【技術實現步驟摘要】
本申請涉及射頻，尤其涉及一種射頻開關芯片和射頻前端模組。
技術介紹
1、射頻開關芯片在射頻前端模組中起到關鍵作用，其插損、回損、隔離度、諧波抑制和功率容量等性能對射射頻前端模組有重要影響。相關技術中，射頻開關芯片容易受靜電放電破壞的影響，從而對射頻開關芯片中的電路和電子元件造成損壞，進而影響射頻開關芯片的正常工作。因此，如何保護射頻開關芯片中的電路和電子元件不受靜電放電破壞成為目前亟待解決的技術問題。
技術實現思路
1、本申請提出了一種射頻開關芯片和射頻前端模組。
2、第一方面，本申請實施例提供一種射頻開關芯片，包括：保護模塊，保護模塊包括輸入端口和輸出端口，在保護模塊處于工作狀態下時，輸入端口被配置為接收第一信號，輸出端口被配置為輸出第二信號至射頻開關芯片中的開關電路；保護模塊包括保護電路，保護電路的第一端與輸入端口連接，保護電路的第二端接地，在保護模塊處于非工作狀態下時，保護電路被配置為將輸入端口的靜電信號釋放到地。
3、其中，保護電路包括第一保護支路，第一保護支路的第一端與輸入端口連接，第一保護支路的第二端接地，第一保護支路的導通電壓大于第一信號的電壓，第一保護支路被配置為將靜電信號中的正脈沖信號釋放到地。
4、其中，保護電路還包括第二保護支路，第二保護支路的第一端與輸入端口連接，第二保護支路的第二端接地，第二保護支路被配置為將靜電信號中的負脈沖信號釋放到地。
5、其中，第一保護支路包括串聯連接的m個第一二極管，m個第一二極管中
6、其中，保護電路還包括第一電容和第一電阻；第一電阻的第一端與輸入端口連接，第一電阻的第二端與第一電容的第一端連接，第一電容的第二端接地，第一電阻和第一電容的公共端與輸出端口連接。
7、其中，保護模塊還包括嵌位電路，嵌位電路的第一端與供電電源端連接，嵌位電路的第二端與保護電路的第二端共接地。
8、其中，當保護模塊處于非工作狀態下時，保護電路的接地端懸空，供電電源端接地，保護電路被配置為將靜電信號通嵌位電路傳輸至供電電源端，供電電源端釋放靜電信號。
9、其中，當保護模塊處于工作時，供電電源端通過嵌位電路給保護電路供電。
10、其中，嵌位電路包括第二電阻、第二電容、反相器以及nmos管；第二電容的第一端接地，第二電容的第二端與第二電阻的第一端連接；第二電阻的第二端與供電電源端、nmos管的漏極連接；第二電容和第二電阻的公共端與反相器的輸入端連接；反相器的輸出端與nmos管的柵極連接；nmos管的源極接地。
11、其中，保護模塊還包括第一去耦電路，第一去耦電路的一端與供電電源端連接，第一去耦電路的另一端接地，且第一去耦電路位于嵌位電路與保護電路之間且靠近嵌位電路設置。
12、其中，保護模塊還包括第二去耦電路和第三去耦電路；第二去耦電路的一端與輸入端口連接，第二去耦電路的另一端接地；第二去耦電容位于嵌位電路與保護電路之間且靠近保護電路設置；第三去耦電路的一端與供電電源端連接，第三去耦電路的另一端接地，第三去耦電路位于保護電路遠離嵌位電路的一側。
13、其中，第一去耦電路包括至少一個第一mos電容，每一第一mos電容的柵極連接至供電電源端，每一第一mos電容的源極和漏極相連后接地；或/及，第二去耦電路包括至少一組第二mos電容單元，每一組第二mos電容單元均包括第二mos電容和第三mos電容，第二mos電容的柵極接地，第二mos電容的源極和漏極相連后與第三mos電容的柵極連接，第三mos電容的柵極連接至輸入端口，第三mos電容的源極和漏極相連后接地；或/及，第三去耦電路包括至少一組第三mos電容單元，每一組第三mos電容單元均包括第四mos電容和第五mos電容，第四mos電容的柵極接地，第四mos電容的源極和漏極相連后接地，第五mos電容的柵極連接至供電電源端，第五mos電容的源極和漏極相連后接地。
14、其中，射頻開關芯片還包括電平轉換電路，電平轉換電路的第一端與供電電源端連接，電平轉換電路的第二端接地，電平轉換電路的第三端與輸出端口連接，電平轉換電路的第四端連接于射頻開關芯片中的驅動電路；電平轉換電路，被配置為將第二信號的電平轉換為適于輸入射頻開關芯片中的解碼驅動電路的電平。
15、其中，射頻開關芯片還包括振蕩電路，振蕩電路的第一端與供電電源端連接，振蕩電路的第二端接地，振蕩電路的第三端被配置為接收使能信號，振蕩電路的第四端被配置為輸出時鐘信號；振蕩電路，被配置為將直流電信號轉換為交流電信號。
16、其中，射頻開關芯片還包括電荷泵，電荷泵的第一端與供電電源端連接，電荷泵的第二端接地，電荷泵的第三端被配置為接收時鐘信號，電荷泵的第四端與射頻開關芯片中的負壓檢測電路連接；電荷泵，被配置為產生負壓。
17、射頻開關芯片還包括負壓檢測電路，負壓檢測電路的第一端與供電電源端連接，負壓檢測電路的第二端接地，負壓檢測電路的第三端被配置為接收使能信號，負壓檢測電路的第四端與射頻開關芯片中的電荷泵連接，負壓檢測電路的第五端與射頻開關芯片中的解碼驅動電路連接；負壓檢測電路，被配置為防止負壓鎖死。
18、其中，射頻開關芯片還包括解碼驅動電路，解碼驅動電路的第一端與供電電源端連接，解碼驅動電路的第二端接地，解碼驅動電路的第三端與射頻開關芯片中的電平轉換電路連接，解碼驅動電路的第四端與射頻開關芯片中的負壓檢測電路連接，解碼驅動電路的第五端與射頻開關芯片中的電荷泵連接，解碼驅動電路的第六端與射頻開關芯片中的開關電路；解碼驅動電路，被配置為驅動射頻開關芯片中的開關電路。
