【技術實現步驟摘要】
本揭露是關于一種電漿蝕刻系統，且特別是一種具有改良的聚焦環的電漿蝕刻系統。
技術介紹
1、由于各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻、電容等)的集成密度持續改良，半導體工業迎來了飛速成長。在大多數情況下，集成密度的改良是通過最小特征尺寸的迭代減少來達成，使得更多元件可以整合進特定的區域中。
2、雖然一些集成裝置制造商(integrated?device?manufacturers，idms)自己設計和制造集成電路(integrated?circuits，ics)，但無晶圓廠的半導體公司將半導體制造外包給半導體制造廠或代工廠。半導體制造由一系列過程所組成，其中裝置結構是通過在基板上加上一系列結構層來制造。這一系列過程涉及了各種介電質、半導體和金屬層的沉積和去除。通過微影工藝控制要沉積或去除的金屬層的區域。每個沉積和去除過程完成后通常接著進行清潔和檢查步驟。因此，集成裝置制造商和代工廠都依賴大量通常由供應商提供的半導體設備和半導體制造材料。客制化或改良此些半導體設備和半導體制造材料往往是必要的，進而提高機動性、可靠性和成本效益。
技術實現思路
1、本揭露的一方面是指一種邊緣組件，用于一電漿蝕刻系統。邊緣組件包含聚焦環，環繞安裝于電漿蝕刻系統內的安裝平臺的邊緣部分。聚焦環包含下臺階部分，鄰近安裝平臺的邊緣部分，下臺階部分從聚焦環的底部表面垂直延伸至下臺階頂部表面。聚焦環還包含上臺階部分，遠離安裝平臺的邊緣部分，上臺階部分從聚焦環的底部表面垂直延伸至上臺階頂部表面，又上臺階部
2、本揭露的另一方面是指一種邊緣組件，用于電漿蝕刻系統。邊緣組件包含聚焦環，環繞安裝于電漿蝕刻系統內的安裝平臺的邊緣部分。聚焦環包含上臺階部分，其中上臺階部分為環狀并從聚焦環的底部表面垂直延伸至上臺階頂部表面，且其中上臺階部分的特征在于具有沿上臺階部分的周圍延伸的空腔，且空腔的特征在于具有與聚焦環的底部表面呈共平面的空腔底部表面。
3、本揭露的又一方面是指一種電漿蝕刻系統，包含安裝平臺及邊緣組件。邊緣組件包含聚焦環，環繞于安裝平臺的邊緣部分，且其中此聚焦環的特征在于具有沿其周圍延伸的空腔，且其中此空腔的特征在于具有與此聚焦環的底部表面呈共平面的空腔底部表面。
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1.一種邊緣組件，用于一電漿蝕刻系統，其特征在于，所述邊緣組件包含：
2.如權利要求1所述的邊緣組件，其特征在于，所述空隙具有一空隙底部表面，且該空隙底部表面與該聚焦環的該底部表面呈共平面。
3.如權利要求2所述的邊緣組件，其特征在于，所述空隙從一空隙內側徑向延伸至一空隙外側。
4.如權利要求1所述的邊緣組件，其特征在于，所述聚焦環還包含與該聚焦環的該底部表面呈共平面并封閉該空隙的一底蓋。
5.如權利要求1所述的邊緣組件，其特征在于，還包含：
6.如權利要求5所述的邊緣組件，其特征在于，還包含：
7.一種邊緣組件，用于一電漿蝕刻系統，其特征在于，所述邊緣組件包含：
8.如權利要求7所述的邊緣組件，其特征在于，所述聚焦環還包含與該聚焦環的該底部表面呈共平面并封閉該空腔的一底蓋。
9.如權利要求7所述的邊緣組件，其特征在于，所述聚焦環還包含：
10.一種電漿蝕刻系統，其特征在于，包含：
【技術特征摘要】
1.一種邊緣組件，用于一電漿蝕刻系統，其特征在于，所述邊緣組件包含：
2.如權利要求1所述的邊緣組件，其特征在于，所述空隙具有一空隙底部表面，且該空隙底部表面與該聚焦環的該底部表面呈共平面。
3.如權利要求2所述的邊緣組件，其特征在于，所述空隙從一空隙內側徑向延伸至一空隙外側。
4.如權利要求1所述的邊緣組件，其特征在于，所述聚焦環還包含與該聚焦環的該底部表面呈共平面并封閉該空隙的一底蓋。
5.如權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳家瑋，詹朝壹，陳佑宣，郭政佑，陳彥羽，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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