【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體裝置。
技術介紹
1、以往，提出有將絕緣柵型雙極晶體管(igbt：insulated?gate?bipolartransistor)和回流用的二極管形成于一個半導體襯底的半導體裝置即反向導通igbt(rc-igbt：reverse?conducting?igbt)。在rc-igbt中，存在如下驟回(snapback)現象：在igbt導通時，漂移區域內的電子向沒有集電極區域的二極管的陰極區域移動，由此抑制空穴從igbt的集電極層向漂移區域內的注入，難以產生igbt的電導率調制。此外，還公開有在半導體裝置的外周區域設置被稱作降低表面電場(resurf)區域的用于耐壓改善的區域的例子。
2、專利文獻1：日本特開2015-154000號公報
3、專利文獻2：日本特開2022-56498號公報
4、專利文獻3：日本特開2018-46187號公報
5、專利文獻4：日本特開2004-349556號公報
6、專利文獻5：日本特許第5383009號公報
7、非專利文獻1：u.r.vemulapati,n.kaminski,d.silber,l.storasta,andm.rahimo,“analytical?model?for?the?initial?snapback?phenomenon?in?rcigbts”,isps,august2012,prague,czech?republic,[2012]ieee.reprinted?from?theinter
技術實現思路
1、實施方式要解決的課題在于，提供一種抑制了驟回現象的半導體裝置。
2、實施方式的半導體裝置具有第1半導體元件、第2半導體元件和虛設區域，該第1半導體元件具有：第1導電型的第1半導體區域；第2導電型的第2半導體區域，其設置于第1半導體區域上方；第1導電型的第3半導體區域，其設置于第2半導體區域上方；第1溝槽，其設置成在深度方向上貫穿第2半導體區域；第1溝槽內電極，其隔著第1絕緣膜設置于第1溝槽內；第2導電型的第4半導體區域，其設置于第1半導體區域下方且與第2半導體區域對置的相反側；上部電極，其與第3半導體區域電連接；以及下部電極，其與第4半導體區域電連接，該第2半導體元件具有：第2導電型的第5半導體區域，其與上部電極電連接，設置于第1半導體區域上方；第2溝槽，其設置成在深度方向上貫穿第5半導體區域；以及第2溝槽內電極，其隔著第2絕緣膜設置于第2溝槽內；以及第1導電型的第6半導體區域，其與下部電極電連接，設置于第1半導體區域下方且與第5半導體區域對置的相反側，該虛設區域具有：第2導電型的第7半導體區域，其位于第1半導體元件與第2半導體元件之間且設置于第1半導體區域上方；第3溝槽，其設置成在深度方向上貫穿第7半導體區域；以及第3溝槽內電極，其隔著第3絕緣膜位于第3溝槽內，并且與第1溝槽內電極電連接。
3、根據本專利技術的實施方式，能夠提供抑制了驟回現象的半導體裝置。
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1.一種半導體裝置，其中，
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
4.根據權利要求1～3中的任意一項所述的半導體裝置，其中，
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，
6.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，
【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，其中，
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
4.根據權利要求1～3中的任意一項所述...
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