19、第二方面，本申請實施例提供一種射頻開關芯片，包括：保護模塊，保護模塊包括輸入端口和輸出端口，在保護模塊處于工作狀態下時，輸入端口被配置為接收第一信號，輸出端口被配置為輸出第二信號至射頻開關芯片中的開關電路；保護模塊包括保護電路，保護電路的第一端與輸入端口連接，保護電路的第二端接地，保護電路包括并聯連接的第一保護支路和第二保護支路；第一保護支路包括串聯連接的m個第一二極管，m個第一二極管中的首端第一二極管的陽極與輸入端口連接，m個第一二極管中的末端第一二極管的陰極接地，m為正整數，第一保護支路的導通電壓大于第一信號的電壓；第二保護支路包括串聯連接的n個第二二極管，n個第二二極管中的首端第二二極管的陰極與輸入端口連接，n個第二二極管的末端第二二極管的陽極接地，n為小于m的正整數。
20、其中，當保護模塊處于非工作狀態下時，第一保護支路被配置為將輸入端口的靜電信號中的正脈沖信號釋放到地，第二保護支路被配置為將輸入端口的靜電信號中的負脈沖信號釋放到地。
21、第三方本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種射頻開關芯片，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路包括第一保護支路，所述第一保護支路的第一端與所述輸入端口連接，所述第一保護支路的第二端接地，所述第一保護支路的導通電壓大于所述第一信號的電壓，所述第一保護支路被配置為將所述靜電信號中的正脈沖信號釋放到地。
3.如權利要求2所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路還包括第二保護支路，所述第二保護支路的第一端與所述輸入端口連接，所述第二保護支路的第二端接地，所述第二保護支路被配置為將所述靜電信號中的負脈沖信號釋放到地。
4.如權利要求3所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述第一保護支路包括串聯連接的M個第一二極管，所述M個第一二極管中的首端第一二極管的陽極與所述輸入端口連接，所述M個第一二極管中的末端第一二極管的陰極接地，所述M為正整數；
5.如權利要求4所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路還包括第一電容和第一電阻；所述第一電阻的第一端與所述輸入端口連接，所述第一電阻的第二端與所述第一電容的第一端連接，所述第一電容的第二端接地
6.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括嵌位電路，所述嵌位電路的第一端與供電電源端連接，所述嵌位電路的第二端與所述保護電路的第二端共接地。
7.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，當所述保護模塊處于非工作狀態下時，所述保護電路的接地端懸空，所述供電電源端接地，所述保護電路被配置為將所述靜電信號通所述嵌位電路傳輸至所述供電電源端，所述供電電源端釋放所述靜電信號。
8.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，當所述保護模塊處于工作時，所述供電電源端通過所述嵌位電路給所述保護電路供電。
9.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述嵌位電路包括第二電阻、第二電容、反相器以及NMOS管；
10.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括第一去耦電路，所述第一去耦電路的一端與所述供電電源端連接，所述第一去耦電路的另一端接地，且第一去耦電路位于所述嵌位電路與所述保護電路之間且靠近所述嵌位電路設置。
11.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括第二去耦電路和第三去耦電路；所述第二去耦電路的一端與所述輸入端口連接，所述第二去耦電路的另一端接地；所述第二去耦電容位于所述嵌位電路與所述保護電路之間且靠近所述保護電路設置；所述第三去耦電路的一端與所述供電電源端連接，所述第三去耦電路的另一端接地，所述第三去耦電路位于所述保護電路遠離所述嵌位電路的一側。
12.如權利要求10或11所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述第一去耦電路包括至少一個第一MOS電容，每一所述第一MOS電容的柵極連接至所述供電電源端，每一所述第一MOS電容的源極和漏極相連后接地；
13.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片還包括電平轉換電路，所述電平轉換電路的第一端與供電電源端連接，所述電平轉換電路的第二端接地，所述電平轉換電路的第三端與所述輸出端口連接，所述電平轉換電路的第四端連接于所述射頻開關芯片中的驅動電路；所述電平轉換電路，被配置為將所述第二信號的電平轉換為適于輸入所述射頻開關芯片中的解碼驅動電路的電平。
