的周向限制，限制透光膠層朝外周過大流動，可以保持透光膠層的上方段可以形成更高的拱起形狀，以限制光線照射范圍，實現高聚光照射的效果。
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1.高聚光LED光源制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：
2.如權利要求1所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周延伸至外反光側壁，與所述外反光側壁對接形成一體；所述制備步驟4)中，所述熒光膠層的下部覆蓋在內圍壩的頂部。
3.如權利要求1所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周與外反光側壁之間具有外環區域，所述外環區域沿著內圍壩的外周環繞布置；所述制備步驟4)中，所述透光膠層的下部嵌入在外環區域中。
4.如權利要求1至3任一項所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的頂部低于發光區的頂部，所述內圍壩的內側具有朝向發光芯片的內反光側壁，所述內反光側壁沿著發光芯片的外周環繞布置；沿著所述內圍壩自下而上的方向，所述內反光側壁偏離發光芯片傾斜布置；所述內反光側壁將外周發光面發出的光線進行反射，以使光線背離發光區朝外照射。
5.如權利要求1至3任一項所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，沿著所述基板自
6.如權利要求1至3任一項所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟3)中，所述熒光膠層的頂部具有內部頂部面，所述內部頂部面朝上拱起呈弧面狀。
7.如權利要求6所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟4)中，所述上方部的頂部具有外部頂部面，所述外部頂部面朝上拱起呈弧面狀，且所述內部頂部面的彎曲曲率大于外部頂部面的彎曲曲率。
8.如權利要求7所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟3)中，當所述中部區域上布置熒光膠層后，將所述內部頂部面的中部朝下凹陷處理，形成朝下凹陷的內嵌槽，沿著所述內嵌槽的深度方向，所述內嵌槽的直徑逐漸縮??；所述制備步驟4)中，所述透光膠層的下部嵌入填充了內嵌槽，與所述熒光膠層形成一體。
9.如權利要求1至3任一項所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述基板上設有外圍壩，所述外圍壩沿著發光區的周向環繞布置，所述外圍壩的內側具有朝內側壁，所述朝內側壁形成有朝上布置的環形臺階，多個所述環形臺階沿著朝內側壁的高度方向間隔布置，所述環形臺階沿著外圍壩的周向環繞布置；
10.如權利要求9所述的高聚光LED光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟4)中，所述頂部槽中形成有多個所述頂部環段，且多個所述頂部環段沿著外圍壩的周向間隔環繞布置，多個所述頂部環段分別抵接在上方段的外周，與所述上方段形成一體。
...【技術特征摘要】
1.高聚光led光源制備方法，其特征在于，包括以下制備步驟：
2.如權利要求1所述的高聚光led光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周延伸至外反光側壁，與所述外反光側壁對接形成一體；所述制備步驟4)中，所述熒光膠層的下部覆蓋在內圍壩的頂部。
3.如權利要求1所述的高聚光led光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的外周與外反光側壁之間具有外環區域，所述外環區域沿著內圍壩的外周環繞布置；所述制備步驟4)中，所述透光膠層的下部嵌入在外環區域中。
4.如權利要求1至3任一項所述的高聚光led光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，所述內圍壩的頂部低于發光區的頂部，所述內圍壩的內側具有朝向發光芯片的內反光側壁，所述內反光側壁沿著發光芯片的外周環繞布置；沿著所述內圍壩自下而上的方向，所述內反光側壁偏離發光芯片傾斜布置；所述內反光側壁將外周發光面發出的光線進行反射，以使光線背離發光區朝外照射。
5.如權利要求1至3任一項所述的高聚光led光源制備方法，其特征在于，所述制備步驟1)中，沿著所述基板自下而上的方向，所述外反光側壁偏離發光芯片傾斜布置；所述外反光側壁將外周發光面發出的光線進行反射，以使光線背離發光區朝外照射。
6.如權利要求1至3任一項所述的高聚光led光源制備方...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉建強，文健華，楊春福，陳永華，李沙沙，饒金芳，王興，馮雄偉，
申請(專利權)人：深圳市中實光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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