14.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片還包括振蕩電路，所述振蕩電路的第一端與供電電源端連接，所述振蕩電路的第二端接地，所述振蕩電路的第三端被配置為接收使能信號，所述振蕩電路的第四端被配置為輸出時鐘信號；所述振蕩電路，被配置為將直流電信號轉換為交流電信號。
15.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片還包括電荷泵，所述電荷泵的第一端與供電電源端連接，所述電荷泵的第二端接地，所述電荷泵的第三端被配置為接收時鐘信號，所述電荷泵的第四端與所述射頻開關芯片中的負壓檢測電路連接；所述電荷泵，被配置為產生負壓。
16.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片還包括負壓檢測電路，所述負壓檢測電路的第一端與供電電源端連接，所述負壓檢測電路的第二端接地，所述負壓檢測電路的第三端被配置為接收使能信號，所述負壓檢測電路的第四端與所述射頻開關芯片中的電荷泵連接，所述負壓檢測電路的第五端與所述射頻開關芯片中的解碼驅動電路連接；所述負壓檢測電路，被配置為防止負壓鎖死。
17.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片還包括解碼...
【技術特征摘要】
1.一種射頻開關芯片，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路包括第一保護支路，所述第一保護支路的第一端與所述輸入端口連接，所述第一保護支路的第二端接地，所述第一保護支路的導通電壓大于所述第一信號的電壓，所述第一保護支路被配置為將所述靜電信號中的正脈沖信號釋放到地。
3.如權利要求2所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路還包括第二保護支路，所述第二保護支路的第一端與所述輸入端口連接，所述第二保護支路的第二端接地，所述第二保護支路被配置為將所述靜電信號中的負脈沖信號釋放到地。
4.如權利要求3所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述第一保護支路包括串聯連接的m個第一二極管，所述m個第一二極管中的首端第一二極管的陽極與所述輸入端口連接，所述m個第一二極管中的末端第一二極管的陰極接地，所述m為正整數；
5.如權利要求4所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護電路還包括第一電容和第一電阻；所述第一電阻的第一端與所述輸入端口連接，所述第一電阻的第二端與所述第一電容的第一端連接，所述第一電容的第二端接地，所述第一電阻和所述第一電容的公共端與所述輸出端口連接。
6.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括嵌位電路，所述嵌位電路的第一端與供電電源端連接，所述嵌位電路的第二端與所述保護電路的第二端共接地。
7.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，當所述保護模塊處于非工作狀態下時，所述保護電路的接地端懸空，所述供電電源端接地，所述保護電路被配置為將所述靜電信號通所述嵌位電路傳輸至所述供電電源端，所述供電電源端釋放所述靜電信號。
8.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，當所述保護模塊處于工作時，所述供電電源端通過所述嵌位電路給所述保護電路供電。
9.如權利要求6所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述嵌位電路包括第二電阻、第二電容、反相器以及nmos管；
10.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括第一去耦電路，所述第一去耦電路的一端與所述供電電源端連接，所述第一去耦電路的另一端接地，且第一去耦電路位于所述嵌位電路與所述保護電路之間且靠近所述嵌位電路設置。
11.如權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述保護模塊還包括第二去耦電路和第三去耦電路；所述第二去耦電路的一端與所述輸入端口連接，所述第二去耦電路的另一端接地；所述第二去耦電容位于所述嵌位電路與所述保護電路之間且靠近所述保護電路設置；所述第三去耦電路的一端與所述供電電源端連接，所述第三去耦電路的另一端接地...
【專利技術屬性】
技術研發人員：葛瀟，高天寶，倪建興，
申請(專利權)人：銳石創芯深圳科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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